CMOS器件的制作方法技术

本发明专利技术提供一种CMOS器件的制作方法，包括：在基底的场氧化层上形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的侧壁上形成侧墙，侧墙背离栅极的一边呈弧形，且侧墙的底部大于侧墙的顶部；在基底、第一多晶硅层和侧墙上形成介电材料层；在介电材料层上形成第二多晶硅材料层；对介电材料层和第二多晶硅材料层进行刻蚀，形成介电层和第二多晶硅层，介电层位于第一多晶硅层上，第二多晶硅层位于介电层上。根据本发明专利技术的CMOS器件的制作方法，能够避免形成介电层和第二多晶硅层时的残留，进而避免影响CMOS器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体技术，尤其涉及一种CMOS器件的制作方法。
技术介绍
设有PIP(Polysilicon-Insulator-Polysilicon，多晶硅-介电层-多晶硅)电容的混合模式的器件，在CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补式金属-氧化物-半导体器件)等半导体器件中已经被广泛应用。PIP电容的结构具体包括两层多晶硅以及设置在两层多晶硅中的介电层，该PIP电容通常用于防止半导体器件的电路发射噪声和频率调制，提高半导体器件的良品率。现有技术中，如图1A所示，在CMOS器件中制作PIP电容的方法一般是：在基底100上形成第一多晶硅层101之后，形成介电层102，然后形成第二多晶硅层103，接着在第一多晶硅层101的侧壁上形成侧墙(图中未示出)，然后采用光刻工艺形成光刻胶104，并以光刻胶104为掩膜对第二多晶硅层103和介电层102进行刻蚀。但是由于第二多晶硅层103部分依附于第一多晶硅层101，第二多晶硅层103位于第一多晶硅层101侧壁的厚度会大于其它区域的第二多晶硅层103的厚度，而第一多晶硅层101侧壁上的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在基底的场氧化层上形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的侧壁上形成侧墙，所述侧墙背离所述栅极的一边呈弧形，且侧墙的底部大于侧墙的顶部；在基底、第一多晶硅层和侧墙上形成介电材料层；在介电材料层上形成第二多晶硅材料层；对介电材料层和第二多晶硅材料层进行刻蚀，形成介电层和第二多晶硅层，介电层位于第一多晶硅层上，第二多晶硅层位于介电层上。

【技术特征摘要】
1.一种CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在基底的场氧化层上形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的侧壁上形成侧墙，所述侧墙背离所述栅极的一边呈弧形，且侧墙的底部大于侧墙的顶部；在基底、第一多晶硅层和侧墙上形成介电材料层；在介电材料层上形成第二多晶硅材料层；对介电材料层和第二多晶硅材料层进行刻蚀，形成介电层和第二多晶硅层，介电层位于第一多晶硅层上，第二多晶硅层位于介电层上。2.根据权利要求1所述的CMOS器件的制作方法，其特征在于，在基底上形成第一多晶硅层包括：在基底上形成第一多晶硅材料层；对第一多晶硅材料层进行刻蚀，同时形成第一多晶硅层和栅极，所述栅极位于所述基底的阱区上。3.根据权利要求2所述的CMOS器件的制作方法，其特征在于，在第一多晶硅层的侧壁上形成侧墙包括：在第一多晶硅层和栅极上形成氧化层；对所述氧化层进行刻蚀，在第一多晶硅层和栅极的侧壁上分别形成侧墙。4.根据权利要求3所述的CMOS器件的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：马万里，闻正锋，赵文魁，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11