一种多芯片高密度垂直互联封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种多芯片高密度垂直互联封装结构及其制造方法。封装结构包括Fanout模块，多个再布线层，塑封层。本发明专利技术提供的一种多芯片高密度垂直互联封装结构的制造方法，在再布线层正反两面电连接Fanout模块，塑封再布线层和Fanout模块后，再减薄塑封层漏出金属柱，再布置焊球，实现垂直互联的堆叠方式，再布线层包含硅中介层。该垂直互联的封装结构可以缩减硅中介层的面积，增加一片晶圆的面积内可封装的芯片数量，降低封装成本，实现高性能和高带宽的集成电路封装。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片封装，特别涉及一种多芯片高密度垂直互联封装结构及其制造方法。

技术介绍

1、在高速和高带宽应用的驱动下,迫切需要建立高密度的芯片和芯片互连结构，为了实现更高密度的互联，目前提出了一种封装结构，即利用硅中介层将多个芯片组装到硅中介层上的先进封装技术。先进封装技术单位面积下的输入输出i/0越来越密集,封装尺寸(例如2.5d封装)越来越大。为了缩小封装面积，需要在载板上增加一层硅中介层，芯片通过功能面朝下连接在中介层上，硅中介层就充当了裸芯片，实现裸芯片和裸芯片之间的互连、裸芯片和基板之间的互连。

2、然而，这种封装技术对硅中介层的尺寸有严格要求,即硅中介层的面积一定要大于其上面两个甚至多个裸芯片的尺寸之和，未来超大尺寸的2.5d封装将面临良率难以控制、成本过高等挑战。因此,如何在有限的面积内实现高密度多芯片互连,进一步降低互连间距,是本领域技术人员需要解决的问题。

技术实现思路

1、针对现有技术中的部分或全部问题，本专利技术提供一种多芯片高密度垂直互联封装结构，该结构包括：

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多芯片高密度垂直互联封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述再布线层包括硅中介层，所述再布线层的第一表面电镀金属柱，所述金属柱上布置焊球。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括基板，所述Fanout模块、多个再布线层和塑封层通过所述焊球焊接在所述基板的第一表面上，所述基板的第二表面布置多个焊球。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘为单层金属或者复合金属。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一组Fanout模块和所述第...

【技术特征摘要】

1.一种多芯片高密度垂直互联封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述再布线层包括硅中介层，所述再布线层的第一表面电镀金属柱，所述金属柱上布置焊球。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，还包括基板，所述fanout模块、多个再布线层和塑封层通过所述焊球焊接在所述基板的第一表面上，所述基板的第二表面布置多个焊球。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘为单层金属或者复合金属。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一组fanout模块和所述第二组fanout模块包含多个相同的芯片，或者多个同类型的芯片，或者多个不同类型的芯片。

6.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王吉伟，孙鹏，张宏伟，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：