【技术实现步骤摘要】
本专利技术总的来说涉及半导体制造。具体而言，本专利技术涉及一种构造垂直互连封装结构的方法及相应结构。
技术介绍
1、随着人工智能、虚拟现实等领域中大算力芯片的快速发展和应用，芯片存算一体的发展趋势日趋明显，这对集成电路系统内专用集成电路(asic)芯片与双倍数据速率(ddr)芯片或者高带宽内存(hbm)模组之间的互连密度提出更高要求。因此如何提高封装互连密度，同时降低工艺难度和成本，成为了目前需要迫切解决的问题。
2、硅桥芯片是一种能够实现d2d(die-to-die)高密度互连的半导体芯片，目前得到了广泛的应用。传统的硅桥芯片互连封装结构，在构造过程中通常是在基板内挖孔后埋入硅桥芯片，存在互连密度有限、工艺难度大的问题。此外，在传统的硅桥芯片互连封装结构中，由于集成线路(ic，integrated circuit chip)芯片、基板等部件与塑封材料之间的热膨胀系数失配，导致封装翘曲和热应力的产生，这不利于后续工艺的实施，导致产品的良率降低，并且严重影响了产品的可靠性。
技术实现思路
1、为至少部分解决现有技术中的上述问题，本专利技术提出一种构造垂直互连封装结构的方法，包括下列步骤：
2、在载板上布置第一芯片以及第二芯片；
3、在第一芯片以及第二芯片上布置硅桥芯片；
4、对载板进行塑封以形成塑封层，并且在所述塑封层上构造垂直互连电气结构，其中所述塑封层将所述第一芯片、第二芯片以及硅桥芯片包覆；以及
5、在所述塑封层上布置
6、在本专利技术中，术语“垂直互连”是指在垂直方向上相互连接。
7、在本专利技术一个实施例中规定，在载板上布置第一芯片以及第二芯片包括下列步骤：
8、在载板上涂敷键合胶以形成临时键合层；以及
9、将第一芯片以及第二芯片布置在所述临时键合层上。
10、在本专利技术一个实施例中规定，所述第一芯片以及第二芯片的第一面上设有多个微凸点，其中将所述第一芯片以及第二芯片的与第一面相对的第二面与所述临时键合层连接。
11、在本专利技术一个实施例中规定，硅桥芯片的第一面上设有多个微凸点，其中在第一芯片以及第二芯片上布置硅桥芯片包括：
12、将硅桥芯片的与第一面相对的第二面与第一部分的所述第一芯片以及第二芯片的多个微凸点连接。
13、在本专利技术一个实施例中规定，在所述塑封层上构造垂直互连电气结构包括：
14、在所述塑封层上构造多个穿塑通孔，其中将所述穿塑通孔垂直连接至第二部分的所述第一芯片以及第二芯片的多个微凸点；以及
15、在所述穿塑通孔内填充导电材料。
16、在本专利技术一个实施例中规定，在所述穿塑通孔内填充导电材料包括电镀铜金属。
17、在本专利技术一个实施例中规定，在所述塑封层上构造垂直互连电气结构还包括：
18、将所述塑封减薄以使所述穿塑通孔以及所述硅桥芯片的第一面上的微凸点裸露。
19、在本专利技术一个实施例中规定，在所述塑封层上布置重分布层包括：
20、在所述塑封层上构造重分布层，并且在所述重分布层上构造球栅阵列，其中将所述重分布层与所述穿塑通孔以及所述硅桥芯片的第一面上的微凸点连接。
21、在本专利技术一个实施例中规定，所述构造垂直互连封装结构的方法还包括：
22、拆除载板以及临时键合层，并且进行划片。
23、本专利技术还提出一种垂直互连封装结构，其根据所述方法进行构造，该结构包括：
24、第一芯片以及第二芯片；
25、硅桥芯片，其布置在所述第一芯片以及第二芯片上；
26、塑封层，其包覆第一芯片、第二芯片以及硅桥芯片；以及
27、重分布层，其布置在所述塑封层上，其中所述第一芯片、第二芯片、硅桥芯片以及所述重分布层垂直互连。
28、本专利技术至少具有如下有益效果：本专利技术提出一种构造垂直互连封装结构的方法及相应结构，其中通过具有tsv垂直互连的硅桥芯片结构实现芯片间的d2d高密度互连以及与rdl层的垂直互连，通过具有tmv垂直互连的塑封结构实现芯片与rdl的垂直互连，同时可以封装翘曲，并且降低了工艺难度。
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1.一种构造垂直互连封装结构的方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的构造垂直互连封装结构的方法，其特征在于，在载板上布置第一芯片以及第二芯片包括下列步骤：
3.根据权利要求2所述的构造垂直互连封装结构的方法，其特征在于，所述第一芯片以及第二芯片的第一面上设有多个微凸点，其中将所述第一芯片以及第二芯片的与第一面相对的第二面与所述临时键合层连接。
4.根据权利要求3所述的构造垂直互连封装结构的方法，其特征在于，硅桥芯片的第一面上设有多个微凸点，其中在第一芯片以及第二芯片上布置硅桥芯片包括：
5.根据权利要求4所述的构造垂直互连封装结构的方法，其特征在于，在所述塑封层上构造垂直互连电气结构包括：
6.根据权利要求5所述的构造垂直互连封装结构的方法，其特征在于，在所述穿塑通孔内填充导电材料包括电镀铜金属。
7.根据权利要求5所述的构造垂直互连封装结构的方法，其特征在于，在所述塑封层上构造垂直互连电气结构还包括：
8.根据权利要求7所述的构造垂直互连封装结构的方法，其特征在于，在所述塑封
9.根据权利要求1所述的构造垂直互连封装结构的方法，其特征在于，还包括：
10.一种垂直互连封装结构，其特征在于，根据权利要求1-9的其中之一所述的方法进行构造，该结构包括：
...【技术特征摘要】
1.一种构造垂直互连封装结构的方法，其特征在于，包括下列步骤：
2.根据权利要求1所述的构造垂直互连封装结构的方法，其特征在于，在载板上布置第一芯片以及第二芯片包括下列步骤：
3.根据权利要求2所述的构造垂直互连封装结构的方法，其特征在于，所述第一芯片以及第二芯片的第一面上设有多个微凸点，其中将所述第一芯片以及第二芯片的与第一面相对的第二面与所述临时键合层连接。
4.根据权利要求3所述的构造垂直互连封装结构的方法，其特征在于，硅桥芯片的第一面上设有多个微凸点，其中在第一芯片以及第二芯片上布置硅桥芯片包括：
5.根据权利要求4所述的构造垂直互连封装结构的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙鹏，皇前进，徐成，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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