边缘场切换模式液晶显示器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种边缘场切换（ＦＦＳ）模式液晶显示器（ＬＣＤ）及其制造方法。ＦＦＳ模式ＬＣＤ包括透明公共电极、电连接于透明公共电极的导电反射结构以及形成于导电反射结构上并包括多个狭缝的透明像素电极。透明公共电极形成于包括数据线和栅极线的区域上，使各单位像素区域可以互相电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及增加了开口率和内部反射系数以提高室外可见性的边缘场切换(FFS) 模式液晶显示器(LCD)及其制造方法。
技术介绍
一般而言，人们提出FFS模式IXD以提高平面内切换(IPS)模式IXD的开口率和透射率。FFS模式LCD可包括由透明导电材料形成的公共电极(或对向电极)和像素电极， 从而与IPS模式IXD相比增加开口率和透射率。而且，公共电极与像素电极之间的距离可控 制为小于上下玻璃基板之间的距离，以便可以在公共电极与像素电极之间形成边缘场。这 样，可控制存在于电极上的每个液晶(LC)分子，从而提高透射率。例如在由本申请人提交并注册的韩国专利341123号、855782号以及849599号中 公开了传统FFS模式IXD。参照上述一些专利，韩国专利855782号公开了一种FFS模式IXD，其包括透明公共 电极和隔着绝缘层布置于透明公共电极上方的透明像素电极。在FFS模式IXD中，LC层进 行摩擦的方向可处于基于栅极线的方向5°以内，透明公共电极的一端可布置于数据线和 透明像素电极之间，且可根据数据线控制透明公共电极和透明像素电极之间的距离，以提 高数据线周围的开口率和光透射率。而且，韩国专利849599号公开了一种FFS模式IXD，在该IXD中，对数据线、数据线 周围的透明公共电极和透明像素电极的宽度和排列进行控制，以便可以以不同于像素区域 中央的LC驱动模式的LC驱动模式来驱动数据线周围的LC。这样，可去除形成于数据线上 方的遮光层，且可避免漏光。在韩国专利855782号和849599号中公开的FFS模式IXD可以增加室外可见性和 开口率，并可以以低功耗运行。然而，提高性能的一些问题依然未得到解决。首先，由于减少或去除了遮光层，会减少与上下板对准所需要的边缘。这样会引起 混色，并从而增加了故障率。根据韩国专利849599号，在数据线的台阶部分的摩擦可能进 行地不完全。由于摩擦不完全，在数据线的台阶部分中，尤其是与摩擦方向相反的数据线侧 会出现漏光。因此，仍需要开发新的FFS模式IXD来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种具有新的堆叠结构和设计的边缘场切换(FFS)模式液晶显示器(LCD)。而且，本专利技术旨在提供一种FFS模式LCD，其使形成于数据线上方的遮光层被去除 或最小化，以提高开口率并降低功耗。此外，本专利技术旨在提供一种FFS模式IXD，该IXD中的导电反射区尽可能地形成于 除了透射区以外的区域(例如栅极线和数据线)上，以使反射区的面积最大化，以增强室外 可见性。此外，本专利技术旨在提供一种FFS模式LCD，其使漏光和混色最小化，以提高屏幕质量。根据本专利技术的一方面，提供了一种边缘场切换(FFS)模式液晶显示器(IXD)，其包 括下基板、上基板和夹在下基板和上基板之间的液晶(LC)层，其中各像素区域由彼此交叉 的栅极线和数据线限定于下基板上，且栅极线和数据线之间的每个交叉点处布置有包括漏 极、源极和沟道区的开关器件，该FFS模式LCD包括透明公共电极，其至少隔着第一层间绝 缘层布置于包括栅极线和数据线的整个区域上方；导电反射结构，其连接于透明公共电极， 并布置于包括开关器件的一部分的数据线和栅极线上方；以及透明像素电极，其至少隔着 第二层间绝缘层布置于透明公共电极和导电反射结构上方的每个像素区域中，该透明像素 电极包括多个狭缝，并电连接于开关器件的漏极。导电反射结构可覆盖漏极的边缘区的至少一部分。透明像素电极的多个狭缝可与栅极线形成预定角度，且LC层进行摩擦的方向可 大致平行于栅极线的方向。导电反射结构可覆盖开关器件的除了开关器件的漏极的部分区域之外的区域，以 使透明像素电极电连接于开关器件的漏极。导电反射结构可覆盖开关器件的除了开关器件的漏极的一部分和沟道区以外的 区域。