显示基底、制造显示基底的方法及显示器件技术

公开了一种显示基底、一种制造该显示基底的方法以及一种包括该显示基底的显示器件。一方面，该显示基底包括：像素电路，设置在基础基底上方；绝缘层，设置在基础基底上方并且在显示基底的深度维度上与像素电路叠置；以及像素电极，设置在绝缘层上方并且电连接到像素电路。显示基底还包括设置在绝缘层上方的像素限定层以及包括第一间隔件和设置在第一间隔件上方的第二间隔件的间隔件结构，所述像素限定层形成在像素电极的一部分上方，所述第一间隔件与像素电路分离并且设置在绝缘层上方。

【技术实现步骤摘要】
显示基底、制造显示基底的方法及显示器件
所描述的技术总体上涉及显示基底、制造该显示基底的方法和包括该显示基底的显示器件。
技术介绍
通常，平板显示装置(例如，液晶显示(LCD)装置、有机发光二极管(OLED)等)包括产生电场的一对电极和其间的电光活性层。相比之下，LCD装置包括作为电光活性层的液晶层，而OLED包括作为电光活性层的有机发光层。两个电极中的一个接收电信号，电光活性层将电信号转换为光信号以显示图像。显示器件可包括维持基础基底与包封基底之间的间隙并且支撑包封基底的间隔件。间隔件通常可在像素限定层上以突出形式形成。通常，光刻工艺可用来形成间隔件，掩模可在光刻工艺中使用。然而，当使用掩模执行光刻工艺来形成间隔件时，用于制造显示器件的成本会增加，制造工艺会是复杂的。
技术实现思路
一个专利技术方面涉及一种包括可有效地保护显示基底的组件的间隔件结构的显示基底。另一方面是一种制造显示基底的方法。另一方面是一种包括所述显示基底的显示器件。另一方面是一种显示基底，该显示基底可包括：像素电路，设置在基础基底上；绝缘层，设置在基础基底上方以覆盖像素电路；像素电极，设置在绝缘层上并且电连接到像素电路；像素限定层，设置在绝缘层上并且暴露像素电极的一部分；以及间隔件结构，包括与像素电路分离并且设置在绝缘层上的第一间隔件以及设置在第一间隔件上的第二间隔件。在示例实施例中，第一间隔件与绝缘层一体地形成。在示例实施例中，间隔件结构的高度基本大于像素限定层的高度。在示例实施例中，第二间隔件的高度与像素限定层的高度基本上相同。在示例实施例中，第二间隔件包括与像素限定层的材料基本上相同的材料。在示例实施例中，显示基底还包括设置在第一间隔件和第二间隔件之间的辅助电极。辅助电极可由与像素电极的材料基本上相同的材料形成。在示例实施例中，像素限定层覆盖像素电极的侧面，第二间隔件覆盖辅助电极的侧面。另一方面是一种制造显示基底的方法。可在基础基底上形成像素电路，然后可在基础基底上方形成绝缘层以覆盖像素电路。可使用第一掩模使绝缘层图案化以形成暴露像素电路的一部分的接触孔并且形成与像素电路分离的第一间隔件。可在绝缘层上形成像素电极层，然后可在像素电极层上形成初始像素限定层。可使用第二掩模使初始像素限定层和像素电极层图案化以在第一间隔件上形成第二间隔件并且在像素电路上方的绝缘层上形成像素电极和像素限定层。在示例实施例中，第一掩模包括基本上透光的第一部分、部分地透光的第二部分以及阻挡光的第三部分。在示例实施例中，第一部分基本上对应于绝缘层的接触孔，第三部分基本上对应于绝缘层的第一间隔件。在示例实施例中，第二掩模包括基本上透光的第四部分、部分地透光的第五部分以及阻挡光的第六部分。在示例实施例中，第五部分基本上对应于像素电极，第六部分可基本上对应于像素限定层和第二间隔件。在根据示例实施例的绝缘层的图案化步骤中，在绝缘层上方设置第一掩模，然后使绝缘层暴露于光。可选择性地去除绝缘层以形成第一间隔件和接触孔。在根据示例实施例的初始像素限定层和像素电极层的图案化步骤中，可在初始像素限定层上方设置第二掩模，然后可使初始像素限定层暴露于光。可选择性地去除曝光的初始像素限定层，然后可选择性地去除像素电极层以形成像素电极。