一种芯片封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种芯片封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，其中，所述芯片封装结构包括：芯片，所述芯片包括有源面、与所述有源面对向设置的非有源面以及连接所述有源面与所述非有源面的侧面，连接所述侧面上下两个边沿的平面与所述有源面不垂直；焊盘，位于所述芯片的有源面上；焊球，位于所述焊盘上，通过所述焊盘与所述芯片电连接；封装层，位于所述芯片上远离所述焊盘的一侧，且所述封装层包覆所述芯片的非有源面和侧面。采用上述技术方案，连接侧面上下两个边沿的平面与有源面不垂直，可以增大侧面的表面积，保证芯片的侧面与封装层保持较大的接触面积，提高芯片与封装层的粘接强度，提升封装效果。

Chip packaging structure and preparation method thereof

The embodiment of the invention discloses a chip packaging structure and a preparation method thereof, and relates to the technical field of semiconductor packaging, which comprises the chip package structure: chip, the chip includes an active surface, and the active face to the non active surface setting and connecting the source surface and the non active surface the side is connected with the side edge of the two plane with the active surface is not vertical; pad is positioned on the active surface of the chip; the solder ball, positioned on the pad, the pad and the chip is electrically connected; encapsulation layer positioned on the chip away the one side of the pad, and the encapsulation layer is covered on the chip surface and non active side. By adopting the technical scheme, side plane and active two edges are not perpendicular to the surface, the side can increase the surface area, ensure the side and the encapsulation layer chip to maintain a larger contact area, improve the adhesive strength and chip encapsulation layer, enhance the packaging effect.

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装结构及其制备方法
本专利技术实施例涉及半导体封装
，尤其涉及一种芯片封装结构及其制备方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展以及消费电子市场的驱动，封装技术向更轻、更薄、体积更小、电热性能更优良的方向发展。芯片封装工艺由逐个芯片封装向晶圆级封装转变，而晶圆片级芯片规模封装(WaferLevelChipScalePackaging，WLCSP)，简称晶圆级芯片封装因具有高密度、体积小、可靠性高、电热性能优良等优点而正好满足封装工艺的要求而逐渐成为目前最先进也是最重要的封装形式之一。但是，现有技术中，WLCSP存在封装效果较差的技术问题，封装造成的晶粒崩角现象比较严重，影响WLCSP的后续测试及使用。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种芯片封装结构及其制备方法，以解决现有技术中WLCSP封装效果较差的技术问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种芯片封装结构，包括：芯片，所述芯片包括有源面、与所述有源面对向设置的非有源面以及连接所述有源面与所述非有源面的侧面，连接所述侧面上下两个边沿的平面与所述有源面不垂直；焊盘，位于所述芯片的所述有源面上；焊球，位于所述焊盘上，通过所述焊盘与所述芯片电连接；封装层，位于所述芯片上远离所述焊盘的一侧，且所述封装层包覆所述芯片的非有源面和侧面。可选的，所述芯片的所述侧面的截面形状为直线形、阶梯形或者弧形。可选的，当所述芯片的所述侧面的截面形状为阶梯形时，所述侧面包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面靠近所述有源面，所述第二侧面远离所述有源面，所述第一侧面的垂直高度为200-400μm。可选的，所述芯片封装结构还包括焊盘扩展层，位于所述芯片的所述有源面上且与所述焊盘电连接；所述焊球位于所述焊盘和所述焊盘扩展层上，通过所述焊盘和所述焊盘扩展层与所述芯片电连接。可选的，所述焊盘包括边缘焊盘和中心焊盘，所述边缘焊盘位于所述有源面的边缘区域，所述中心焊盘位于所述有源面的中心区域；所述焊盘扩展层包括边缘焊盘扩展层和中心焊盘扩展层，所述边缘焊盘扩展层位于所述边缘焊盘远离所述有源面的中心位置的一侧，所述中心焊盘扩展层包围所述中心焊盘且与所述中心焊盘中心对准。可选的，所述边缘焊盘扩展层的长度范围为150μm-250μm。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种芯片封装结构的制备方法，包括：提供一晶圆基板，并在所述晶圆基板上制备焊盘；在所述晶圆基板的切割位置制备开口，并在所述开口位置对所述晶圆基板进行切割，得到多个芯片；每个所述芯片包括有源面、与所述有源面对向设置的非有源面以及连接所述有源面与所述非有源面的侧面，连接所述侧面上下两个边沿的平面与所述有源面不垂直；将多个所述芯片以所述有源面朝下的方式贴装在衬底上；在所述衬底上制备封装层，所述封装层包覆多个所述芯片的非有源面和侧面；拆除所述衬底，露出所述芯片的所述有源面及所述焊盘；在对应所述焊盘的位置制备焊球，所述焊球通过所述焊盘与所述芯片电连接，得到所述晶圆基板的封装结构；将所述晶圆基板的封装结构进行切割，得到所述芯片的封装结构。可选的，所述开口的截面形状为三角形、矩形、梯形或者圆弧形。可选的，所述开口的深度为200-400μm。可选的，所述在对应所述焊盘的位置制备焊球，所述焊球通过所述焊盘与所述芯片电连接，包括：在每个所述芯片的有源面上制备焊盘扩展层，所述焊盘扩展层与所述焊盘电连接；在对应所述焊盘和所述焊盘扩展层的位置制备焊球，所述焊球通过所述焊盘和所述焊盘扩展层与所述芯片电连接。可选的，所述焊盘包括边缘焊盘和中心焊盘，所述边缘焊盘位于所述有源面的边缘区域，所述中心焊盘位于所述有源面的中心区域；在每个所述芯片的有源面上制备焊盘扩展层，包括：在所述边缘焊盘远离所述有源面中心位置的一侧制备边缘焊盘扩展层，所述边缘焊盘扩展层与所述边缘焊盘电连接；在所述中心焊盘的四周制备中心焊盘扩展层，所述中心焊盘扩展层与所述中心焊盘电连接且与所述中心焊盘中心对准。可选的，所述边缘焊盘扩展区的长度范围为150μm-250μm。本专利技术实施例提供的芯片封装结构及其制备方法，芯片封装结构包括芯片、焊盘、焊球以及封装层，芯片包括有源面、与有源面对向设置的非有源面以及连接有源面与非有源面的侧面，封装层包覆芯片的非有源面和侧面，设置连接侧面上下两个边沿的平面与有源面不垂直以及封装层包覆芯片的非有源面和侧面，可以增加芯片的侧面的表面积，保证芯片的侧面与封装层保持较大的接触面积，提高芯片与封装层的粘接强度，提升封装效果，解决现有技术中WLCSP封装效果较差的技术问题。附图说明为了更加清楚地说明本专利技术示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本专利技术所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。图1是本专利技术实施例一提供的一种芯片封装结构的剖面结构示意图；图2是本专利技术实施例二提供的一种芯片封装结构的剖面结构示意图；图3是本专利技术实施例二提供的一种芯片封装结构的俯视结构示意图；图4是本专利技术实施例三提供的一种芯片封装结构的制备方法的流程示意图；图5是本专利技术实施例三提供的在晶圆基板上制备焊盘的剖面示意图；图6是本专利技术实施例三提供的在晶圆基板的切割位置制备开口的剖面示意图；图7是本专利技术实施例三提供的在开口位置对晶圆基板进行切割，得到多个芯片的剖面示意图；图8是本专利技术实施例三提供的将芯片贴装在衬底上的剖面示意图；图9是本专利技术实施例三提供的在衬底上制备封装层的剖面示意图；图10是本专利技术实施例三提供的拆除衬底的剖面示意图；图11是本专利技术实施例三提供的在对应焊盘的位置制备焊球的剖面示意图；图12是本专利技术实施例三提供的切割晶圆基板的封装结构，得到芯片的封装结构的剖面示意图；图13是本专利技术实施例四提供的一种芯片封装结构的制备方法的流程示意图；图14是本专利技术实施例四提供的在芯片的有源面上制备焊盘扩展区的剖面示意图；图15是本专利技术实施例四提供的在焊盘和焊盘扩展层的位置制备焊球的剖面示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本专利技术实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本专利技术的技术方案。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本专利技术的保护范围之内。实施例一图1是本专利技术实施例一提供的一种芯片封装结构的剖面结构示意图，具体的，本专利技术实施例一提供一种芯片封装结构，如图1所示，本专利技术实施例提供的芯片封装结构可以包括：芯片10，芯片10包括有源面101、与有源面101对向设置的非有源面102以及连接有源面101与非有源面102的侧面103，连接侧面103上下两个边沿的平面与有源面101不垂直；焊盘20，位于芯片10的有源面101上；焊球30，位于焊盘20上，通过焊盘20与芯片10电连接；封装层40，位于芯片10上远离焊盘20的一侧，封装层40包覆芯片10的非有源面102和侧面103。示例性的，芯片10包括有源面101、与有源面101对向设置的非有源面102以及连接有源面101和非有源面102的侧面103，有源面101和非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片包括有源面、与所述有源面对向设置的非有源面以及连接所述有源面与所述非有源面的侧面，连接所述侧面上下两个边沿的平面与所述有源面不垂直；焊盘，位于所述芯片的所述有源面上；焊球，位于所述焊盘上，通过所述焊盘与所述芯片电连接；封装层，位于所述芯片上远离所述焊盘的一侧，且所述封装层包覆所述芯片的非有源面和侧面。

