有机发光显示设备制造技术

一种有机发光显示设备，包括基板、形成于基板上的有源层、形成于有源层上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的栅电极、形成于栅极绝缘层及栅电极上的层间绝缘层、形成于层间绝缘层上的第一电极、形成于第一电极上的保护层、形成于保护层上的第二电极及形成于第二电极上的有机发光二极管；其中，栅电极及层间绝缘层与第一电极形成第一电容，第一电极及保护层与第二电极形成第二电容。上述有机发光显示设备，利用TFT结构中的层间绝缘层作为绝缘介质层，利用TFT结构中的保护层作为层间绝缘层，无需另外形成绝缘膜工艺，使用掩膜的数目及使用掩膜的工艺都减少，使工艺简单、制造成本及制造时间都减少，而且由于形成第一电容及第二电容，电容量增加。

Organic light emitting display device

An organic light emitting display device includes a substrate, an active layer formed on the substrate, is formed on the active layer on the gate insulating layer, formed on the gate insulating layer, the gate electrode is formed on the gate insulating layer and a gate electrode, an interlayer insulating layer formed on the interlayer insulating layer on the first electrode, formed on the first electrode layer, formed on the protective layer and the second electrode is formed on the second electrode on the organic light emitting diode; wherein, the gate electrode and the insulating layer and the first electrode forming a first capacitor, a first electrode and a protective layer and the second electrode to form second capacitors. The organic light emitting display device using the TFT structure of the interlayer insulating layer as a dielectric layer, the protective layer in the TFT structure as the interlayer insulating layer, an insulating film is formed without the addition of technology, using the number of mask and mask the use of technology to reduce, the process is simple, manufacturing cost and manufacturing time are reduced, and due to the formation of the first capacitor and two capacitor, the capacitance increases.

