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一种新型阴极钼筒结构及其制造方法技术
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文档序号:14004767
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本发明涉及一种新型阴极钼筒结构及其制造方法,属于电真空器件中阴极制造技术领域。钼筒本体的顶部开设有一台阶孔,钼筒本体的底部开设有一底孔,底孔内开设有等间距排列的圆台孔;本发明实现将钨基体焊接到台阶孔上,将热子及绝缘粉料烧结到等间距排列的圆台...
该专利属于安徽华东光电技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过安徽华东光电技术研究所授权不得商用。
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