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本发明涉及一种FS型IGBT器件的制造方法，包括以下步骤：将硅片背面减薄；在硅片的背面注入N型杂质；在硅片的背面生长氧化层保护层；对硅片的正面进行常规步骤直至ILD淀积；在硅片的正面淀积SIN介质保护层；在硅片的正面涂覆光刻胶并将光刻胶烘干...
该专利属于江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。

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