一种降低Si表面粗糙度的方法技术

本发明专利技术提供一种降低Si表面粗糙度的方法，属于半导体领域，包括步骤：首先提供一至少包括SixGe1-x层以及结合于其表面的Si层的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述SixGe1-x层，获得具有残留SixGe1-x材料的Si层粗糙表面，然后采用质量比为1∶3~6∶10~20的NH4OH:H2O2:H2O溶液对所述Si层粗糙表面进行处理，去除所述残留SixGe1-x材料，以获得光洁的Si层表面。本发明专利技术可以有效降低去除应变硅表面的SixGe1-x材料残余，降低应变硅表面的粗糙度，获得光洁的应变硅表面，为后续的器件制造工艺带来了极大的便利。本发明专利技术工艺简单，适用于工业生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体领域，特别是涉及。
技术介绍
根据国际半导体产业发展蓝图(ITRS2009)的规划，集成电路已经逐步从微电子时代发展到了微纳米电子时代，现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限，遇到了严峻的挑战。SOI已成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的娃)技术是在顶层娃和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点可以实现 集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势。从材料角度来说，我们需要从传统的单晶硅材料拓展到新一代硅基材料。应变硅由于其高迁移率而受到广泛关注。目前制备高应变度、低缺陷密度的应变硅以及sSOI (绝缘体上的应变硅)主要采用SiGe作为缓冲层以及提供应力的来源。制备sSOI时，通过IonCut技术转移应变硅层以及其上层的SiGe层，通过CMP (化学机械抛光)或者选择性化学腐蚀的方法去除SiGe层后，就可以得到sSOI。通过CMP或者选择性化学腐蚀的方法去除SiGe层后，在应变硅的表面会残留尖刺状或者块状或者不连续层状的SiGe，使得应变硅层含有Ge金属，并且表面粗糙度大，对后续的工艺带来致命的影响。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供，用于解决现有技术中通过CMP或者选择性化学腐蚀的方法去除SiGe层后，应变硅表面粗糙度大的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供，所述方法至少包括以下步骤I)提供一至少包括SixGei_x层以及结合于其表面的Si层的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述SixGei_x层，获得具有残留SixGei_x材料的Si层粗糙表面，其中，0〈x〈l ;2)采用质量比为I 3 6 10 20的NH4OH = H2O2 = H2O溶液对所述Si层粗糙表面进行处理，去除所述残留SixGei_x材料，以获得光洁的Si层表面。在本专利技术的降低Si表面粗糙度的方法中，所述SixGei_x层为弛豫的SixGei_x层。在本专利技术的降低Si表面粗糙度的方法中，所述Si层为应变的Si层。作为本专利技术的降低Si表面粗糙度的方法的一种优选方案，所述NH4OH = H2O2 = H2O溶液的质量比为I : 5 6 10 12。在本专利技术的降低Si表面粗糙度的方法所述步骤2)中，对所述Si层粗糙表面进行处理的时间为5 60min。优选地，所述步骤2)中，对所述Si层粗糙表面进行处理的时间为l(T30min。在本专利技术的降低Si表面粗糙度的方法所述步骤2)中，对所述Si层粗糙表面进行处理的温度为40 100°C。优选地，所述步骤2)中，对所述Si层粗糙表面进行处理的温度为5(T80°C。如上所述，本专利技术的降低Si表面粗糙度的方法，具有以下有益效果首先提供一至少包括SixGei_x层以及结合于其表面的Si层的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述SixGei_x层，获得具有残留SixGei_x材料的Si层粗糙表面，然后采用质量比为I : 3飞1(T20的NH4OH = H2O2 = H2O溶液对所述Si层粗糙表面进行处理，去除所述残留SixGei_x材料，以获得光洁的Si层表面。本专利技术可以有效降低去除应变硅表面的SixGei_x材料残余，降低应变硅表面的粗糙度，获得光洁的应变硅表面，为后续的器件制造工艺带来了极大的便利。本专利技术工艺简单，适用于工业生产。附图说明 图广图2显示为本专利技术的降低Si表面粗糙度的方法步骤I)所呈现的结构示意图。图3显示为本专利技术的降低Si表面粗糙度的方法步骤2)所呈现的结构示意图。9为本专利技术的降低Si表面粗糙度的方法一个具体实施过程所呈现的结构示意图。元件标号说明101第一硅衬底102SixGeh 层103Si 层104氧化层105第二硅衬底106残留 SixGeh 材料具体实施例方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图f图9。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图广图9所示，本实施例提供，所述方法至少包括以下步骤如图f图2所示，首先进行步骤I )，提供一至少包括SixGei_x层102以及结合于其表面的Si层103的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述SixGei_x层102，获得具有残留SixGei_x材料106的Si层103粗糙表面，其中，0〈x〈l。所述的残留SixGei_x材料106为尖刺状、块状或者不连续层状的SixGei_x材料。如图3所示，然后进行步骤2)，采用质量比为I 3 6 10 20的NH40H:H202:H20溶液对所述Si层103粗糙表面进行处理，去除所述残留SixGel-x材料106，以获得光洁的Si层103表面。在本实施例中，所述SixGe^层102为弛豫的SixGe^层102。所述Si层103为应变的Si层103。优选地，所述NH4OH = H2O2 = H2O溶液的质量比为I 5 6 10 12。所述步骤2)中，对所述Si层103粗糙表面进行处理的时间为5飞Omin。优选地，对所述Si层103粗糙表面进行处理的时间为l(T30min。 所述步骤2)中，对所述Si层103粗糙表面进行处理的温度为4(TlO(TC。优选地，对所述Si层103粗糙表面进行处理的温度为5(T80°C。一个具体的实施过程如9所示，包括步骤如6所不，首先提供一第一娃衬底101,于所述第一娃衬底101表面形成弛豫的SixGeh层102，所述弛豫的SixGeh层102的制作方法是，于所述第一硅衬底101表面形成SixGei_x层102，从所述SixGei_x层102表面将H或He离子注入至所述硅衬底，最后通过快速退火使所述SixGei_x层102产生弛豫。当然，也可以通过化学气相沉积法，通过线性增加Ge组分的方法制备弛豫的SixGei_x层102，具体地，于所述第一硅衬底101表面形成Ge组分X从95%线性减少到70%的SixGei_x层102，即所述SixGei_x层102最下面一层为Sia95Gea%，中间Ge的组分逐渐增加直至最上面一层为Sia3Gea7,以形成弛豫的SixGepj^102。当然，在其它的实施过程中，也可以采用其它的方法制备所述的弛豫的SixGeh层102。然后通过化学气相沉积法于所述弛豫的SixGei_x层102表面沉积应变的Si层103，其中，所述应变的Si层103的厚度小于其临界厚度。需要进一步说明的是，晶体薄膜只要生长在与其晶格不匹配(晶格常数或者热膨胀系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低Si表面粗糙度的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：1）提供一至少包括SixGe1？x层以及结合于其表面的Si层的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述SixGe1？x层，获得具有残留SixGe1？x材料的Si层粗糙表面，其中，0

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张苗，母志强，薛忠营，陈达，狄增峰，王曦，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：