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本发明的实施例提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底、至少一个第一栅极结构、至少一个第一间隔件、至少一个源漏结构和导电插塞。所述第一栅极结构位于所述衬底上。所述第一间隔件位于所述第一栅极结构的至少一个侧壁上。所述源漏结构邻近所述第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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