The invention discloses a method for manufacturing a VDMOS device, which belongs to the technical field of semiconductor discrete device manufacturing. After the gate oxide process arrangement in P into the body region and the source region of N+ injection, to avoid the high temperature process in the prior art, improve the quality of gate oxide, at the same time, the P region and N+ source region into the lithography mask to reduce the N+ source area be made one, into the mask cost savings, and increasing the thickness of oxide layer in the P range using LOCOS technology, improve the device breakdown ability and dynamic characteristics. The invention improves the radiation resistance of the VDMOS device and improves the dynamic performance of the VDMOS.
【技术实现步骤摘要】
一种VDMOS器件的制造方法
本专利技术涉及半导体分立器件制造
,具体涉及一种VDMOS器件的制造方法。
技术介绍
VDMOS(verticaldouble-diffusedmetaloxidesemiconductor)是垂直导电的双扩散功率器件,具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、热稳定性好等特点,同时它还具有负的温度系数,没有双极二极管所谓的二次击穿,这些优点使得VDMOS器件在航空航天、核工程等极端复杂环境下的应用越来越广泛。这样不可避免地要受到空间辐射和核辐射等强辐射应用环境的影响,导致器件电参数发生变化,对器件性能造成不同程度的破坏,可靠性下降,甚至使元器件完全失效。传统VDMOS器件采用多晶硅自对准工艺,如图1(a)-(f)所示,在形成半导体衬底、外延层后,生长栅氧化层,淀积并刻蚀多晶硅;利用多晶硅的阻挡作用进行自对准的p体区注入和高温阱推,形成p体区;利用多晶硅和掩膜介质的阻挡作用进行离子注入,形成源极区;淀积介质层,并刻蚀得到接触孔;淀积金属层。综上所述,VDMOS器件的制作工艺不可避免的要涉及高温热过程,这会给栅氧化层引入过多的界面态和缺陷,栅氧化层质量的下降将直接影响器件的性能,尤其器件应用在抗辐照领域时将更为明显。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种VDMOS器件的制造方法,该方法能够避免现有制作工艺中的高温过程,提高栅氧质量;同时,采用厚氧结构,提高器件的抗击穿能力和动态特性。为实现上述目的,本专利技术所采用的技术方案如下:一种VDMOS器件的制造方法,该方法包括以下步骤:(1)在半导体衬底上制备外延层和生长场氧,场 ...
【技术保护点】
一种VDMOS器件的制造方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:(1)在半导体衬底上制备外延层和生长场氧,场氧为SiO
【技术特征摘要】
1.一种VDMOS器件的制造方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:(1)在半导体衬底上制备外延层和生长场氧,场氧为SiO2厚氧层;(2)在SiO2厚氧层两侧形成两个p体区,然后在两个p体区内形成N+源区;(3)在SiO2厚氧层、N+源极区和p体区上方形成栅氧层(栅介质层);(4)在SiO2厚氧层、部分N+源区和部分p体区上方形成栅极区;(5)在栅极区和所述栅氧层上方形成介质层;(6)在所述介质层两端刻蚀形成源极接触孔;(7)在所述源极接触孔内部形成源极金属层。2.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制造方法,其特征在于:步骤(1)中,采用LOCOS工艺制备SiO2厚氧层,具体制备过程为:在外延层表面两侧依次进行热氧氧化和硬掩膜淀积,分别形成SiO2氧化层和Si3N4硬掩膜;然后利用化学或物理淀积工艺淀积SiO2厚氧层,并去除硬掩膜。3.根据权利要求1或2所述的VDMOS器件的制造方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑莹,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十七研究所,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。