【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，尤其涉及一种高带宽存储器的封装结构及其形成方法。
技术介绍
1、高带宽存储器(high bandwidth memory，hbm)是一种cpu/gpu内存芯片，即ram。hbm包括垂直堆叠的多个ddr芯片，ddr芯片通过称为中介层(interposer)的超快速互联方式连接至cpu或gpu或者直接与基板相连，进而实现大容量，高位宽的ddr组合阵列。
2、通常，hbm会与cpu、gpu等一起封装组装成特定模块，然后连接至电路板上。在实际应用中，每个hbm中通常还需要配置一个逻辑芯片以执行ddr存储器管理任务。传统的hbm封装中，通常是将hbm与逻辑芯片单独焊接在基板上进行封装整体，封装效率较低，而且焊接在tsv转接板表面并塑封，在高温下会存在严重的翘曲。
技术实现思路
1、为解决现有技术中的上述问题中的至少一部分问题，本专利技术提供了一种高带宽存储器的封装结构，包括：
2、硅衬底，其具有空腔；
3、芯片堆叠结构，其埋入所述硅衬底中，所述芯片堆叠结构包括多个垂直堆叠的高带宽存储器芯片及一个或多个逻辑芯片；
4、导电硅通孔，其贯穿所述硅衬底；以及
5、互连结构，其所述导电硅通孔及所述芯片堆叠结构电连接。
6、进一步地，还包括塑封材料，其填充在所述空腔，以塑封所述芯片堆叠结构。
7、进一步地，还包括凸点，其与所述互连结构电连接。
8、进一步地，所述芯片堆叠结构中的高带宽
9、进一步地，所述互连结构位于所述硅衬底的第一面，所述互连结构包括介质层和位于介质层中的重布线层，其中重布线层的表面露出介质层。
10、进一步地，还包括第二重布线层，其位于所述硅衬底的第二面，并所述导电硅通孔电连接，所述硅衬底的第二面与第一面相对。
11、本专利技术还提供一种高带宽存储器的封装结构的形成方法，包括：
12、提供芯片堆叠结构；
13、在硅衬底的第一面制作导电硅通孔和凹槽，并将芯片堆叠结构埋入凹槽内，并填充塑封材料；
14、在硅衬底的第一面形成互连结构，并在互连结构的表面布置凸点；以及
15、将硅衬底的第二面减薄至同时露出导电硅通孔和芯片堆叠结构，第二面与第一面相对。
16、进一步地，所述芯片堆叠结构包括多个垂直堆叠的高带宽存储器芯片及一个或多个逻辑芯片，且所述高带宽存储器芯片之间、所述逻辑芯片与所述高带宽存储器芯片之间均通过微凸点相连。
17、进一步地，还包括在硅衬底的第二面形成互连线，互连线与导电硅通孔电连接。
18、进一步地，在所述凹槽内填充塑封材料至第一高度，将芯片堆叠结构放置在凹槽内，并在凹槽内再次填充塑封材料，其中第一高度与芯片堆叠结构的高度之和等于凹槽的深度。
19、本专利技术至少具有下列有益效果：(1)本专利技术公开的一种高带宽存储器的封装结构及其形成方法，在硅衬底中制作导电硅通孔，形成tsv转接板结构，并在硅衬底刻蚀凹槽，埋入堆叠的hbm堆叠芯片，增加了tsv转接板的功能性与集成度，同时堆叠芯片预埋在硅基材料中，相比于焊接在tsv转接板表面并塑封能降低一部分翘曲；(2)采用塑封减薄抛光的手段减薄硅衬底和塑封料，一方面形成更加平整的表面，另一方面可以释放塑封料以及硅基转接板的应力，缓解翘曲，而且减薄至hbm芯片漏出有利于整体芯片散热；(3)将hbm芯片与逻辑芯片的堆叠，提高集成度，减小封装尺寸。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高带宽存储器的封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括塑封材料，其填充在所述空腔，以塑封所述芯片堆叠结构。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括凸点，其与所述互连结构电连接。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片堆叠结构中的高带宽存储器芯片之间、逻辑芯片与高带宽存储器芯片之间均通过微凸点相连。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述互连结构位于所述硅衬底的第一面，所述互连结构包括介质层和位于介质层中的重布线层，其中重布线层的表面露出介质层。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，还包括第二重布线层，其位于所述硅衬底的第二面，并所述导电硅通孔电连接，所述硅衬底的第二面与第一面相对。
7.一种高带宽存储器的封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述芯片堆叠结构包括多个垂直堆叠的高带宽存储器芯片及一个或多个逻辑芯片，且所述高带宽存储器芯片之间、所述逻辑芯
9.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，还包括在硅衬底的第二面形成互连线，互连线与导电硅通孔电连接。
10.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在所述凹槽内填充塑封材料至第一高度，将芯片堆叠结构放置在凹槽内，并在凹槽内再次填充塑封材料，其中第一高度与芯片堆叠结构的高度之和等于凹槽的深度。
...【技术特征摘要】
1.一种高带宽存储器的封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括塑封材料，其填充在所述空腔，以塑封所述芯片堆叠结构。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括凸点，其与所述互连结构电连接。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片堆叠结构中的高带宽存储器芯片之间、逻辑芯片与高带宽存储器芯片之间均通过微凸点相连。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述互连结构位于所述硅衬底的第一面，所述互连结构包括介质层和位于介质层中的重布线层，其中重布线层的表面露出介质层。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，还包括第二重布线层，其位于所述硅衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：贡志昊，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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