温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种CMOS器件的制作方法，包括：在基底的场氧化层上形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的侧壁上形成侧墙，侧墙背离栅极的一边呈弧形，且侧墙的底部大于侧墙的顶部；在基底、第一多晶硅层和侧墙上形成介电材料层；在介电材料层上形成第二多晶硅材...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。