A light emitting device, display device and method of manufacturing the light emitting device, light emitting device, comprising: a first transparent electrode, a hole blocking layer, a dielectric layer, vertical channel layer, an electroluminescent layer, the second transparent electrode, including: located in the hole blocking layer and the dielectric layer quantum dot layer is located; the metal reflective electrode between the dielectric layer and the vertical channel layer. The embodiment of the embodiment of the invention has uniform display brightness and reduces the power consumption of the backboard.
【技术实现步骤摘要】
一种发光器件、显示装置及发光器件的制造方法
本文涉及但不限于显示技术,尤指一种发光器件、显示装置及发光器件的制造方法。
技术介绍
目前,发出的全都是白色光的发光二极管(WhiteOLED)显示器件可应用于大尺寸电视机(TV)以及照明装置,其中,OLED由红色、绿色、蓝色(RGB)三个发光单元的叠层结构,经传统彩膜滤光后,由于OLED的驱动TFT存在阈值电压漂移大,造成显示亮度不够均一,所以需要薄膜晶体管(TFT)电路补偿,增加了背板功耗。
技术实现思路
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。本专利技术实施例提供一种发光器件、显示装置及发光器件的制造方法,能够降低背板功耗。本专利技术实施例提供了一种发光器件,包括:第一透明电极、空穴阻挡层、介电层、垂直沟道层、电致发光层、第二透明电极,还包括:位于空穴阻挡层和介电层之间的量子点层;位于介电层和垂直沟道层之间的金属反射电极。可选的,所述量子点层由以下部分或全部颜色的量子点组成:蓝色、绿色、黄色、红色、近红外。可选的,所述金属反射电极具有准连续结构或镂空结构。可选的,采用旋涂、印刷或转印方 ...
【技术保护点】
一种发光器件,包括:第一透明电极、空穴阻挡层、介电层、垂直沟道层、电致发光层、第二透明电极,其特征在于,还包括:位于空穴阻挡层和介电层之间的量子点层;位于介电层和垂直沟道层之间的金属反射电极。
【技术特征摘要】
1.一种发光器件,包括:第一透明电极、空穴阻挡层、介电层、垂直沟道层、电致发光层、第二透明电极,其特征在于,还包括:位于空穴阻挡层和介电层之间的量子点层;位于介电层和垂直沟道层之间的金属反射电极。2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述量子点层由以下部分或全部颜色的量子点组成:蓝色、绿色、黄色、红色、近红外。3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述金属反射电极具有准连续结构或镂空结构。4.根据权利要求1~3任一项所述的发光器件,其特征在于,采用旋涂、印刷或转印方式在所述空穴阻挡层上方形成所述量子点层。5.根据权利要求1~3任一项所述的发光器件,其特征在于,采用真空蒸镀方式在所述介电层上方形成所述金属反射电极。6.一种显示装置,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐威,梁蓬霞,张笑,谷新,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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