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本发明提供了一种垂直结构芯片及其制备方法，该垂直结构芯片由中心区域及位于中心区域四周的边缘区域构成。其中，中心区域从下到上依次包括：目标衬底、第一P面金属层、P型GaN层、活性层、N型GaN层以及N电极；边缘区域从下到上依次包括：目标衬底、...
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