一种新型阴极钼筒结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种新型阴极钼筒结构及其制造方法，属于电真空器件中阴极制造技术领域。钼筒本体的顶部开设有一台阶孔，钼筒本体的底部开设有一底孔，底孔内开设有等间距排列的圆台孔；本发明专利技术实现将钨基体焊接到台阶孔上，将热子及绝缘粉料烧结到等间距排列的圆台孔中，使得热子组件和阴极发射基体成为一个整体结构，热子组件和阴极发射基体距离仅为0.1mm‑0.2mm，大大提高热子组件的热利用率，降低热子组件和阴极基体间的温差，延长热子寿命，同时可使得阴极达到快速热启动；用于烧结热子的等间距排列的圆台孔设计成倒锯齿状，绝缘粉烧结熔化后能牢固的附着在圆台孔侧壁上，极大地避免发生热子绝缘层脱落现象，进而大大提高了阴极组件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种新型阴极钼筒结构及其制造方法，属于电真空器件中阴极制造

技术介绍
现代大功率微波器件中钡钨阴极被广泛地应用，用作电子源发射电子，是微波器件的“心脏”。钡钨阴极结构大多数采用的是间热式阴极，通常的制备方法是先将钨粉压制到钼筒中形成基体，然后在高温状态下向基体中浸渍铝酸钡盐，之后通过机械加工方法车削发射面，再之后通过溅射镀膜方法对阴极发射面进行刻蚀镀膜，最后在钼筒中安装热子组件及组装焊接辅助热屏后即完成制作。这种间热式阴极结构由于热子组件和阴极没有形成一体结构，存在热子组件热量利用低下，热子组件和阴极之间的温度差偏大，达到200℃～300℃之多，因此引起热子热量的浪费，降低热效率，同时又增加了热子烧毁的风险，阴极可靠性变差。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种新型阴极钼筒结构及其制造方法，该结构通过技术改进，可将钨基体焊接到钼筒本体上，同时将热子及绝缘粉料烧结到阴极钼筒中，使得热子组件和阴极发射基体成为一个整体结构，这样可以大大提高热子组件的热利用率，降低热子组件和阴极基体间的温差，延长热子寿命，同时可使得阴极达到快速热启动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型阴极钼筒结构，其特征在于，包括钼筒本体、钨基体、热子和绝缘层；所述钼筒本体为圆柱体，所述钼筒本体的直径为D1，所述钼筒本体的高为H1；在所述钼筒本体的顶部外侧壁上以所述钼筒本体的轴线为轴心沿圆周方向开设有一环形槽，所述环形槽的内直径为D3，D3＜D1，所述环形槽内开设有一台阶孔，所述台阶孔的内直径为D4，D4＜D3，所述台阶孔的深度为h2；在所述钼筒本体的底壁上以所述钼筒本体的轴线为轴心开设有一底孔，所述底孔为圆柱体，所述底孔的直径为D2，D2＜D1，所述底孔高度为h1，H1＞h1+h2；在所述底孔的上部沿所述底孔侧壁所在方向开设有N个等间距排列的圆台孔，N＞1，所述圆台孔的高度为h4...

【技术特征摘要】
1.一种新型阴极钼筒结构，其特征在于，包括钼筒本体、钨基体、热子和绝缘层；所述钼筒本体为圆柱体，所述钼筒本体的直径为D1，所述钼筒本体的高为H1；在所述钼筒本体的顶部外侧壁上以所述钼筒本体的轴线为轴心沿圆周方向开设有一环形槽，所述环形槽的内直径为D3，D3＜D1，所述环形槽内开设有一台阶孔，所述台阶孔的内直径为D4，D4＜D3，所述台阶孔的深度为h2；在所述钼筒本体的底壁上以所述钼筒本体的轴线为轴心开设有一底孔，所述底孔为圆柱体，所述底孔的直径为D2，D2＜D1，所述底孔高度为h1，H1＞h1+h2；在所述底孔的上部沿所述底孔侧壁所在方向开设有N个等间距排列的圆台孔，N＞1，所述圆台孔的高度为h4，所述圆台孔的上底面直径为D6，D6＜D1，所述圆台孔的下底面直径为D5，D6＜D5＜D1，所述圆台孔的侧壁与底壁夹角为A，N×h4＜h1；所述钨基体设置在所述台阶孔内，所述热子设置在所述圆台孔内，所述绝缘层设置在所述热子与所述圆台孔之间。2.根据权利要求1所述的一种新型阴极钼筒结构，其特征在于，H1-h1-h2的范围为0.1mm-0.2mm。3.根据权利要求1所述的一种新型阴极钼筒结构，其特征在于，D1=4.2-0.02mm，D2=3.8mm，D3=3.5-0.05mm，D4=3+0.02mm，H1=5mm，h1=4.4mm，h2=0.4mm，h4=0.4mm，N=9。4.根据权利要求1和3任一所述的一种新型阴极钼筒结构，其特征在于，A范围为7°-10°，D6...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏康，孟昭红，周秋君，朱刚，贺兆昌，
申请(专利权)人：安徽华东光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：安徽;34