半导体结构的制作方法技术

一种半导体结构的制作方法，包括：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在所述PMOS区域上形成第一鳍部，所述第一鳍部顶部被第一硬掩膜块覆盖，侧面暴露；在所述NMOS区域上形成第二鳍部，所述第二鳍部顶部和侧面都暴露；采用退火工艺对所述第一鳍部和所述第二鳍部进行退火处理。所述半导体结构的制作方法提高PMOS鳍式场效应管和NMOS鳍式场效应管的电流匹配性能。

Method for manufacturing semiconductor structure

Method of manufacturing a semiconductor structure includes providing a silicon on insulator substrate, the silicon on insulator substrate including PMOS and NMOS regions; the first fin is formed in the PMOS region, the first fin is at the top of the first hard mask block cover, side exposure; the fin is formed on the second NMOS, the second fin top and sides are exposed; the annealing process on the first and the second fin fin annealing. The fabrication method of the semiconductor structure improves the current matching performance of the PMOS fin type field effect tube and the NMOS fin type field effect transistor.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的制作方法。
技术介绍
MOS晶体管通过在栅极施加电压，调节通过沟道区域的电流来产生开关信号。但当半导体技术进入更小的节点时，传统的平面式MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种多栅器件，它一般包括具有高深宽比的半导体鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构，位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。然而，现有方法形成的半导体结构中，PMOS鳍式场效应管和NMOS鳍式场效应管的电流匹配性能差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种新的半导体结构的制作方法，以提高PMOS鳍式场效应管和NMOS鳍式场效应管的电流匹配性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在所述PMOS区域上形成第一鳍部，所述第一鳍部顶部被第一硬掩膜块覆盖，侧面暴露；在所述NMOS区域上形成第二鳍部，所述第二鳍部顶部和侧面都暴露；采用退火工艺对所述第一鳍部和所述第二鳍部进行退火处理。可选的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在所述PMOS区域上形成第一鳍部，所述第一鳍部顶部被第一硬掩膜块覆盖，侧面暴露；在所述NMOS区域上形成第二鳍部，所述第二鳍部顶部和侧面都暴露；采用退火工艺对所述第一鳍部和所述第二鳍部进行退火处理。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在所述PMOS区域上形成第一鳍部，所述第一鳍部顶部被第一硬掩膜块覆盖，侧面暴露；在所述NMOS区域上形成第二鳍部，所述第二鳍部顶部和侧面都暴露；采用退火工艺对所述第一鳍部和所述第二鳍部进行退火处理。2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一鳍部和所述第二鳍部的过程包括：在所述PMOS区域和所述NMOS区域上形成硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层，直至在所述PMOS区域上的剩余所述硬掩膜层保留为第一初始硬掩膜块，在所述NMOS区域上的剩余所述硬掩膜层保留为第二初始硬掩膜块；刻蚀所述第二初始硬掩膜块，直至剩余所述第二初始硬掩膜块保留为第二硬掩膜块；沿所述第一初始硬掩膜块刻蚀所述PMOS区域，直至形成所述第一鳍部；沿所述第二硬掩膜块刻蚀所述NMOS区域，直至形成所述第二鳍部；同时刻蚀所述第一初始硬掩膜块和所述第二硬掩膜块，直至所述第二硬掩膜块被全部去除，剩余所述第一初始硬掩膜块被保留为所述第一硬掩膜块。3.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，刻蚀所述第二初始硬掩膜块的过程包括：形成有机填充层覆盖所述第一初始硬掩膜块和所述第二初始硬掩膜块；在所述有机填充层上形成光刻胶层，并图案化所述光刻胶层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩秋华，潘亚武，吴端毅，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31