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一种半导体结构的制作方法，包括：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在所述PMOS区域上形成第一鳍部，所述第一鳍部顶部被第一硬掩膜块覆盖，侧面暴露；在所述NMOS区域上形成第二鳍部，所述第二鳍部顶部和侧面都...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。