一种半导体发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体发光器件及其制备方法，包括一衬底；一缓冲层，生长于所述的衬底上；一n型层，生长于所述的缓冲层上；一V‑pits延伸层，其为超晶格层，生长于所述的n型层上，以延伸V‑pits的尺寸；一发光层，生长于所述的V‑pits延伸层上，V‑pits延伸层和发光层中贯穿V‑pits；一p型层，生长于所述的发光层上；其中，n型层生长结束后，对n型层上表面进行刻蚀，使n型层中位错顶端形成V‑pits。本发明专利技术半导体发光器件可获得在深度和尺寸上具有一致性的V‑pits，可充分发挥V‑pits阻挡位错成为非辐射复合中心的功能，进一步提高发光二极管的内量子效率。

Semiconductor light emitting device and preparation method thereof

The invention discloses a semiconductor light emitting device and a preparation method thereof, comprising a substrate; a buffer layer, substrate in the upper layer; a n type, buffer layer growth in the upper V; a pits extension layer, the superlattice layer, n layer growth in the on the extension of V to pits size; a light emitting layer, V pits layer growth extension to the V extension V pits, pits through the layer and the light emitting layer; a p layer, a light-emitting layer growth in the upper; the N layer growth after the end the etching of N layer on the surface, the top layer formed in the dislocation type n V pits. The invention of semiconductor light emitting devices can be obtained with consistency in the depth and size of the V pits, can give full play to V pits blocking dislocations become non radiative recombination centers function, further improve the internal quantum efficiency of light emitting diode.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体发光器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体电子器件
，尤其涉及一种半导体发光器件及其制备方法。
技术介绍
与传统照明相比，发光二极管尤其是氮化物发光二极管有较高的发光效率，因此在照明领域得到了越来越广泛的应用。因传统的氮化物发光二极管一般采用异质外延，晶格失配和热失配导致生长的发光二极管器件内存在大量的位错缺陷，这些位错降低了外延层的生长质量，导致发光二极管发光效率的降低，寿命的减少，以及可靠性的降低。在Cree公司的专利US7611917B2中，阐述了V-pits（V型微坑）对抑制位错缺陷的非辐射复合的作用。该专利中描述了在LED器件结构的多量子阱生长前，采用降低温度生长氮化镓系列材料的超晶格结构，促进V-pits结构的形成，提高LED器件的发光效率，降低正向工作电压。该专利中采用氮化镓系列材料的超晶格结构生长出V-pits结构，但是V-pits的尺寸过程具有随机性，限制了芯片内量子效率的进一步提高。因此有必要对V-pits的形成过程进行进一步的控制，形成均一的V-pits结构，充分发挥V-pits抑制位错缺陷的非辐射复合的作用，提高器件内量子效率。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种半导体发光器件，其特征是，包括：一衬底；一缓冲层，生长于所述的衬底上；一n型层，生长于所述的缓冲层上；一V‑pits延伸层，其为超晶格半导体层，生长于所述的n型层上，以延伸V‑pits的尺寸；一发光层，生长于所述的V‑pits延伸层上，V‑pits延伸层和发光层中贯穿V‑pits；一p型层，生长于所述的发光层上；其中，n型层生长结束后，对n型层上表面进行刻蚀，使n型层中位错顶端形成V‑pits。

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光器件，其特征是，包括：一衬底；一缓冲层，生长于所述的衬底上；一n型层，生长于所述的缓冲层上；一V-pits延伸层，其为超晶格半导体层，生长于所述的n型层上，以延伸V-pits的尺寸；一发光层，生长于所述的V-pits延伸层上，V-pits延伸层和发光层中贯穿V-pits；一p型层，生长于所述的发光层上；其中，n型层生长结束后，对n型层上表面进行刻蚀，使n型层中位错顶端形成V-pits。2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征是：所述的n型层为n型氮化物半导体层。3.如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征是：所述的n型氮化物半导体层为n型氮化镓层或n型氮化铝镓层或n型氮化铟镓层或n型氮化铟层或n型氮化铝层或n型氮化铝铟镓层或前述任意组合。4.如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征是：所述的p型层为p型氮化物半导体层。5.如权利要求4所述的半导体发光器件，其特征是：所述的p型氮化物半导体层为p型氮化镓层或p型氮化铝镓层或p型氮化铟镓层或p型氮化铟层或p型氮化铝层或p型氮化铝铟镓层或前述任意组合。6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：周圣军，胡红坡，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42