ＦＦＳ模式ＬＣＤ及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种ＦＦＳ模式ＬＣＤ及其制造方法。所述ＬＣＤ包括下基板、上基板以及设置于它们之间的液晶层，所述下基板包括单位像素区域以及开关装置，所述ＬＣＤ还包括：设置于所述像素区域中的透明像素电极和透明共用电极，它们隔开并在预定区域中重叠，在它们之间夹置有绝缘层；以及透明辅助电容式电极，与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明辅助电容式电极与所述透明像素电极之间夹置有栅极绝缘层；其中所述透明辅助电容式电极通过接触孔电连接至所述下基板外周边非显示区域上的共用总线，且所述共用总线连接至所述透明共用电极。本发明专利技术通过减小栅极线及数据线的负载并增大传统的存储电容，能够有效地改善图像质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种FFS (Fringe Field Switching，边缘场切换)模式 LCD (Liquid Crystal Display Device，液晶显示装置)及其制造方法，更具体而言，涉及一种通过减小 栅极线及数据线的负载并增大传统的存储电容Cst而能够有效地改善图像质量的FFS模式 IXD及其制造方法。
技术介绍
总体而言，为改善面内切换(IPS)模式IXD的低开口率及透射率，已提出一种FFS 模式IXD，并且与此种FFS模式IXD有关的技术已作为韩国专利申请第1998-0009243号提 出申请。同时，由本申请人提出并获得授权的韩国专利登记第0849599号(其名称为“FFS 模式IXD (FFS Mode IXD) ”)揭露了一种FFS模式IXD，此种FFS模式IXD能够以差动方式驱 动邻近数据线的液晶与邻近像素区域的液晶，以消除形成于数据线上的黑底并防止漏光。亦即，图1为传统FFS模式IXD的下基板的像素区域的一部分的平面图，图2为图 1的沿线1-1’截取的剖面图，图3则为图1的沿线11-11’截取的剖面图。参见图1至图3，由不透明金属形成的栅极线G与数据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＦＦＳ模式ＬＣＤ，其包括下基板、上基板以及设置于所述下基板与所述上基板之间的液晶层，所述下基板包括单位像素区域以及开关装置，所述单位像素区域由形成为相互交叉的栅极线与数据线界定，所述开关装置设置于所述栅极线与所述数据线的交叉点处，所述ＬＣＤ还包括：透明像素电极及透明共用电极，所述透明像素电极设置于所述像素区域中，用于通过对所述液晶层施加电场来调整透光率，所述透明共用电极与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明像素电极与所述透明共用电极之间夹置有绝缘层，以及透明辅助电容式电极，与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明辅助电容式电...

【技术特征摘要】
KR 2009-10-8 10-2009-0095554;KR 2010-6-9 10-2010-01.一种FFS模式IXD，其包括下基板、上基板以及设置于所述下基板与所述上基板之间 的液晶层，所述下基板包括单位像素区域以及开关装置，所述单位像素区域由形成为相互 交叉的栅极线与数据线界定，所述开关装置设置于所述栅极线与所述数据线的交叉点处， 所述IXD还包括透明像素电极及透明共用电极，所述透明像素电极设置于所述像素区域中，用于通过 对所述液晶层施加电场来调整透光率，所述透明共用电极与所述透明像素电极间隔开并在 预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明像素电极与所述透明共用电极之间夹置 有绝缘层，以及透明辅助电容式电极，与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电 极重叠，在所述透明辅助电容式电极与所述透明像素电极之间夹置有栅极绝缘层，其中所述透明辅助电容式电极通过接触孔电连接至共用总线，所述共用总线形成于所 述下基板外周边的非显示区域上，且所述共用总线连接至所述透明共用电极。2.如权利要求1所述的FFS模式LCD，其中平行于所述栅极线设置在所述像素区域中 的所述透明辅助电容式电极相互电连接。3.—种FFS模式IXD，其包括下基板、上基板以及设置于所述下基板与所述上基板之间 的液晶层，所述下基板包括单位像素区域和开关装置，所述单位像素区域由形成为相互交 叉的栅极线与数据线界定，所述开关装置设置于所述栅极线与所述数据线的交叉点处，所 述IXD还包括用于减小电阻的共用线，与所述栅极线设置于同一层上并与每一栅极线间隔开；透明像素电极及透明共用电极，所述透明像素电极设置于所述单位像素区域中，用于 通过对所述液晶层施加电场来调整透光率，所述透明共用电极与所述透明像素电极间隔开 并在预定区域中与所述透明像素电极重叠，在所述透明像素电极与所述透明共用电极之间 夹置有绝缘层；以及透明辅助电容式电极，与所述透明像素电极间隔开并在预定区域中与所述透明像素电 极重叠，在所述透明辅助电容式电极与所述透明像素电极之间夹置有栅极绝缘层；其中所述透明辅助电容式电极被形成为覆盖所述用于减小电阻的共用线的一部分，从 而电连接至所述用于减小电阻的共用线。4.如权利要求3所述的FFS模式LCD，其中所述透明共用电极通过接触孔电连接至所 述透明辅助电容式电极，所述接触孔形成于所述绝缘层及所述栅极绝缘层上。5.如权利要求1所述的FFS模式LCD，其中所述透明共用电极包括多个具有预定宽度 的狭缝。6.如权利要求3所述的FFS模式LCD，其中所述透明共用电极包括多个具有预定宽度 的狭缝。7.如权利要求1所述的FFS模式LCD，其中所述透明辅助电容式电极具有在平面图中 包含于所述透明像素电极中的区域。8.如权利要求3所述的FFS模式LCD，其中所述透明辅助电容式电极具有在平面图中 包含于所述透明像素电极中的区域。9.如权利要求1所述的FFS模式IXD，其中所述透明像素电极为板状。10.如权利要求3所述的FFS模式IXD，其中所述透明像素电极为板状。11.如权利要求1所述的FFS模式LCD，其中所述透明像素电极与所述数据线形成于同一层上。12.如权利要求3所述的FFS模式LCD，其中所述透明像素电极与所述数据线形成于同一层上。13.—种制造FFS模式IXD的方法，所述FFS模式IXD包括下基板、上基板以及设置于 所述下基板与所述上基板之间的液晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：田旼暻，金戊瑽，
申请(专利权)人：海帝士科技公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]