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本发明涉及一种半导体器件的检测方法，所述方法包括以下步骤：制备半导体器件版图；选用光学临近修正方法对所述半导体器件版图复制得到掩膜版，并进行修正；对所述掩膜版进行模拟并预测掩膜版中缺陷点的位置；根据所述模拟的结果制备检测版图，并将所述检测版...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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