【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域,具体涉及一种硅片处理装置及方法。
技术介绍
电镀是IC电路后封装非常重要的工艺之一,其利用硅片的边缘做阳极,硅片中间的电镀窗口做阴极,然后在阴阳两极之间加一定的直流工作电压,通过控制电流大小及电镀槽中电镀液的浓度来控制金属凸块的高度。由于光刻胶不导电,因此在电镀工艺之前需将硅片边缘的光刻胶去掉,去边宽度大小取决于前道硅片边缘曝光(WaferEdgeExclusion,WEE)工艺的去边宽度。传统的硅片去边方法很多,但总的归纳起来有两大类:化学去边法和边缘曝光法。化学去边法是在硅片涂胶过程中,通过向硅片边缘喷洒溶剂以消除硅片边缘光刻胶,该方法的缺点是去边时间长、溶剂耗材成本高且溶剂易喷洒到硅片中间图形区域,严重影响图形质量。边缘曝光法是将硅片通过真空吸附在旋转平台上,在硅片边缘上方固定一套紫外曝光镜头以产生一定大小尺寸的均匀照明光斑,然后利用旋转台的旋转来实现硅片边缘曝光。相比化学去边法,边缘曝光法具有生产效率高、装置成本低和过程易于控制等优点。在边缘曝光过程中,硅片被传输到硅片旋转台上后,首先要对硅片进行预对准处理,这是因为硅片被传输到预对准系统的位置是随机的,存在位置误差,预对准的目的就是要调整这些偏差,完成硅片的定心及缺口的定向。定心就是要把硅片的型心移动到旋转台的型心上,使二者重合,定向就是把硅片的缺口转动到指定位置上,这样就保证硅片能以一个固定的姿态被传输到曝光台上 ...
【技术保护点】
一种硅片处理装置,用以对硅片进行预对准和边缘曝光,其特征在于:包括预对准模块、边缘曝光模块、运动模块、控制模块、固定模块、旋转台和定位台;所述预对准模块、边缘曝光模块、运动模块、控制模块和定位台均与所述固定模块相连;所述控制模块与预对准模块、边缘曝光模块和运动模块之间电联接;所述运动模块包括由上到下依次连接的旋转模组、升降模组和直线模组;所述旋转模组顶端与所述旋转台相连,所述旋转台用于承载和固定所述硅片,旋转模组带动所述旋转台和硅片进行旋转;所述定位台位于旋转台下方,所述定位台用于在硅片靠近所述定位台时吸附硅片;所述升降模组带动所述旋转模组沿竖直方向移动;所述直线模组底面滑动的设置在所述固定模块,带动所述升降模组和旋转模组沿固定模块在水平方向移动;所述预对准模块和边缘曝光模块分别与所述硅片在水平方向两侧的缘边相对应;所述预对准模块首先采集和处理硅片的位置信息,并将所述位置信息传送至控制模块,接着控制模块根据硅片的位置信息控制运动模块对旋转台的位置进行调整,实现硅片预对准,最后控制模块通过控制运动模块和边缘曝光模块对硅片进行边缘曝光。
【技术特征摘要】
1.一种硅片处理装置,用以对硅片进行预对准和边缘曝光,其特征在于:
包括预对准模块、边缘曝光模块、运动模块、控制模块、固定模块、旋转台和
定位台;所述预对准模块、边缘曝光模块、运动模块、控制模块和定位台均与
所述固定模块相连;所述控制模块与预对准模块、边缘曝光模块和运动模块之
间电联接;所述运动模块包括由上到下依次连接的旋转模组、升降模组和直线
模组;所述旋转模组顶端与所述旋转台相连,所述旋转台用于承载和固定所述
硅片,旋转模组带动所述旋转台和硅片进行旋转;所述定位台位于旋转台下方,
所述定位台用于在硅片靠近所述定位台时吸附硅片;所述升降模组带动所述旋
转模组沿竖直方向移动;所述直线模组底面滑动的设置在所述固定模块,带动
所述升降模组和旋转模组沿固定模块在水平方向移动;所述预对准模块和边缘
曝光模块分别与所述硅片在水平方向两侧的缘边相对应;
所述预对准模块首先采集和处理硅片的位置信息,并将所述位置信息传送
至控制模块,接着控制模块根据硅片的位置信息控制运动模块对旋转台的位置
进行调整,实现硅片预对准,最后控制模块通过控制运动模块和边缘曝光模块
对硅片进行边缘曝光。
2.根据权利要求1所述的硅片处理装置,其特征在于:所述预对准模块包
括预对准光源和预对准镜头;所述预对准光源位于硅片在水平方向其中一侧边
缘的下方,所述预对准镜头位于所述预对准光源的上方,所述硅片位于所述预
对准镜头和预对准光源之间;所述预对准光源发出照射光线照射所述硅片的边
缘,并到达所述预对准镜头后由图像传感器采集硅片边缘的位置信息数据或缺
口信息数据,并将采集到的数据传送给所述控制模组内的数据处理元件计算硅
片中心相对于旋转台中心的偏移量或硅片缺口顶点位置。
3.根据权利要求2所述的硅片处理装置,其特征在于:所述预对准光源为
可见光波段光源。
4.根据权利要求1所述的硅片处理装置,其特征在于:所述边缘曝光模块
包括一个边缘曝光镜头,所述边缘曝光镜头位于所述硅片边缘的上方,与所述
预对准模块所在位置的连线经过所述硅片的圆心,边缘曝光镜头包括曝光光源
和可变视场光阑,所述曝光光源位于可变视场光阑上方,曝光光源发出的光线
经过可变视场光阑之后照射到硅片上进行曝光。
5.根据权利要求4所述的硅片处理装置,其特征在于:所述曝光光源为紫
外波段光源。
6.根据权利要求1所述的硅片处理装置,其特征在于:所述旋转模组、升
降模组和直线模组三者的中心轴重合。
7.根据权利要求1所述的硅片处理装置,其特征在于:所述定位台是一侧
开口的U型结构,所述U型结构中空处的径向大小大于所述旋转模组和所述旋
转台的径向大小,且小于所述硅片的半径,所述定位台吸附硅片采用两点吸附
的方式。
8.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:王刚,田翠侠,姜杰,王邵玉,阮冬,
申请(专利权)人:上海微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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