【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种优化功率分立器件电流参数的结构及其制作方法。
技术介绍
1、在半导体分立器件设计及工艺制造中，栅极pad打线区域往往占据管芯一部分面积，而且该区域下方没有电流通道，降低了芯片面积利用率。
2、所提及的芯片面积利用率低的现象在小电流规格的管芯中尤为明显，小电流管芯通常尺寸较小，pad尺寸占比较大；缩小pad尺寸不利于封装打线，导致需要增大芯片面积达到所需要的电流规格，考虑到晶圆面积固定，该方案一定程度上增加了分立器件成本。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术存在的缺陷，本专利技术提出了一种优化功率分立器件电流参数的结构及其制作方法，以提高功率分立器件电流通路，同时消除栅极电极面积尺寸限制的结构设计。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种优化功率分立器件电流参数的结构，包括衬底，于所述衬底之上设置有元胞，还包括设置于衬底之上的源极金属、栅极总线金属、栅极金属垫片和源极金属垫片；
3...
【技术保护点】
1.一种优化功率分立器件电流参数的结构，包括衬底(1)，于所述衬底(1)之上设置有元胞(2)，其特征在于，还包括设置于衬底(1)之上的源极金属(4)、栅极总线金属(3)、栅极金属垫片(5)和源极金属垫片(6)；
2.根据权利要求1所述的优化功率分立器件电流参数的结构，其特征在于，于所述底层之中，栅极总线金属(3)置于源极金属(4)之间，所述栅极总线金属(3)与源极金属(4)以介质(7)隔离。
3.根据权利要求2所述的优化功率分立器件电流参数的结构，其特征在于，所述栅极总线金属(3)与位于衬底(1)之上的元胞(2)连通，所述源极金属(4)固定于衬
【技术特征摘要】
1.一种优化功率分立器件电流参数的结构，包括衬底(1)，于所述衬底(1)之上设置有元胞(2)，其特征在于，还包括设置于衬底(1)之上的源极金属(4)、栅极总线金属(3)、栅极金属垫片(5)和源极金属垫片(6)；
2.根据权利要求1所述的优化功率分立器件电流参数的结构，其特征在于，于所述底层之中，栅极总线金属(3)置于源极金属(4)之间，所述栅极总线金属(3)与源极金属(4)以介质(7)隔离。
3.根据权利要求2所述的优化功率分立器件电流参数的结构，其特征在于，所述栅极总线金属(3)与位于衬底(1)之上的元胞(2)连通，所述源极金属(4)固定于衬底(1)上表面。
4.根据权利要求1-2任一所述的优化功率分立器件电流参数的结构，其特征在于，以ild介质(7)完成顶层与底层之间、源极金属(4)与栅极金属垫片(5)之间以及栅极总线金属(3)与源极金属(4)之间的介质(7)隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：王万，李娜，柴晨凯，
申请(专利权)人：江苏索力德普半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。