一种有机发光二极管及显示面板制造技术

本发明专利技术实施例提供一种有机发光二极管和显示面板。该有机发光二极管包括：层叠设置的红色发光层和绿色发光层；所述有机发光二极管还包括：激子隔离层，所述激子隔离层设置在所述红色发光层和所述绿色发光层之间。本发明专利技术实施例通过设置激子隔离层，将激子分别限制在红色发光层和绿色发光层中，使得激子不会发生迁移和串扰，不会导致红色发光层和绿色发光层的激子的增多或者减少，因而，随着电流密度的变化，有机发光二极管中的红光的发光峰的增减幅度与绿光的发光峰的增减幅度相近，使得两者的光强的比例稳定，其复合光的光色比较稳定，有机发光二极管的发光效率也比较稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种有机发光二极管及显示面板
本专利技术涉及有机发光二极管
，特别是涉及一种有机发光二极管及显示面板。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLighting-EmittingDiode，OLED)由于其自主发光，轻薄，色域好，功耗低，可做柔性等诸多优点，被认为是有望取代TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示屏)的新一代的显示技术。目前OLED显示器的彩色化可以采用在白光OLED(WOLED)器件的表面上设置彩膜基板(ColorFilter，CF)来实现。WOLED的器件稳定是大尺寸OLED量产化的前提，WOLED一般由蓝光单元+黄光单元(B+Y)(黄光单元可由红色发光层和绿色发光层组成)串联组成或者由蓝光单元+红光/绿光单元(B+R/G)串联组成。为了弥补蓝光衰减太快的缺陷，目前WOLED采用蓝光单元+黄光单元+蓝光单元(B+Y+B)串联或者蓝光单元+红光/绿光单元+蓝光单元(B+R/G+B)串联。WOLED在不同电流密度下或者不同亮度下，光色会发生一定的漂移，从光谱上看除了蓝光变化影响外，还有黄光的变化。黄光由红光和绿光复合形成，现有技术的WOLED红光和绿光的光谱比例变化存在一定的偏差，即红绿光的增减幅度不一致，导致产生一定的颜色偏差，进而影响显示效果，同时红绿激子的相互串扰随着不同电流密度的变化波动较大，影响器件的发光效率。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种有机发光二极管及显示面板，以解决现有技术的有机发光二极管产生色偏的问题。第一方面，提供一种有机发光二极管，包括：层叠设置的红色发光层和绿色发光层；所述有机发光二极管还包括：激子隔离层，所述激子隔离层设置在所述红色发光层和所述绿色发光层之间。进一步：所述激子隔离层由空穴传输材料和电子传输材料掺杂组成。进一步：所述激子隔离层的空穴传输材料和电子传输材料的三线态T1能级均比所述红色发光层的主体材料的三线态T1能级大至少0.6ev，所述激子隔离层的空穴传输材料和电子传输材料的三线态T1能级均比所述绿色发光层的主体材料的三线态T1能级大至少0.6ev。进一步：所述激子隔离层的空穴传输材料和电子传输材料的三线态T1能级为2.5ev～6ev。进一步：所述激子隔离层的空穴传输材料的HOMO能级与所述红色发光层、所述绿色发光层的主体材料的HOMO能级均匹配，所述激子隔离层的电子传输材料的LUMO能级与所述红色发光层、所述绿色发光层的主体材料的LUMO能级均匹配。进一步：所述空穴传输材料占所述激子隔离层的材料的质量比为40％～70％。进一步，所述空穴传输材料包括如下的至少一种：氮杂均苯类衍生物、基于4,4’-联双芴结构的9,9位连接类衍生物和膦氧基氢蒽二-三芳胺类化合物；和/或，所述电子传输材料包括如下的至少一种：基于4,4’-联双芴结构的9,9位连接类衍生物和膦氧基氢蒽二-三芳胺类化合物。进一步：所述激子隔离层的厚度为进一步，所述有机发光二极管还包括：依次层叠设置的衬底、阳极层、空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子传输层、电子注入层和阴极层；其中，所述红色发光层、所述激子隔离层和所述绿色发光层依次设置在所述第一空穴传输层和所述第一电子传输层之间，所述红色发光层与所述第一空穴传输层相邻，所述绿色发光层与所述第一电子传输层相邻。进一步，所述有机发光二极管还包括：依次层叠设置的第二空穴传输层、第一蓝色发光层、第二电子传输层、第一N-电荷生成层和第一P-电荷生成层，其中，所述第二空穴传输层与所述空穴注入层相邻，所述第一P-电荷生成层与所述第一空穴传输层相邻。进一步，所述有机发光二极管还包括：依次层叠设置的第二N-电荷生成层、第二P-电荷生成层、第三空穴传输层、第二蓝色发光层和第三电子传输层，其中，所述第二N-电荷生成层与所述第一电子传输层相邻，所述第三电子传输层与所述电子注入层相邻。进一步：所述有机发光二极管的除所述衬底以外的各层的总厚度为进一步：所述有机发光二极管的除所述衬底以外的各层的总厚度为第二方面，提供一种显示面板，包括上述的有机发光二极管。