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片包括有源面、与所述有源面对向设置的非有源面以及连接所述有源面与所述非有源面的侧面，连接所述侧面上下两个边沿的平面与所述有源面不垂直；焊盘，位于所述芯片的所述有源面上；焊球，位于所述焊盘上，通过所述焊盘与所述芯片电连接；封装层，位于所述芯片上远离所述焊盘的一侧，且所述封装层包覆所述芯片的非有源面和侧面。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片的所述侧面的截面形状为直线形、阶梯形或者弧形。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，当所述芯片的所述侧面的截面形状为阶梯形时，所述侧面包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面靠近所述有源面，所述第二侧面远离所述有源面，所述第一侧面的垂直高度为200-400μm。4.根据权利要去1所述的封装结构，其特征在于，还包括：焊盘扩展层，位于所述芯片的所述有源面上且与所述焊盘电连接；所述焊球位于所述焊盘和所述焊盘扩展层上，通过所述焊盘和所述焊盘扩展层与所述芯片电连接。5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊盘包括边缘焊盘和中心焊盘，所述边缘焊盘位于所述有源面的边缘区域，所述中心焊盘位于所述有源面的中心区域；所述焊盘扩展层包括边缘焊盘扩展层和中心焊盘扩展层，所述边缘焊盘扩展层位于所述边缘焊盘远离所述有源面的中心位置的一侧，所述中心焊盘扩展层包围所述中心焊盘且与所述中心焊盘中心对准。6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述边缘焊盘扩展层的长度范围为150μm-250μm。7.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一晶圆基板，并在所述晶圆基板上制备焊盘；在所述晶圆基板的切割位置制备开口，并在所述开口位置对所述晶圆基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙鹏，任玉龙，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32