根据本专利技术的另一方面，提供了一种边缘场切换(FFS)模式液晶显示器(IXD)的 制造方法，所述LCD包括下基板、上基板和夹在下基板和上基板之间的液晶(LC)层，其中 各像素区域由彼此交叉的栅极线和数据线限定于下基板上，且栅极线和数据线之间的每个 交叉点处布置有包括漏极、源极和沟道区的开关器件，所述方法包括在下基板上形成栅极 线和栅极；在具有栅极线和栅极的下基板上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成包括漏 极、源极和沟道区的开关器件和数据线；在包括开关器件和数据线的整个如此形成的结构 上的除了开关器件一部分以外的部分，至少隔着第一绝缘层，形成透明公共电极；在数据 线、栅极线和开关器件的一部分区域上方形成导电反射结构，以电连接于透明公共电极；以 及在包括导电反射结构的如此形成的结构上的每个像素区域上，至少隔着第二绝缘层，形 成透明像素电极，所述透明像素电极包括多个狭缝并电连接于开关器件的漏极。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施方式，使本专利技术的上述和其它目的、特征和优 点对于本领域的普通技术人员而言更加显而易见，在附图中图1是形成于本专利技术的示例性实施方式的液晶显示器(LCD)的下基板上的像素区 域的平面图2A 图2C分别是沿图1的A-A ‘线、B-B ‘线和C-C ‘线的横剖面图；图3A 图3G是表示根据本专利技术的示例性实施方式的LCD的制造方法的平面图；图4是形成于本专利技术另一示例性实施方式的LCD的下基板上的像素区域的平面 图；图5A是沿图4的A-A'线的横剖面图，图5B是图示在根据本专利技术的另一示例性实 施方式的LCD的制造方法中形成导电反射结构的步骤的平面图；以及图6和图7是形成于本专利技术的其它示例性实施方式的LCD的下基板上的像素区域 的平面图。具体实施例方式下面参照附图，详细描述本专利技术的示例性实施方式。尽管结合示例性实施方式图 示并描述了本专利技术，然而本领域的技术人员应当明白，在不脱离本专利技术的精神和范围的情 况下，可以作出各种改变。根据本专利技术的示例性实施方式的液晶显示器(LCD)可包括下基板、上基板以及下 基板和上基板之间的液晶(LC)层，且像素区域可由形成为彼此交叉以便对LC层施加电压 的栅极线和数据线限定于下基板上。图1是形成于本专利技术的示例性实施方式的LCD的下基板上的像素区域的平面图。 图2A 图2C分别是沿图1的A-A'线、B-B'线和C-C'线的横剖面图。参照图1和图2A 图2C，本实施方式的FFS模式IXD可包括在下基板100上布置 为彼此交叉的栅极线120和数据线150，并且作为开关器件的薄膜晶体管(TFT)设于栅极线 120和数据线150之间的交叉点处。透明公共电极170和透明像素电极200可布置于栅极线120和数据线150所限定 的每个单位像素区域中，透明公共电极170和透明像素电极200之间设有层间绝缘层190。 透明像素电极200可以是包括形成为朝着数据线150方向的多个狭缝的狭缝型电极。尽管 不具体限制透明公共电极170的形状，但是透明公共电极170可以是板状。而且，导电反射结构180可以布置于透明公共电极170上且电连接于透明公共电 极170，以提高反射系数和开口率。可在下基板100上方距下基板100预定距离处形成上基板(未图示)。上基板可 包括滤色器和保护层，并隔着包括多个LC分子的LC层结合到下基板100上。本实施方式的主要特征在于透明公共电极170、透明像素电极200以及导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种边缘场切换模式液晶显示器，其包括下基板、上基板与夹在所述下基板和所述上基板之间的液晶层，其中各像素区域由彼此交叉的栅极线和数据线限定于所述下基板上，且所述栅极线和所述数据线之间的每个交叉点处布置有包括漏极、源极和沟道区的开关器件，所述边缘场切换模式液晶显示器包括：透明公共电极，其至少隔着第一层间绝缘层布置于包括所述栅极线和所述数据线的整个区域上方；导电反射结构，其电连接于所述透明公共电极，并布置于包括所述开关器件的一部分的所述数据线和所述栅极线上方；以及透明像素电极，其在每个所述像素区域中至少隔着第二层间绝缘层布置于所述透明公共电极和所述导电反射结构上方，所述透明像素电极包括多个狭缝，并电连接于所述开关器件的所述漏极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林茂植，徐东邂，崔大林，朴种均，崔修荣，
申请(专利权)人：海帝士科技公司，
类型：发明
国别省市：KR