这样，本专利技术实施例中，通过设置激子隔离层，将激子分别限制在红色发光层和绿色发光层中，使得激子不会发生迁移和串扰，不会导致红色发光层和绿色发光层的激子的增多或者减少，因而，随着电流密度的变化，红光的发光峰的增减幅度与绿光的发光峰的增减幅度相近，使得两者的光强的比例稳定，其复合光的光色比较稳定，有机发光二极管的发光效率也比较稳定。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术的WOLED的结构示意图；图2是现有技术的WOLED的激子在红色发光层和绿色发光层的状态示意图；图3是现有技术的不同电流密度下的WOLED的光谱图；图4是本专利技术实施例的有机发光二极管的激子在红色发光层和绿色发光层的状态示意图；图5是本专利技术实施例1的有机发光二极管的结构示意图；图6是本专利技术实施例2的有机发光二极管的结构示意图；图7是本专利技术实施例3的有机发光二极管的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。WOLED在不同电流密度下或者不同亮度下，光色会发生一定的漂移，从光谱上看除了蓝光变化影响外，红光和绿光的光谱比例变化存在一定的偏差，即红绿光的发光峰的增减幅度不一致，导致产生一定的颜色偏差，进而影响显示效果。专利技术人基于WOLED的结构研究发现：首先，如图1所示，WOLED包括依次层叠设置的：衬底101、阳极层102、空穴注入层103、第二空穴传输层104、蓝色发光层105、第二电子传输层106、N-电荷生成层107、P-电荷生成层108、第一空穴传输层109、红色发光层110、绿色发光层111、第一电子传输层112、电子注入层113和阴极层114。而光色发生一定的漂移的具体的原因如图2所示，在不同电流密度下在红色发光层110的空穴115和电子116会相遇复合成激子117，激子117容易跑到绿色发光层111中，使得绿色发光层111的发光强度增加，同理，在绿色发光层111的激子117也容易跑到红色发光层110中，使得红色发光层110的发光强度增加。这种激子117的迁移与串扰导致WOLED的光色不稳定。如图3所示，其中a表示电流密度为1mA/cm2的光谱图，b表示电流密度为10mA/cm2的光谱图。随着电流密度从1mA/cm2增大到10mA/cm2，根据计算得到红光的发光峰的增大幅度约为11.00，绿光的发光峰的增大幅度约为8.58，红光的发光峰的增大幅度与绿光的发光峰的增大幅度不相同，表明发出红光和发出绿光的激子的比例发生了变化，从而导致复合的黄光产生一定的色偏，最终导致复合的白光产生色偏，通过计算，该器件的CIEx、C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管，包括：层叠设置的红色发光层和绿色发光层；其特征在于，所述有机发光二极管还包括：激子隔离层，所述激子隔离层设置在所述红色发光层和所述绿色发光层之间。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管，包括：层叠设置的红色发光层和绿色发光层；其特征在于，所述有机发光二极管还包括：激子隔离层，所述激子隔离层设置在所述红色发光层和所述绿色发光层之间。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于：所述激子隔离层由空穴传输材料和电子传输材料掺杂组成。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于：所述激子隔离层的空穴传输材料和电子传输材料的三线态T1能级均比所述红色发光层的主体材料的三线态T1能级大至少0.6ev，所述激子隔离层的空穴传输材料和电子传输材料的三线态T1能级均比所述绿色发光层的主体材料的三线态T1能级大至少0.6ev。4.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其特征在于：所述激子隔离层的空穴传输材料和电子传输材料的三线态T1能级为2.5ev～6ev。5.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于：所述激子隔离层的空穴传输材料的HOMO能级与所述红色发光层、所述绿色发光层的主体材料的HOMO能级均匹配，所述激子隔离层的电子传输材料的LUMO能级与所述红色发光层、所述绿色发光层的主体材料的LUMO能级均匹配。6.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于：所述空穴传输材料占所述激子隔离层的材料的质量比为40％～70％。7.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴传输材料包括如下的至少一种：氮杂均苯类衍生物、基于4,4’-联双芴结构的9,9位连接类衍生物和膦氧基氢蒽二-三芳胺类化合物；和/或，所述电子传输材料包括如下的至少一种：基于4,4’-联双芴结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾文斌，孙力，高昕伟，万想，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11