【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，尤其涉及一种降低翘曲的扇出封装结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着集成电路的飞快发展，电子产品朝着小型化、高集成度性、高性能方向发展，传统的封装形式已经越来越难以满足要求。硅通孔技术(tsv)成为了现代最先进的封装技术，tsv互联提供了超越“摩尔定律”的思路，近年来得到飞速发展，具有低功耗、高电性能，更小的封装尺寸等特点，广泛的应用于微电子领域。
2、扇出型封装的晶圆重构需要用到晶圆级塑封工艺，由于塑封料和载板的热膨胀系数cte不匹配导致晶圆翘曲较大。另外，塑封料的垂直互联需要用到塑封胶通孔tmv技术，通孔直径和间距较大，互联密度较低。
技术实现思路
1、为解决现有技术中的上述问题中的至少一部分问题，本专利技术提供了一种降低翘曲的扇出封装结构，包括:
2、硅基底，其具有空腔；
3、导电盲孔，其贯穿所述硅基底，且多个所述导电盲孔围绕空腔；
4、芯片，其布置在所述硅基底的空腔内；
5、塑封料,其填充所述空腔以塑封所述芯片；
6、第一布线层，其与所述导电盲孔电连接；以及
7、第二布线层，其与所述导电盲孔及所述芯片电连接。
8、进一步地，所述芯片的正面与所述硅基底的正面齐平；以及
9、所述芯片的正面具有芯片管脚。
10、进一步地，还包括:
11、第一介质层，其布置在所述硅基底的背面和所述塑封料的表面；
12、第二介质层，
13、第三介质层，其布置在所述第二布线层背离所述硅基底表面；
14、凸点下金属层，其与所述第二布线层电连接；以及
15、焊球，其与所述凸点下金属层电连接。
16、进一步地，所述第一布线层布置在所述第一介质层背离所述硅基底的表面，且部分所述第一布线层穿过所述第一介质层与所述导电盲孔电连接；和/或
17、所述第二布线层布置在所述第二介质层背离所述硅基底的表面，且部分所述第二布线层穿过所述第二介质层与所述芯片的芯片管脚及导电盲孔电连接。
18、进一步地，所述第一布线层的形状为线圈图案。
19、进一步地，还包括:
20、主芯片，其与所述第一布线层电连接；
21、底填胶，其填充在所述主芯片与所述第一介质层之间；以及
22、塑封层，其塑封所述主芯片。
23、本专利技术还提供了一种降低翘曲的扇出封装结构的形成方法，包括:
24、在硅基底的正面形成导电盲孔和空腔，其中多个所述导电盲孔围绕所述空腔；
25、将芯片和硅基底倒装布置在载板上，其中所述芯片位于空腔内；
26、在硅基底的空腔内填充塑封料，并将硅基底的背面及塑封料减薄，以露出导电盲孔；
27、在硅基底的背面和塑封料的表面依次布置第一介质层和第一布线层；
28、在硅基底的正面及塑封料的表面依次布置第二介质层和第二布线层；
29、在第二布线层背离硅基底的一面形成第三介质层，并形成凸点下金属层；以及
30、在凸点下金属层的表面布置焊球。
31、进一步地，其中在硅基底的正面形成导电盲孔和空腔包括：
32、在硅基底的正面形成盲孔；
33、在盲孔的内壁和硅基底的正面形成绝缘层；
34、在盲孔内填充金属，并进行退火，形成导电盲孔；以及
35、去除覆盖在硅基底中心区域的绝缘层，并刻蚀硅基底的导电盲孔包围的区域形成空腔。
36、进一步地，所述第一布线层的一部分穿过所述第一介质层与所述导电盲孔电连接；
37、所述第二布线层的一部分穿过所述第二介质层与所述导电盲孔及所述芯片电连接；以及
38、所述凸点下金属层的一部分穿过所述第三介质层与所述第二布线层电连接。
39、进一步地，还包括：
40、所述第一布线层为焊盘，在所述第一布线层处倒装布置主芯片，并在所述主芯片与所述第一介质层之间填充底填胶；以及
41、形成塑封主芯片的塑封层。
42、进一步地，所述第一布线层的形状为线圈图案。
43、本专利技术至少具有下列有益效果：(1)本专利技术公开的一种降低翘曲的扇出封装结构，在硅基底中形成空腔，导电盲孔围绕在空腔的周围，芯片位于空腔内，相比于一般的扇出型晶圆级封装，增加了硅占比，降低了翘曲；(2)在硅基底的正面和背面都设置有布线层，正面的布线层还与芯片电连接，导电盲孔可以连接硅基底的正面和背面的布线层，提高封装体垂直方向的互联密度，可以适用于更高集成密度的封装；(3)相比于塑封胶通孔tmv，导电盲孔的直径和间距较小，互联密度较高。
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1.一种降低翘曲的扇出封装结构，其特征在于，包括:
2.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述芯片的正面与所述硅基底的正面齐平；以及
3.根据权利要求2所述的扇出封装结构，其特征在于，还包括:
4.根据权利要求3所述的扇出封装结构，其特征在于，所述第一布线层布置在所述第一介质层背离所述硅基底的表面，且部分所述第一布线层穿过所述第一介质层与所述导电盲孔电连接；和/或
5.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述第一布线层的形状为线圈图案。
6.根据权利要求1至4任一所述的扇出封装结构，其特征在于，还包括:
7.一种降低翘曲的扇出封装结构的形成方法，其特征在于，包括:
8.根据权利要求7所述的降低翘曲的扇出封装结构的形成方法，其特征在于，其中在硅基底的正面形成导电盲孔和空腔包括：
9.根据权利要求7所述的降低翘曲的扇出封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一布线层的一部分穿过所述第一介质层与所述导电盲孔电连接；
10.根据权利要求7所述的降低翘曲的扇出封装
11.根据权利要求7所述的降低翘曲的扇出封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一布线层的形状为线圈图案。
...【技术特征摘要】
1.一种降低翘曲的扇出封装结构，其特征在于，包括:
2.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述芯片的正面与所述硅基底的正面齐平；以及
3.根据权利要求2所述的扇出封装结构，其特征在于，还包括:
4.根据权利要求3所述的扇出封装结构，其特征在于，所述第一布线层布置在所述第一介质层背离所述硅基底的表面，且部分所述第一布线层穿过所述第一介质层与所述导电盲孔电连接；和/或
5.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述第一布线层的形状为线圈图案。
6.根据权利要求1至4任一所述的扇出封装结构，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：王东，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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