【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，尤其涉及一种芯片集成封装结构及其形成方法。
技术介绍
1、chiplet(芯粒或小芯片)是将复杂芯片拆解成一组具有单独功能的小芯片单元die(裸片)，通过芯片间互连将模块芯片和底层基础芯片封装组合在一起。chiplet的主要优势包括：chiplet可以大幅提高大型芯片的良率；chiplet可以降低设计的复杂度和设计成本；chiplet还能降低芯片制造的成本。
2、由于chiplet应用的需求，要求实现芯片之间高速、高带宽及距离更短的互连。当前工艺常在芯片间以封装的形式制造chiplet，导致芯片互连长度大、封装成本高。
技术实现思路
1、为解决现有技术中的上述问题中的至少一部分问题，本专利技术提供了一种芯片集成封装结构的形成方法，包括：
2、设计组成晶圆的芯片的排布方式，并按照设计制作晶圆，其中多个芯片的互连接口对齐；
3、在晶圆的正面形成一层或多层前道结构，其中前道结构与互连接口电连接；
4、在前道结构背离芯片的表面形成一层或多层beol互连结构，其中beol互连结构与前道结构电连接；
5、在beol互连结构背离芯片的表面形成一层或多层互连层，使得多个芯片间的互连接口电互连，并在互连层的表面形成焊盘；以及
6、在焊盘处布置凸点。
7、本专利技术提供一种芯片集成封装结构的形成方法，包括：
8、设计组成晶圆的芯片的排布方式，并按照设计制作晶圆，其中多个芯片的互连接
9、在晶圆的正面形成一层或多层前道结构，其中前道结构与互连接口电连接；
10、在前道结构背离芯片的表面形成一层或多层beol互连结构，其中beol互连结构与前道结构电连接；
11、在beol互连结构背离芯片的表面形成焊盘，其中焊盘与beol互连结构电连接；
12、在焊盘背离晶圆的表面形成一层或多层互连层，使得多个芯片的互连接口电互连；以及
13、在互连层背离芯片的一面形成凸点。
14、进一步地，还包括将凸点与基板连接，以将晶圆组装在基板上。
15、进一步地，所述beol互连结构包括第一介质层和位于第一介质层中的第一beol互连线，且beol互连线位于每个芯片的正上方；以及
16、互连层包括第二介质层、位于第二介质层中的接口互连线以及第二beol互连线，其中接口互连线电连接多个芯片上方的beol互连结构，使得两两芯片的互连接口电互连。
17、进一步地，所述beol互连结构包括第一介质层和位于第一介质层中的第一beol互连线，且beol互连线位于每个芯片的正上方；以及
18、互连层包括第二介质层、位于第二介质层中的接口互连线以及芯片重布线，其中接口互连线电连接多个芯片正上方的焊盘，使得两两芯片的互连接口电互连。
19、本专利技术还提供一种芯片集成封装结构，包括：
20、晶圆，其包括多个芯片，所述芯片的正面具有互连接口，且多个所述芯片采用互连接口对齐的方式排布；
21、前道结构，其位于所述芯片的正面，并与互连接口电连接；
22、beol互连结构，其位于所述前道结构背离所述芯片的一面，并与前道结构电连接；
23、互连层，其位于beol互连结构背离芯片的一面，且互连层电连接多个芯片正面的beol互连结构；
24、焊盘，其位于所述互连层背离所述beol互连结构的表面；以及
25、凸点，其焊盘连接。
26、本专利技术还提供一种芯片集成封装结构，包括：
27、晶圆，其包括多个芯片，所述芯片的正面具有互连接口，且多个所述芯片采用互连接口对齐的方式排布；
28、前道结构，其位于所述芯片的正面，并与互连接口电连接；
29、beol互连结构，其位于所述前道结构背离所述芯片的一面，并与前道结构电连接；
30、焊盘，其位于所述beol互连结构背离所述芯片的表面，其与所述beol互连结构电连接；
31、互连层，其位于所述焊盘背离所述芯片的一面，并电连接多个芯片正面的焊盘；以及
32、凸点，其互连层连接。
33、进一步地，还包括基板，其与凸点连接。
34、进一步地，所述beol互连结构包括第一介质层和位于第一介质层中的第一beol互连线，且beol互连线位于每个芯片的正面；以及
35、互连层包括第二介质层、位于第二介质层中的接口互连线以及第二beol互连线，其中接口互连线电连接多个芯片正面的beol互连结构，使得两两芯片的互连接口电互连。
36、进一步地，所述beol互连结构包括第一介质层和位于第一介质层中的第一beol互连线，且beol互连线位于每个芯片的正面；
37、互连层包括第二介质层、位于第二介质层中的接口互连线以及芯片重布线，其中接口互连线电连接多个芯片正面的焊盘，使得两两芯片的互连接口电互连。
38、本专利技术至少具有下列有益效果：(1)本专利技术公开的一种芯片集成封装结构及其形成方法，在设计和制作晶圆时，按照芯片间接口对齐的方式重新排布芯片，使得芯片间互连接口之间距离较近，互连线长度短；(2)不需要重构晶圆，在原始晶圆的基础上利用芯片光罩重构和后端互连设计即可完成芯片间互连设计，降低设计生产周期；(3)该封装结构及其形成方法相对于高端封装，成本低，良率可控。
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1.一种芯片集成封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.一种芯片集成封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
3.根据权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，还包括将凸点与基板连接，以将晶圆组装在基板上。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述BEOL互连结构包括第一介质层和位于第一介质层中的第一BEOL互连线，且BEOL互连线位于每个芯片的正上方；以及
5.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述BEOL互连结构包括第一介质层和位于第一介质层中的第一BEOL互连线，且BEOL互连线位于每个芯片的正上方；以及
6.一种芯片集成封装结构，其特征在于，包括：
7.一种芯片集成封装结构，其特征在于，包括：
8.根据权利要求6或7所述的芯片集成封装结构，其特征在于，还包括基板，其与凸点连接。
9.根据权利要求6所述的芯片集成封装结构，其特征在于，所述BEOL互连结构包括第一介质层和位于第一介质层中的第一BEOL互连线，且BEOL互连线位于每个芯片的正面；以及
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【技术特征摘要】
1.一种芯片集成封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.一种芯片集成封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
3.根据权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，还包括将凸点与基板连接，以将晶圆组装在基板上。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述beol互连结构包括第一介质层和位于第一介质层中的第一beol互连线，且beol互连线位于每个芯片的正上方；以及
5.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述beol互连结构包括第一介质层和位于第一介质层中的第一beol互连线，且beol互连线位于每个芯片的正上方；...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐成，孙鹏，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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