在根据示例实施例的选择性地去除曝光的初始像素限定层的步骤中，可选择性地去除曝光的初始像素限定层，使得曝光的初始像素限定层的与像素电极的中心部分对应的一部分可保留有相对薄的厚度，曝光的初始像素限定层的与像素电极的外围部分和第一间隔件对应的一部分可保留有相对厚的厚度，可去除曝光的初始像素限定层的剩余部分。可固化初始像素限定层。可去除曝光的初始像素限定层的与像素电极的中心部分对应的部分。在根据示例实施例的选择性地去除像素电极的步骤中，可在第一间隔件和第二间隔件之间形成辅助电极。在根据示例实施例的形成像素电路的步骤中，可在基础基底上形成有源图案之后，可在基础基底上形成第一栅极绝缘层以覆盖有源图案。可在第一栅极绝缘层上形成第一栅电极之后，可在第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层以覆盖第一栅电极。可在第二栅极绝缘层上形成第二栅电极，然后可在第二栅极绝缘层上形成绝缘中间层以覆盖第二栅电极。在穿过绝缘中间层、第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层形成接触孔之后，可在绝缘中间层上形成源电极和漏电极同时填充接触孔。另一方面是显示器件，该显示器件包括：像素电路，设置在基础基底上；绝缘层，设置在基础基底上方以覆盖像素电路；像素电极，设置在绝缘层上并且电连接到像素电路；像素限定层，设置在绝缘层上并且暴露像素电极的一部分；间隔件结构，包括与像素电路分离并且设置在绝缘层上的第一间隔件以及设置在第一间隔件上的第二间隔件；有机发光层，设置在像素电极的暴露的部分上；以及共电极，设置在绝缘层、有机发光层、像素限定层和第二间隔件上。在示例实施例中，第二间隔件包括与像素限定层的材料基本上相同的材料。第二间隔件的高度与像素限定层的高度基本上相同。在示例实施例中，显示器件还包括设置在第一间隔件和第二间隔件之间的辅助电极。辅助电极可包括与像素电极的材料基本上相同的材料。另一方面是显示基底，该显示基底包括：像素电路，设置在基础基底上方；绝缘层，设置在基础基底上方并且在显示基底的深度维度上与像素电路叠置；像素电极，设置在绝缘层上并且电连接到像素电路；像素限定层，设置在绝缘层上方，所述像素限定层形成在像素电极的一部分上方；以及间隔件结构，包括第一间隔件以及设置在第一间隔件上的第二间隔件，第一间隔件与像素电路分离并且设置在绝缘层上方。在以上显示基底中，第一间隔件与绝缘层一体地形成。在以上显示基底中，间隔件结构具有比像素限定层的高度大的高度。在以上显示基底中，第二间隔件具有与像素限定层的高度相同的高度。在以上显示基底中，第二间隔件由与像素限定层的材料相同的材料形成。以上显示基底还包括设置在第一间隔件和第二间隔件之间的辅助电极，其中，辅助电极由与像素电极的材料相同的材料形成。在以上显示基底中，像素限定层覆盖像素电极的侧面，其中，第二间隔件覆盖辅助电极的侧面。另一方面是制造显示基底的方法，该方法包括：在基础基底上方形成像素电路；在基础基底上方形成绝缘层并且绝缘层在显示基底的深度维度上与像素电路叠置；通过第一掩模使绝缘层图案化以形成暴露像素电路的一部分的接触孔并且形成与像素电路分离的第一间隔件；在绝缘层上方形成像素电极层；在像素电极层上形成初始像素限定层；以及通过第二掩模使初始像素限定层和像素电极层图案化以在第一间隔件上方形成第二间隔件并且在绝缘层和像素电路上方形成像素电极和像素限定层。在以上方法中，第一掩模包括被构造成透光的第一部分、被构造成部分地透光的第二部分和被构造成阻挡光的第三部分。在以上方法中，第一部分对应于绝缘层的接触孔，其中，第三部分对应于绝缘层的第一间隔件。在以上方法中，第二掩模包括被构造成透光的第四部分、被构造成部分地透光的第五部分和被构造成阻挡光的第六部分。在以上方法中，第五部分被构造成置于像素电极上方，其中，第六部分被构造成置于像素限定层和第二间隔件上方。在以上方法中，使绝缘层图案化的步骤包括：在绝缘层上方设置第一掩模；使绝缘层暴露于光；以及选择性地去除曝光的绝缘层以形成第一间隔件和接触孔。