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本发明公开了一种半导体发光器件及其制备方法，包括一衬底；一缓冲层，生长于所述的衬底上；一n型层，生长于所述的缓冲层上；一V‑pits延伸层，其为超晶格层，生长于所述的n型层上，以延伸V‑pits的尺寸；一发光层，生长于所述的V‑pits延伸...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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