使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法。一种半导体发光器件包括：第一导电型半导体层；布置在第一导电型半导体层上的第一导电型电极；与第一导电型半导体层重叠的第二导电型半导体层；布置在第二导电型半导体层上的第二导电型电极；以及包括覆盖第一和第二导电型半导体层的侧表面的具有不同折射率多个层的钝化层以反射发射到半导体发光器件的侧表面的光。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及显示装置及其制造方法，更具体地，涉及使用半导体发光器件的柔性显示装置。
技术介绍
近年来，在显示
，具有诸如低剖面、柔性等出色特性的显示装置被开发出来。目前商业化显示器的主要代表是液晶显示器(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)。然而，在LCD的示例中存在如响应时间差强人意、柔性难以实现等问题，而AMOLED的示例中存在如寿命短、差强人意的良品率以及低柔性等缺点。此外，自从1962年使用GaAsP化合物半导体的红光LED以及GaP:N基的绿光LED进入商用以来，发光二极管(LED)已是为人熟知的将电流转化为光的发光器件，并且被用作在包括信息通信装置的电子装置中显示图像的光源。相应地，半导体发光器件可被用于实现柔性显示器，从而展示出解决问题的方案。使用半导体发光器件的柔性显示器可能需要增强半导体发光器件的发光效率。此外，必要性的方案涉及制造半导体发光器件的限制不应复杂。
技术实现思路
因此，详细描述的一个方面意图提供用于增强显示装置亮度的结构，及其制造方法。详细描述的另一个方面是减轻或防止光在半导体发光器件方面的
损耗。为了达到这些以及其它优点，并依照本说明书的目的，正如此处呈现并明显描述的，本专利技术在一个方面提供了一种显示装置，可以包括安装在衬底上的多个半导体发光器件，其中至少一个半导体发光器件可以包括：第一导电型电极和第二导电型电极；第一导电型电极布置于其上的第一导电型半导体层；覆盖第一导电型半导体层并且第二导电型电极布置于其上的第二导电型半导体层；以及被形成以覆盖第一导电型半导体层和第二导电型半导体层的侧表面的钝化层，其中钝化层包括具有不同折射率的多个层以反射发射到侧表面的光。在另一个方面中，本专利技术提供了一种制造显示装置的方法，包括：在衬底上生长第一导电型半导体层、有源层、以及第二导电型半导体层；通过蚀刻隔离衬底上的半导体发光器件；形成钝化层以覆盖半导体发光器件的侧表面；并且将其上形成有钝化层的半导体发光器件连接到布线衬底，并移除衬底，其中钝化层包括具有不同折射率的多个层以反射发射到侧表面的光。从下文给出的详细描述中，本申请的适用性的进一步范围将变得更加明确。然而，应该理解，由于对于那些本领域的熟练的技术人员来说对详细描述在本专利技术的精神和范围内进行的各种变化和修改将变得明显，详细描述和具体示例，在表示专利技术的首选实施例时，只是通过示例说明的方式给出。附图说明被包括以提供说明书的进一步理解、并且被并入且构成此说明书的一部分的附图，说明了本说明书的解释性实施例并连同描述一起解释本专利技术的原理。在附图中：图1是根据本专利技术的一个实施例说明使用半导体发光器件的显示装置的概念性视图；图2是图1中“A”部分的局部放大视图，而图3A和3B是沿着图2中B-B线和C-C线的截面图；图4是说明图3A的倒装芯片型半导体发光器件的概念性视图；图5A到5C是说明结合倒装芯片型半导体发光器件实现颜色的各种形式的概念性视图；图6是根据本专利技术的实施例说明制造使用半导体发光器件的显示装置的方法的截面图；图7是根据本专利技术的另一个实施例说明使用半导体发光器件的显示装置的透视图；图8是沿图7中D-D线所取的截面图；图9是说明图8中垂直式半导体发光器件的概念性视图；图10是图1的“A”部分的放大图，说明具有根据本专利技术的另一个实施例的新型结构的半导体发光器件；图11A是沿图10的E-E线所取的截面图；图11B是沿图10的F-F线所取的截面图；图12是说明图11A的具有新型结构的半导体发光器件的概念性视图；图13A是说明根据钝化层材料的反射率的曲线图；图13B是说明根据重复堆叠的多个层的数量的反射率的曲线图；图14A、14B、14C、14D、15A、15B和15C是根据本专利技术的实施例说明使用半导体发光器件的显示装置的制造方法的截面图；图16是说明了本专利技术的另一个实施例的、图1的“A”部分的放大图；图17A是沿图15的G-G线所取的截面图；图17B是沿图15的H-H线所取的截面图；而图18是说明图17A的倒装芯片型半导体发光器件的概念性视图。具体实施方式在下文中，此处公开的实施例将参照附图进行详细描述，并且相同或相似的元素被以相同的附图标记指定，图中的数字和它们的冗余描述将被忽略。在以下描述中用于构成本公开的元素的后缀“模块”或“单元”，只是为了方便说明书的描述，而后缀本身并不提供任何特殊意义或功能。同样，应该注意的是，附图仅仅是为了便于解释本专利技术的概念而被说明的，因此，它们不应该被解释为通过附图对此处公开的技术概念限制。此外，当一个元素，如层、区或衬底被称为“在”另一个元素“上”时，它可以直接在另一元素上，或者也可以在其中插入中间元素。此处公开的显示装置可能包括便携式电话、智能电话、笔记本计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航系统、板式PC、平板PC、超级笔记本、数字TV、台式计算机、等等。然而，容易被那些本领域技术人员理解的是，尽管新的产品类型将在以后被开发出来，但此处公开的结构仍可适用于任何可以显示的设备。图1是根据本专利技术的一个实施例说明使用半导体发光器件的显示装置100的概念性视图。根据该图，显示装置100的控制器处理的信息可以使用柔性显示器显示。柔性显示器100可包括柔性的、可弯曲的、可扭卷的、可折叠、以及可卷曲的显示器。例如，柔性显示器可被制造在可以像纸张一样被扭曲、弯曲、折叠或卷曲的薄的并且柔性的衬底上，同时保持相关领域的平板显示器的显示特征。在柔性显示器未被扭曲的构造(例如，具有无穷大曲率半径的构造，以下，称为“第一构造”)中，柔性显示器100的显示区域成为平面。在柔性显示器在第一构造中被外力扭曲的构造(例如，具有有限曲率半径的构造，以下，称为“第二构造”)中，其显示区域成为曲面。如图中所述，显示在第二构造中的信息可以是显示在曲面上的视觉信息。视觉信息可以通过单独控制以矩阵形式布置的子像素的光
