半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有一具有开口的掩膜层；对所述衬底进行刻蚀，去除所述开口下方的部分所述衬底，在所述衬底中形成浅槽；在所述浅槽和所述开口内填充隔离材料，在所述浅槽中的所述隔离材料形成第一隔离部分，在所述开口中的所述形成第二隔离部分；去除所述掩膜层；对所述第二隔离部分进行回蚀工艺，去除所述第二隔离部分两侧的部分侧壁；以及在所述第二隔离部分的两侧分别形成隔离侧墙，所述隔离侧墙覆盖所述第一隔离部分暴露出的上表面。本发明专利技术还公开了一种半导体器件。本发明专利技术提供的半导体器件及其制备方法能够有效地减少或避免有源区漏电，提高器件的电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
随着以电子通讯技术为代表的现代高科技产业的不断发展，世界集成电路产业总产值以每年超过30％的速度发展，静态随机存储器(SRAM)作为一种重要的存储器件被广泛应用于数字与通讯电路设计中。SRAM是逻辑电路中一种重要部件，其因为具有功耗小，读取速度高等优点而广泛应用于数据的存储。随着存储单元的小型化和半导体器件的高集成度的需求，静态随机存储器的尺寸越来越小，然而，静态随机存储器中的有源区的关键尺寸、栅极的关键尺寸以及接触孔(contact)的关键尺寸受限于制备工艺的影响，很难进一步的减小。所以，需要去除部分栅极侧壁上的侧墙，并制备一多晶硅层，以用于栅极和栅极之间的连接，或用于栅极和有源区(源极区和漏极区)之间的连接，以减少连接孔的个数，从而减小静态随机存储器的尺寸。在现有技术中，要进行自对准硅化物的制备，使得暴露的栅极上表面形成第一硅化物，多晶硅层形成第一硅化物。参考图1，在现有的半导体器件1中，衬底100上形成有栅极110，所述栅极110的部分侧壁形成有侧墙112，所述栅极110的部分上表面形成有第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有一具有开口的掩膜层；对所述衬底进行刻蚀，去除所述开口下方的部分所述衬底，在所述衬底中形成浅槽；在所述浅槽和所述开口内填充隔离材料，在所述浅槽中的所述隔离材料形成第一隔离部分，在所述开口中的所述形成第二隔离部分；去除所述掩膜层；对所述第二隔离部分进行回蚀工艺，去除所述第二隔离部分两侧的部分侧壁；以及在所述第二隔离部分的两侧分别形成隔离侧墙，所述隔离侧墙覆盖所述第一隔离部分暴露出的上表面，所述隔离侧墙的材料为非导电材料。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有一具有开口的掩膜层；对所述衬底进行刻蚀，去除所述开口下方的部分所述衬底，在所述衬底中形成浅槽；在所述浅槽和所述开口内填充隔离材料，在所述浅槽中的所述隔离材料形成第一隔离部分，在所述开口中的所述形成第二隔离部分；去除所述掩膜层；对所述第二隔离部分进行回蚀工艺，去除所述第二隔离部分两侧的部分侧壁；以及在所述第二隔离部分的两侧分别形成隔离侧墙，所述隔离侧墙覆盖所述第一隔离部分暴露出的上表面，所述隔离侧墙的材料为非导电材料。2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化硅。3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述衬底和掩膜层之间形成有一垫氧层。4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述垫氧层的厚度为5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述衬底和第一隔离部分之间形成有一衬垫氧化层。7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在对所述第二隔离部分进行回蚀工艺的步骤中，所述第二隔离部分的宽度减小8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀或湿法刻蚀进行所述回蚀工艺。9.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述隔离侧墙的材料为氮化硅或氮氧化硅。10.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述隔离侧
\t墙的宽度为11.如权利要求1至10中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李敏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31