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基底，所述显示基底包括：像素电路，设置在基础基底上方；绝缘层，设置在所述基础基底上方并且在所述显示基底的深度维度上与所述像素电路叠置；像素电极，设置在所述绝缘层上方并且电连接到所述像素电路；像素限定层，设置在所述绝缘层上方，所述像素限定层形成在所述像素电极的一部分上方；以及间隔件结构，包括第一间隔件和设置在所述第一间隔件上方的第二间隔件，所述第一间隔件与所述像素电路分离并且设置在所述绝缘层上方。

【技术特征摘要】
2015.11.27 KR 10-2015-01674441.一种显示基底，所述显示基底包括：像素电路，设置在基础基底上方；绝缘层，设置在所述基础基底上方并且在所述显示基底的深度维度上与所述像素电路叠置；像素电极，设置在所述绝缘层上方并且电连接到所述像素电路；像素限定层，设置在所述绝缘层上方，所述像素限定层形成在所述像素电极的一部分上方；以及间隔件结构，包括第一间隔件和设置在所述第一间隔件上方的第二间隔件，所述第一间隔件与所述像素电路分离并且设置在所述绝缘层上方。2.根据权利要求1所述的显示基底，其中，所述第一间隔件与所述绝缘层一体地形成。3.根据权利要求1所述的显示基底，其中，所述间隔件结构具有比所述像素限定层的高度大的高度。4.根据权利要求3所述的显示基底，其中，所述第二间隔件具有与所述像素限定层的高度相同的高度。5.根据权利要求1所述的显示基底，其中，所述第二间隔件由与所述像素限定层的材料相同的材料形成。6.根据权利要求1所述的显示基底，所述显示基底还包括设置在所述第一间隔件和所述第二间隔件之间的辅助电极，其中，所述辅助电极由与像素电极的材料相同的材料形成。7.根据权利要求6所述的显示基底，其中，所述像素限定层覆盖所述像素电极的侧面，其中，所述第二间隔件覆盖所述辅助电极的侧面。8.一种制造显示基底的方法，所述方法包括：在基础基底上方形成像素电路；在所述基础基底上方形成绝缘层，所述绝缘层在所述显示基底的深度维度上与所述像素电路叠置；通过第一掩模使所述绝缘层图案化，以形成暴露所述像素电路的一部分的接触孔并且形成与所述像素电路分离的第一间隔件；在所述绝缘层上方形成像素电极层；在所述像素电极层上方形成初始像素限定层；以及通过第二掩模使所述初始像素限定层和所述像素电极层图案化，以在所述第一间隔件上方形成第二间隔件并且在所述绝缘层和所述像素电路上方形成像素电极和像素限定层。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一掩模包括被构造成透光的第一部分、被构造成部分地透光的第二部分以及被构造成阻挡光的第三部分。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一部分对应于所述绝缘层的所述接触孔，其中，所述第三部分对应于所述绝缘层的所述第一间隔件。11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二掩模包括被构造成透光的第四部分、被构造成部分地透光的第五部分以及被构造成阻挡光的第六部分。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第五部分被构造成置于所述像素电极上方，其中，所述第六部分被构造成置于所述像素限定层和所述第二间隔件上方。13.根据权利要求8所述的方法，其中，使所述绝缘层图案化的步骤包括：在所述绝缘层上方设置所述第一掩模；使所述绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：金智贤，朴成均，朴廷敏，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR