SOI器件及其制造方法技术

提供了一种SOI器件及其制造方法。一示例器件可以包括：SOI衬底，包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层；在SOI衬底上形成的半导体器件，包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；在SOI层中形成的位于沟道区下方的后退阱，其中后退阱偏向源区或漏区一侧；以及在基底衬底中形成的背栅，其中，背栅与后退阱电耦合。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体领域，更具体地，涉及一种具有非对称后退阱(RetrogradeWell，RW)和背栅的绝缘体上半导体(SOI)器件及其制造方法。
技术介绍
完全耗尽(FD)绝缘体上半导体(SOI)场效应晶体管(FET)器件具有若干优点，例如，降低功耗和减小漏电等。由于能够消除翘曲(Kink)效应，所以FDSOI器件可以很好地抑制短沟道效应并实现接近理想的亚阈值斜率。但是，FDSOI器件需要非常薄的SOI层，例如约10-20nm，以使其能够完全耗尽。这导致在工艺中对SOI层厚度控制的困难且对于Si损耗过于敏感。此外，薄的SOI层增加了外部电阻，且因此降低了器件性能。
技术实现思路
本公开的目的至少部分地在于提供一种具有非对称后退阱(RW)和背栅的SOI器件及其制造方法。根据本公开的一个方面，提供了一种SOI器件，包括：SOI衬底，包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层；在SOI衬底上形成的半导体器件，包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘体上半导体SOI器件，包括：SOI衬底，包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层；在SOI衬底上形成的半导体器件，包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区；在SOI层中形成的位于沟道区下方的后退阱，其中后退阱偏向源区或漏区一侧；以及在基底衬底中形成的背栅，其中，背栅与后退阱电耦合。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘体上半导体SOI器件，包括：
SOI衬底，包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层；
在SOI衬底上形成的半导体器件，包括位于SOI层中的源区和漏区
以及位于源区和漏区之间的沟道区；
在SOI层中形成的位于沟道区下方的后退阱，其中后退阱偏向源区
或漏区一侧；以及
在基底衬底中形成的背栅，
其中，背栅与后退阱电耦合。
2.根据权利要求1所述的SOI器件，其中，所述后退阱偏向源区一
侧。
3.根据权利要求1或2所述的SOI器件，还包括：到背栅的接触部，
通过该接触部向背栅和后退阱施加电压。
4.根据权利要求1或2所述的SOI器件，还包括：第一隔离结构，
将SOI衬底分成不同的区域，
其中，在每个区域中形成共享相同背栅的多个半导体器件。
5.根据权利要求4所述的SOI器件，还包括：第二隔离结构，将所
述区域分成不同的器件区域，其中所述多个半导体器件分别形成于所述
不同的器件区域中。
6.根据权利要求1所述的SOI器件，其中，后退阱进一步延伸到埋
入绝缘层和基底衬底中，其中后退阱在SOI层和埋入绝缘层中形成低浓
度阱掺杂，而在基底衬底中形成高浓度阱掺杂。
7.根据权利要求6所述的SOI器件，其中，后退阱在基底衬底中形
成delta掺杂。
8.一种制造绝缘体上半导体SOI器件的方法，包括：
对...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，张严波，钟健，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11