一种垂直结构芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种垂直结构芯片及其制备方法，该垂直结构芯片由中心区域及位于中心区域四周的边缘区域构成。其中，中心区域从下到上依次包括：目标衬底、第一P面金属层、P型GaN层、活性层、N型GaN层以及N电极；边缘区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层、绝缘层、N型GaN层以及N电极。绝缘层位于边缘区域中的N型GaN层和第二P面金属层之间、以及位于中心区域中的P型GaN层和活性层的侧壁。由于将P-GaN和活性层的侧壁绝缘后隐藏于芯片内部，而不裸露于芯片侧面，因此，有效降低了LED芯片侧面上载流子的复合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造
，尤其涉及一种垂直结构芯片及其制备方法。
技术介绍
随着全球极端气候的频繁发生，照明领域也正进入一次大的变革。LED(LightEmittingDiode，发光二极管)作为第三代的固态照明技术，正被大家高度关注；但是随着技术的发展，成熟的现有工艺正面临着巨大的挑战。垂直结构芯片由于其工作时电流分布相对均匀，发光形貌符合朗伯分布模型，因此在大功率光源领域，尤其对光斑质量要求较高的领域有广泛的应用。然而，垂直结构芯片的生产良率一直有待提高，影响良率的关键因素之一便是正反漏电，导致芯片漏电的因素很多，其中很大一部分来自N型区域(N电极和N型GaN层)、活性层、P型区域(P型GaN、P面金属层和目标衬底)之间在侧壁的直接或间接导通。为了解决这一现象的发生，传统的方法是在芯片制作完成后在芯片表面和侧面用SiOxNy等材料做钝化处理，这种处理方式依然无法完全避免侧壁漏电的出现，以及有可能带来遮挡出光等问题。专利
技术实现思路
针本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直结构芯片，其特征在于，所述垂直结构芯片由中心区域及位于所述中心区域四周的边缘区域构成，其中，所述中心区域从下到上依次包括：目标衬底、第一P面金属层、P型GaN层、活性层、N型GaN层以及N电极；所述边缘区域从下到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层、绝缘层、N型GaN层以及N电极；所述绝缘层位于所述边缘区域中的N型GaN层和第二P面金属层之间、以及位于所述中心区域中的P型GaN层和活性层的侧壁。

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构芯片，其特征在于，所述垂直结构芯片由中心区
域及位于所述中心区域四周的边缘区域构成，其中，
所述中心区域从下到上依次包括：目标衬底、第一P面金属层、
P型GaN层、活性层、N型GaN层以及N电极；所述边缘区域从下
到上依次包括：目标衬底、第二P面金属层、绝缘层、N型GaN层
以及N电极；
所述绝缘层位于所述边缘区域中的N型GaN层和第二P面金属
层之间、以及位于所述中心区域中的P型GaN层和活性层的侧壁。
2.如权利要求1所述的垂直结构芯片，其特征在于，绝缘层位于
所述边缘区域中的N型GaN层和第二P面金属层之间、位于所述中
心区域中的P型GaN层和活性层的侧壁、以及位于所述P型GaN层
表面靠近所述边缘区域的边缘处。
3.如权利要求1所述的垂直结构芯片，其特征在于，所述垂直结
构芯片中还包括位于所述边缘区域四周的沟槽区域，所述沟槽区域从
下到上依次包括：目标衬底和第二P面金属层；
或，所述沟槽区域中还包括位于所述第二P面金属层表面的绝缘
层。
4.如权利要求1或2或3所述的垂直结构芯片，其特征在于，
所述第一P面金属层中包括粘结层、覆盖层、金属反射层；
所述第二P面金属层中包括粘结层和覆盖层，和/或所述第二P
面金属层中还包括金属反射层。
5.如权利要求1或2或3所述的垂直结构芯片，其特征在于，
所述绝缘层的材料为SiOxNy、TixOy、高阻GaN以及Al2O3中的
一种或多种；
和/或，
所述目标衬底为Cu、C、Si、SiC、Ge、Cu-W合金、Mo以及
Cr中的一种或多种形成的导电衬底。
6.如权利要求4所述的垂直结构芯片，其特征在于，
所述覆盖层和粘结层的材料为Ti、Cu、W、Cr、Pt、Ni、In、Sn、
Au中的一种或多种；
和/或，
所述金属反射层的材料为Ni、Ag、Al、Cr、Pt中的一种或多种。
7.如权利要求1或2或3或6所述的垂直结构芯片，其特征在于，
所述N电极为Ti、Al、Pt、Au、Cr中的一种或多种。
8.一种垂直结构芯片的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲晓东，朱浩，
申请(专利权)人：易美芯光北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11