具有阶梯状边缘终端的半导体器件，以及用于制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及具有阶梯状边缘终端的半导体器件，以及用于制造半导体器件的方法。半导体本体具有第一侧面、第二侧面、横向边缘、有效区域、有效区域和横向边缘之间的边缘终端、以及第一导电类型的漂移区。边缘终端包括在第一侧面和横向边缘之间的在半导体本体中形成的阶梯。阶梯包括延伸直到第一侧面的横向表面和延伸直到横向边缘的底面。第二导电类型的第一掺杂区带沿着阶梯的横向表面被形成在半导体本体中，并形成具有漂移区的pn结。第一导电类型的第二掺杂区带至少沿着阶梯的底面的一部分被形成在半导体本体中，并延伸直到横向边缘，其中第二掺杂区带与漂移区接触。

Semiconductor device having stepped edge terminal and method for manufacturing semiconductor device

The present invention relates to a semiconductor device having a stepped edge terminal, and a method for manufacturing a semiconductor device. The semiconductor body has a first side, a second side, a lateral edge, an active region, an edge terminal between an active region and a lateral edge, and a drift region of the first conductivity type. The edge terminal includes a ladder formed in the semiconductor body between the first side and the lateral edge. The ladder includes a transverse surface extending to the first side and extending to the bottom surface of the lateral edge. The first doped zone band of the second conductivity type is formed in the semiconductor body along the transverse surface of the ladder and forms a PN junction with a drift zone. The second doped zone band of the first conductivity type is formed in at least a portion of the bottom surface of the ladder in the semiconductor body and extends to the transverse edge where the second doped zone band is in contact with the drift region.

【技术实现步骤摘要】
具有阶梯状边缘终端的半导体器件，以及用于制造半导体器件的方法
本文所描述的实施例涉及在沟槽底部处具有带有沟道停止器的边缘终端的半导体器件，以及用于制造这种半导体器件的方法。
技术介绍
高压器件在管芯边缘处需要可靠的边缘终端以确保器件能够可靠地阻断高电压。边缘终端将会减轻有效区域和切口或锯缘之间的电场强度，且将会防止锯缘处任何过多的场增加。通常情况下，边缘终端适于塑造电场，使得电位线朝着器件表面转向，而没有电位线的任何强烈的弯曲或拥挤，以便防止在半导体衬底中的雪崩生成或钝化层中的电介质击穿。边缘终端结构中的关键拓扑区域是可能生成高达若干MV/cm的峰值场强的阶梯和边缘。平面边缘终端是用以减少电场强度的常用技术，其采用置于器件顶表面上的场板或变化的横向掺杂来适应半导体器件表面处的电场强度。平面边缘终端所需的空间是高的，以防止用于雪崩击穿的临界值之上的电场强度的任何局部增加。为了保持电位线的曲率足够小，器件的边缘终端区带需要约200-250μm的横向宽度，其能够用于阻断600V。对于6.5kV的阻断电压，所需的横向宽度增加至约2000微米。另一方法使用所谓的台式边缘终端，其中电场强度减轻至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体本体，其包括第一侧面、第二侧面、在横向方向上对所述半导体本体进行划界的横向边缘、有效区域以及置于所述有效区域和所述横向边缘之间的边缘终端；形成在所述半导体本体中的第一导电类型的漂移区；所述边缘终端包括：阶梯，其在所述半导体本体的第一侧面和所述横向边缘之间被形成在所述半导体本体中，所述阶梯包括延伸直到所述半导体本体的第一侧面的横向表面和延伸直到所述半导体本体的横向边缘的底面；第二导电类型的第一掺杂区带，其沿着所述阶梯的横向表面被形成在所述半导体本体中，并形成具有所述漂移区的pn结；以及第一导电类型的第二掺杂区带，其至少沿着所述阶梯的底面的一部分被形成在所述半导体本体中...

【技术特征摘要】
2012.12.13 US 13/7138671.一种半导体器件，包括：半导体本体，其包括第一侧面、第二侧面、在横向方向上对所述半导体本体进行划界的横向边缘、有效区域以及置于所述有效区域和所述横向边缘之间的边缘终端；形成在所述半导体本体中的第一导电类型的漂移区；所述边缘终端包括：阶梯，其在所述半导体本体的第一侧面和所述横向边缘之间被形成在所述半导体本体中，所述阶梯包括延伸直到所述半导体本体的第一侧面的横向表面和延伸直到所述半导体本体的横向边缘的底面；第二导电类型的第一掺杂区带，其沿着所述阶梯的横向表面被形成在所述半导体本体中，并形成具有所述漂移区的pn结；以及第一导电类型的第二掺杂区带，其至少沿着所述阶梯的底面的一部分被形成在所述半导体本体中，并延伸直到所述半导体本体的横向边缘，所述第二掺杂区带与所述漂移区接触。2.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括形成在所述半导体本体中并形成具有所述漂移区的pn结的第二导电类型的第一掺杂区，其中所述第一掺杂区邻接所述第一掺杂区带。3.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括所述阶梯中填充的绝缘材料，其中所述绝缘材料横向延伸直到所述半导体本体的横向边缘。4.根据权利要求3的半导体器件，进一步包括在所述半导体本体的第一侧面处覆盖所述绝缘材料的钝化层。5.根据权利要求1的半导体器件，其中所述漂移区具有垂直延伸，并且其中所述阶梯从所述半导体本体的第一侧面垂直延伸到所述漂移区的垂直延伸的一半的深度。6.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括第二导电类型的第三掺杂区带，其沿着所述阶梯的底面的一部分被形成在所述半导体本体中，并延伸直到所述阶梯的横向表面，其中所述第三掺杂区带形成具有所述漂移区的pn结并邻接所述第一掺杂区带。7.根据权利要求6的半导体器件，其中所述第三掺杂区带具有比所述第一掺杂区带的掺杂浓度更高的掺杂浓度。8.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第二掺杂区带具有横向变化的掺杂浓度。9.根据权利要求8的半导体器件，其中所述第二掺杂区带的掺杂浓度朝向所述横向边缘增加。10.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括场板，其被置于所述半导体本体的第一侧面上且至少部分地覆盖所述阶梯。11.根据权利要求2的半导体器件，进一步包括场板，其被置于所述半导体本体的第一侧面上且与所述第一掺杂区带电接触，所述场板至少部分地覆盖所述阶梯。12.根据权利要求3的半导体器件，进一步包括所述半导体本体和所述绝缘材料之间的在所述阶梯的横向表面和底面上的钝化区。13.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括沿着所述半导体本体的横向边缘的垂直场板。14.一种半导体器件，包括：半导体本体，其包括第一侧面、第二侧面、在横向方向上对所述半导体本体进行划界的横向边缘、有效区域、以及置于所述有效区域和所述横向边缘之间的边缘终端；形成在所述半导体本体中的第一导电类型的漂移区；所述边缘终端包括：阶梯，其在所述半导体本体的第一侧面和所述横向边...

【专利技术属性】
技术研发人员：G施密特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE