一种FS型IGBT器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种FS型IGBT器件的制造方法，包括以下步骤：将硅片背面减薄；在硅片的背面注入N型杂质；在硅片的背面生长氧化层保护层；对硅片的正面进行常规步骤直至ILD淀积；在硅片的正面淀积SIN介质保护层；在硅片的正面涂覆光刻胶并将光刻胶烘干；去除硅片背面氧化层保护层；去除硅片正面的保护用光刻胶；在硅片的背面注入P型重掺杂集电区的离子；在硅片的背面淀积氧化层保护层；去除硅片正面的SIN保护层；对硅片的正面从淀积步骤开始继续进行常规的步骤；去除硅片背面的氧化层保护层；对硅片的背面进行常规的背金以及合金步骤。本发明专利技术可以对硅片背面的P型离子注入进行良好的激活，又不至于对正面结构引入其他影响进而导致电学参数的漂移。

【技术实现步骤摘要】
一种FS型IGBT器件的制造方法
本专利技术涉及一种IGBT器件的制作方法，本专利技术尤其是涉及一种FS型IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极晶体管）器件的制造方法，本专利技术属于半导体制造工艺

技术介绍
IGBT在内部结构上更像垂直结构的MOSFET，只不过它在漏极侧增加了高掺杂的P+层，称之为集电极。IGBT器件中，新增加的P型重掺杂区在IGBT器件导通时向基区注入空穴，产生基区电导调制效应，从而大大提高了器件的电流处理能力。IGBT器件按其纵向结构主要分为PT型、NPT型和FS型，其中PT型IGBT以高掺杂的P+为衬底，之上是N+缓冲层加外延形成的N-衬底，PTIGBT的饱和压降具有负温度系数，而NPT型IGBT和FS型IGBT是以低掺杂的N-基区作为衬底，是生产流程的起始点。FSIGBT是在NPTIGBT基础上增加了电场终止层（Nbuffer层）。NPT型和FS型IGBT因其导通压降的正温度系数、便于并联使用的特性而被广泛应用。FS型IGBT器件现有的制作方法一般是在正面工艺完成后，再给圆片正面贴保护膜，然后进行背面减薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FS型IGBT器件的制作方法，其特征在于该制作方法包括以下步骤：a、将硅片背面减薄；b、在硅片的背面注入N型杂质；c、在硅片的背面生长氧化层保护层；d、对硅片的正面进行常规工艺步骤直至ILD淀积步骤；e、在硅片的正面淀积SIN介质保护层；f、在硅片的正面涂覆保护用光刻胶并将光刻胶烘干；g、去除硅片背面所淀积的氧化层保护层；h、去除硅片正面所涂覆的保护用光刻胶；i、在硅片的背面注入P型重掺杂集电区的离子；j、在硅片的背面淀积氧化层保护层；k、去除硅片正面所淀积的SIN保护层；l、对硅片的正面从淀积步骤开始继续进行常规的孔光刻步骤、正面金属淀积步骤、合金步骤、钝化层的淀积步骤以及钝化层的光刻步...

【技术特征摘要】
1.一种FS型IGBT器件的制作方法，其特征在于该制作方法包括以下步骤：a、将硅片背面减薄；b、在硅片的背面注入N型杂质；c、在硅片的背面生长氧化层保护层；d、对硅片的正面进行常规工艺步骤直至ILD淀积步骤；e、在硅片的正面淀积SIN介质保护层；f、在硅片的正面涂覆保护用光刻胶并将光刻胶烘干；g、去除硅片背面所淀积的氧化层保护层；h、去除硅片正...

【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，訾彤彤，杨晓鸾，王海军，叶甜春，
申请(专利权)人：江苏中科君芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32