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示设备
本专利技术涉及有机发光显示
，特别是涉及一种有机发光显示设备。
技术介绍
有机发光显示设备的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)阵列构件包括TFT、电容器和连接电子元件的导线等。为了形成TFT阵列构件的精细图案，通常使用绘制有精细图案的掩膜将精细图案转移到基板上的方法。在使用掩膜转移图案的过程中，由于需要具有必要图案的不同的掩膜，因此若使用掩膜的工艺的数目增加，制造成本会因掩膜的准备而增加。目前，TFT阵列构件的电容结构一般以TFT的栅电极为电容的下电极，以TFT本身的层间绝缘层为电容的绝缘介质层，TFT的层间绝缘层膜厚较厚，例如采用300nm的氧化硅和200nm氮化硅的组合膜。这样，电容的绝缘介质层厚度较厚，会导致电容的电容量过低。另一种TFT阵列构件的电容结构同样以TFT的栅电极为电容的下电极，而另外加镀一层厚度较薄的膜作为电容的绝缘介质层，例如采用200nm的氧化硅膜。这样，虽然电容的绝缘介质层厚度较薄，使电容的电容量增加，但是增加了一层镀膜工艺，使用掩膜的数目及使用掩膜的工艺都增加，使工艺复杂、制造成本及制造时间都增加。
技术实现思路
基于此，有必要针对电容的电容量过低或者制备电容的工艺复杂、制造成本及制造时间增加的技术问题，提供一种有机发光显示设备。一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括基板、形成于所述基板上的有源层、形成于所述有源层上的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的栅电极、形成于所述栅极绝缘层及所述栅电极上的层间绝缘层、形成于所述层间绝缘层上的第一电极、形成于所述第一电极上的保护层、形成于所述保护层上的第二电极及形成于所述第二电极上的有机发光二极管；其中，所述栅电极及所述层间绝缘层与所述第一电极形成第一电容，所述第一电极及所述保护层与所述第二电极形成第二电容。在其中一个实施例中，所述第一电极包括绝缘间隔设置的第一源区电极及第一漏区电极；所述第一源区电极与所述层间绝缘层及所述栅电极形成所述第一电容，所述第一源区电极与所述保护层及所述第二电极形成所述第二电容；所述第一源区电极穿过所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层与所述半导体层接触；所述第一漏区电极穿过所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层与所述半导体层接触。在其中一个实施例中，所述第二电极包括第二电容电极和第二连接电极；所述第二电容电极与所述保护层及所述第一源区电极形成所述第二电容；所述第二连接电极穿过所述保护层与所述第一漏区电极接触，所述有机发光二极管与所述第二连接电极接触。在其中一个实施例中，所述有机发光二极管包括像素电极，所述像素电极与所述第二连接电极接触。在其中一个实施例中，所述第一电极还包括第一连接电极，所述第一连接电极与所述第一源区电极及所述第一漏区电极分别绝缘间隔设置；所述第一连接电极穿过所述层间绝缘层与所述栅电极接触，所述第二电容电极穿过所述保护层与所述第一连接电极接触，所述第一连接电极用于连接所述第二电容和所述栅电极。在其中一个实施例中，所述有机发光显示设备还包括驱动电压线，驱动电压线与所述第一源区电极连接。在其中一个实施例中，所述有机发光显示设备还包括缓冲层，所述缓冲层形成于所述基板和所述半导体层之间。在其中一个实施例中，所述层间绝缘层由氧化硅膜和氮化硅膜组合而成。在其中一个实施例中，所述保护层为氮化硅膜层。在其中一个实施例中，所述保护层的厚度为300～400nm。上述有机发光显示设备，第一电容利用TFT结构中的层间绝缘层作为绝缘介质层，第二电容利用TFT结构中的保护层作为层间绝缘层，无需另外形成绝缘膜工艺，从而减少了一层镀膜工艺，使用掩膜的数目及使用掩膜的工艺都减少，使工艺简单、制造成本及制造时间都减少，提高了生产效率，而且由于形成第一电容及第二电容，使电容的电容量增加。附图说明图1为一个实施例中有机发光显示设备的截面图；图2为另一个实施例中有机发光显示设备的截面图；图3为有机发光显示设备的一个最基本的等效电路原理图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。例如，一种有机发光显示设备包括基板、形成于基板上的半导体层、形成于半导体层上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的栅电极、形成于栅极绝缘层及栅电极上的层间绝缘层、形成于层间绝缘层上的第一电极、形成于层间绝缘层及第一电极上的保护层、形成于保护层上的第二电极及形成于第二电极上的有机发光二极管。其中，栅电极及层间绝缘层与第一电极形成第一电容，第一电极及保护层与第二电极形成第二电容。请参阅图1，一种有机发光显示设备10包括：基板110，有源层120、栅极绝缘层130、栅电极140、层间绝缘层150、第一电极160、保护层170、第二电极180及有机发光二极管190。其中，有源层120形成于基板110上，其中，有源层覆盖于基板上且覆盖至少部分基板；例如，有源层覆盖于全部基板上；又如，请参阅图1，有源层120覆盖于部分基板110上；栅极绝缘层130形成于有源层120上，例如，栅极绝缘层130形成于有源层120及基板110上，又如，请参阅图1，栅极绝缘层130覆盖于有源层120及基板110上；栅电极140形成于栅极绝缘层130上，例如，栅电极覆盖于栅极绝缘层上且覆盖至少部分栅极绝缘层；例如，栅电极覆盖于全部栅极绝缘层上；又如，请参阅图1，栅电极140覆盖于部分栅极绝缘层130上；层间绝缘层150形成于栅极绝缘层130及栅电极140上，例如，请参阅图1，层间绝缘层150覆盖栅极绝缘层130及栅电极140上，亦可理解为，栅极绝缘层130及栅电极140视为一个整体，层间绝缘层150覆盖于该整体上，使得该整体上方通过层间绝缘层150与第一电极160、保护层170及/或第二电极180连接；第一电极160形成于层间绝缘层150上；保护层170形成于第一电极160上，例如，请参阅图1，保护层170覆盖第一电极160及层间绝缘层150上；第二电极180形成于保护层170上，以及有机发光二极管190形成于第二电极180上；例如，第二电极180覆盖部分保护层170，有机发光二极管190形成于保护层170与第二电极180上，亦可理解为，保护层170与第二电极180视为一个整体，有机发光二极管190覆盖于该整体上，使得该整体上方全部为有机发光二极管190。其中，栅电极140及层间绝缘层150与第一电极160形成第一电容C1，第一电极160及保护层170与第二电极180形成第二电容C2。需要说明的是，虽然图中未示出，第二电极180通过导线或接触孔与栅电极连接。且连接第二电容C2的第二电极和TFT的栅电极的导线或接触孔可以在不增加本专利技术所需的掩膜数目且其正向投影不超出基板的情况下形成。上述有机发光显示设备10，第一电容利用TFT结构中的层间绝缘层作为绝缘介质层，第二电容利用TFT结构中的保护层作为层间绝缘层，无需另外形成绝缘膜工艺，使减少了一层镀膜工艺，使用掩膜的数目及使用掩膜的工艺都减少，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示设备，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的有源层；形成于所述有源层上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的栅电极；形成于所述栅极绝缘层及所述栅电极上的层间绝缘层；形成于所述层间绝缘层上的第一电极；形成于所述第一电极上的保护层；形成于所述保护层上的第二电极；以及形成于所述第二电极上的有机发光二极管；其中，所述栅电极及所述层间绝缘层与所述第一电极形成第一电容，所述第一电极及所述保护层与所述第二电极形成第二电容。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示设备，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的有源层；形成于所述有源层上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的栅电极；形成于所述栅极绝缘层及所述栅电极上的层间绝缘层；形成于所述层间绝缘层上的第一电极；形成于所述第一电极上的保护层；形成于所述保护层上的第二电极；以及形成于所述第二电极上的有机发光二极管；其中，所述栅电极及所述层间绝缘层与所述第一电极形成第一电容，所述第一电极及所述保护层与所述第二电极形成第二电容。2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述第一电极包括绝缘间隔设置的第一源区电极及第一漏区电极；所述第一源区电极与所述层间绝缘层及所述栅电极形成所述第一电容，所述第一源区电极与所述保护层及所述第二电极形成所述第二电容；所述第一源区电极穿过所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层与所述半导体层接触；所述第一漏区电极穿过所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层与所述半导体层接触。3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其特征在于，所述第二电极包括第二电容电极和第二连接电极；所述第二电容电极与所述保护层及所述第一源区电极形成所述第二电容；所述第二连接电极穿过所述保护层与所述第一漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木浩司，陈卓，苏君海，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44