发射而被实现。子像素代表实现一种颜色的最小单元。柔性显示器的子像素可以由半导体发光器件实现。根据本专利技术的实施例，发光二极管(LED)被描述为半导体发光器件的一种类型。发光二极管可以以小尺寸形成，通过这样，即使在第二构造中，起到子像素的作用。以下，使用发光二极管实现的柔性显示器将参考附图被更详细地描述。特别地，图2是图1中“A”部分的局部放大视图，图3A和3B是沿着图2中B-B线和C-C线的截面图，图4是说明图3A中倒装芯片型半导体发光器件的概念性视图，而图5A到5C是说明结合倒装芯片型半导体发光器件实现颜色的各种形式的概念性视图。根据图2、3A和3B中的附图，使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示装置100以示例的方式被示出。然而，在其它实施例中，下面的说明也适用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。如图所示，显示装置100包括衬底110、第一电极120、导电粘合层130、第二电极140、以及多个半导体发光器件150。衬底110可以是柔性衬底，并且包括玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示装置。此外，作为柔性材料，如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等等的任何一种均可以被使用。此外，衬底110既可以是透明的材料，也可以是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：衬底，所述衬底包括多个第一电极；多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件被安装在所述衬底上；多个第二电极，所述多个第二电极与所述第一电极相交并电连接到所述半导体发光器件且被置于所述半导体发光器件之间；以及导电粘合层，所述导电粘合层被布置在所述衬底和所述第二电极之间，并将所述半导体发光器件电连接到所述第一电极和所述第二电极，其中，所述半导体发光器件包括：第一导电型半导体层；第一导电型电极，所述第一导电型电极被布置在所述第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，所述第二导电型半导体层与所述第一导电型半导体层重叠；第二导电型电极，所述第二导电型电极被布置在所述第二导电型半导体层上；以及钝化层，所述钝化层包括覆盖所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层的侧表面的具有不同折射率的多个层，以反射发射到所述半导体发光器件的侧表面的光。

【技术特征摘要】
2015.04.24 KR 10-2015-00582831.一种显示装置，包括：衬底，所述衬底包括多个第一电极；多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件被安装在所述衬底上；多个第二电极，所述多个第二电极与所述第一电极相交并电连接到所述半导体发光器件且被置于所述半导体发光器件之间；以及导电粘合层，所述导电粘合层被布置在所述衬底和所述第二电极之间，并将所述半导体发光器件电连接到所述第一电极和所述第二电极，其中，所述半导体发光器件包括：第一导电型半导体层；第一导电型电极，所述第一导电型电极被布置在所述第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，所述第二导电型半导体层与所述第一导电型半导体层重叠；第二导电型电极，所述第二导电型电极被布置在所述第二导电型半导体层上；以及钝化层，所述钝化层包括覆盖所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层的侧表面的具有不同折射率的多个层，以反射发射到所述半导体发光器件的侧表面的光。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述钝化层的所述多个层包括反复堆叠于彼此之上的具有相对高折射率的第一材料层和具有相对低折射率的第二材料层。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，具有所述相对高折射率的所述第一材料层包括SiN、TiO2、Al2O3、以及ZrO2中的至少一种。4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，具有所述相对低折射率的所述第二材料层直接与所述侧表面接触。5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在具有所述相对高折射率的所述第一材料层和具有所述相对低折射率的所述第二材料层的折射率之间的差值的范围为从0.3到0.9。6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，具有所述相对低折射率的所述第二材料层具有与所述第一导电型半导体层相比更低的折射率。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，对应的半导体发光器件具有在宽度和长度上分别在从10微米到100微米的范围内的尺寸。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一导电型电极与所述第一电极连接，并且所述第二导电型电极与所述第二电极连接，所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层插入其间。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述钝化层的所述多个层的至少一部分覆盖所述第一导电型电极的侧表面和下表面的一部分。10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述钝化层包括：主体...

【专利技术属性】
技术研发人员：李银娥，姜敏求，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR