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本发明涉及一种多芯片高密度垂直互联封装结构及其制造方法。封装结构包括Fanout模块，多个再布线层，塑封层。本发明提供的一种多芯片高密度垂直互联封装结构的制造方法，在再布线层正反两面电连接Fanout模块，塑封再布线层和Fanout模块后，...
该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。

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