The utility model provides a structure for monitoring FinFET device self heating effect, including bipolar integrated in a semiconductor substrate junction transistor and MOS device; the bipolar junction transistor includes: emitter, base and fin fin fin collector array; the MOS device is located between the base and the fin array the collector fin array; electric characteristic detection of MOS devices in case of open and close the bipolar junction transistor, the MOS device is opened, due to the self heating function, temperature, VBE characteristics of bipolar junction transistor will change, it can be the strength of MOS devices by the characteristic change of VBE detection in FinFET self heating.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路器件,特别涉及一种监控FinFET自发热效应的结构。
技术介绍
MOSFET(金属氧化半导体场效应晶体管)是大部分半导体器件的主要构件,当沟道的长度小于100nm时,传统的MOSFET中,由于围绕有源区的硅衬底的半导体材料使源极区和漏极区之间间互动,漏极和源极的距离也随之缩短,产生短沟道效应,这样一来栅极对沟道的控制能力变差,栅极电压夹断(pinchoff)沟道的难度也越来越大,如此便使亚阈值漏电(Subthrehholdleakage)现象更容易发生。鳍形场效晶体管(FinFieldeffecttransistor,FinFET)是一种新的金属氧化半导体场效应晶体管,其结构通常在绝缘体上硅(SOI)基片上形成,包括狭窄而孤立的硅条(即垂直型的沟道结构,也称鳍片),鳍片两侧带有栅极结构。FinFET结构使得器件更小,性能更高。但是,FinFET器件同时也面临一些挑战,例如,由于狭窄而孤立的鳍片的设计造成的散热慢的问题,导致FinFET器件的自发热问题比较严重,最终对FinFET器件的可靠性造成了影响。因此,亟需提供一种监控FinFET器件自发热效应的结构,用于检测FinFET器件的自发热的强弱。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种监控FinFET器件自发热效应的结构,用于监控FinFET器件的自发热效应。为解决上述技术问题,本技术提供一种FinFET器件自发热效应,包括集成于半导体衬底上的双极结型晶体管与MOS器件;所述双极结型晶体管包括:发射极鳍阵列、基极鳍阵列以及集电极鳍阵列;所述MOS器件位于所述基极鳍阵列与集电极鳍阵列之间。优选的, ...
【技术保护点】
一种监控FinFET器件自发热效应的结构,其特征在于,包括集成于半导体衬底上的双极结型晶体管与MOS器件;所述双极结型晶体管包括:发射极鳍阵列、基极鳍阵列以及集电极鳍阵列;所述MOS器件位于所述基极鳍阵列与集电极鳍阵列之间。
【技术特征摘要】
1.一种监控FinFET器件自发热效应的结构,其特征在于,包括集成于半导体衬底上的双极结型晶体管与MOS器件;所述双极结型晶体管包括:发射极鳍阵列、基极鳍阵列以及集电极鳍阵列;所述MOS器件位于所述基极鳍阵列与集电极鳍阵列之间。2.如权利要求1所述的监控FinFET器件自发热效应的结构,其特征在于,所述发射极鳍阵列包括多个阵列排列的发射极鳍,所述基极鳍阵列包括多个阵列排列的基极鳍,所述集电极鳍阵列包括多个阵列排列的集电极鳍。3.如权利要求2所述的监控FinFET器件自发热效应的结构,其特征在于,在所述双极结型晶体管中,所述基极鳍阵列围绕所述发射极鳍阵列,所述集电极鳍阵列围绕所述基极鳍阵列。4.如权利要求3所述的监控FinFET器件自发热效应的结构,其特征在于,所述MOS器件包括MOS鳍阵列,所述MOS鳍阵列包括多个阵列排列的MOS鳍;所述MOS鳍阵列围绕所述基极鳍阵列,所述集电极鳍阵列围绕所述MOS鳍阵列。5.如权利要求4所述的监控FinFET器件自发热效应的结构,其特征在于,所述基极鳍阵列、MOS鳍阵列以及集电极鳍阵列的形状均为环形。6.如权利要求5所述的监控FinFET器件自发热效应的结构,其特征在于,所述环形为封闭环形。7.如权利要求6所述的监控FinFET器件自发热效应的结构,其特征在于,所述环形为圆环形、椭圆环形、方环形或多边环形。8...
【专利技术属性】
技术研发人员:周飞,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造天津有限公司,中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:新型
国别省市:天津;12
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