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本发明涉及一种降低多晶硅表面粗糙度的方法，其包括如下步骤：i)将O3水与多晶硅层的表面接触进行氧化处理，在多晶硅层的表面形成表面氧化层；ii)将多晶硅层的表面形成的表面氧化层与HF溶液接触进行蚀刻处理，得到经氧化处理和刻蚀处理的多晶硅层；i...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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