【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件领域，具体涉及一种防止弧度变化与隐裂的底板。
技术介绍
1、igbt(insulated gate bipolar transistor)绝缘栅双极性晶体管模块是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。igbt包括dbc底板，其制造是一种在陶瓷基板上直接键合铜。dbc底板利用特殊工艺在高温下将铜箔直接键合到陶瓷基板表面，从而实现金属和陶瓷的紧密结合，综合了金属的高导电性和陶瓷的高绝缘性和高热稳定性。
2、目前dbc底板和外形一般采用矩形，在铆压的过程中，底板的四角是结构上的突变点，这里的形状和空间曲率发生了明显的变化。这种突变会导致在这些区域产生较大的应力集中。在铆压过程中，当外力作用于底板时，这些突变点会成为应力的主要承受区域，使得应力在此处集中，容易导致发生弧度变化和隐裂。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路b>
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【技术保护点】
1.一种防止弧度变化与隐裂的底板，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种防止弧度变化与隐裂的底板，其特征在于：所述加强肋边一和板体长边之间过渡处设置有转角一。
3.根据权利要求2所述的一种防止弧度变化与隐裂的底板，其特征在于：所述转角一为弧形倒角。
4.根据权利要求1所述的一种防止弧度变化与隐裂的底板，其特征在于：所述加强肋边二和板体宽边之间过渡处设置有转角二。
5.根据权利要求4所述的一种防止弧度变化与隐裂的底板，其特征在于：所述转角二为弧形角。
6.根据权利要求1所述的一种防止弧度变化与隐裂的底板，其...
【技术特征摘要】
1.一种防止弧度变化与隐裂的底板，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种防止弧度变化与隐裂的底板，其特征在于：所述加强肋边一和板体长边之间过渡处设置有转角一。
3.根据权利要求2所述的一种防止弧度变化与隐裂的底板，其特征在于：所述转角一为弧形倒角。
4.根据权利要求1所述的一种防止弧度变化与隐裂的底板，其特征在于：所述加强肋边二和板体宽边之间过渡处设置有转角二。
5.根据权利要求4所述的一种防止弧度变化与隐裂的底板，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：狄久风，
申请(专利权)人：江苏索力德普半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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