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本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有一具有开口的掩膜层；对所述衬底进行刻蚀，去除所述开口下方的部分所述衬底，在所述衬底中形成浅槽；在所述浅槽和所述开口内填充隔离材料，在所述浅槽中的所述隔离材料形成第一隔离...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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