一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法技术

本发明专利技术公开了一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法，包括：提供硅片，所述硅片表面固定有已完成表面工艺的晶圆；利用减薄工艺，对所述硅片远离所述晶圆的一面进行减薄，当硅片远离所述晶圆的一面减薄至露出所述晶圆时，取下所述晶圆；当硅片远离所述晶圆的一面减薄至距离所述晶圆剩余有预设厚度时，利用腐蚀工艺，对减薄后的硅片进行腐蚀，露出所述晶圆，并取下所述晶圆。本发明专利技术实施例提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法能够在不影响晶圆表面电极形貌和正向电压参数及不破坏晶圆正面芯片图形的前提下，将晶圆卸下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆上可以加工制作成各种电路元件结构，形成具有特定电性功能的集成电路产品。现有的晶圆的尺寸通常为2英寸(即：直径为5.08厘米)或3英寸(即：直径为7.62厘米)，现有技术中加工晶圆的设备的规格也是2英寸或3英寸。在这样的设备上加工晶圆时，只能以单片方式进行加工，使得加工效率较低，进而晶圆的流通产能和流通效率较低。为了解决这个问题，可以将多片晶圆粘贴在大尺寸的硅片上，利用硅片的加工设备对晶圆进行加工，一次加工后能够得到多片表面工艺完成的晶圆，提高了加工效率。在对晶圆加工完成之后需要对晶圆进行卸片操作，得到单个表面工艺完成的晶圆。现有技术中卸片的方法主要有两种：一是高温卸片，即通过高温将粘贴晶圆的胶融化，对晶圆进行卸片操作；二是腐蚀卸片，即对晶圆进行正面保护后，用腐蚀溶液(一般为硝酸、氢氟酸和醋酸的混合溶液)将硅片腐蚀掉，对晶圆进行卸片操作。利用上述现有技术中的卸片方法对粘贴有表面工艺完成的晶圆的硅片上的晶圆进行卸片时，由于晶圆表面的工艺已经完成，将出现以下问题：利用高温卸片方法进行卸片时，晶圆表面电极形貌和正向电压参数均会受到较大影响，导致晶圆参数不合格，产品报废；利用腐蚀卸片方法进行卸片时，即使晶圆表面涂布半导体工艺常用的光刻胶或者二氧化硅，也无法保证能够完全保护好晶圆正面的图形，图形会受到腐蚀破坏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法，能够解决利用现有技术中的卸片方法对已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片时，影响晶圆表面电极形貌和正向电压参数及破坏晶圆正面图形的问题。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法，包括：提供硅片，所述硅片表面固定有已完成表面工艺的晶圆；利用减薄工艺，对所述硅片远离所述晶圆的一面进行减薄，当硅片远离所述晶圆的一面减薄至露出所述晶圆时，取下所述晶圆；当硅片远离所述晶圆的一面减薄至距离所述晶圆剩余有预设厚度时，利用腐蚀工艺，对减薄后的硅片进行腐蚀，露出所述晶圆，取下所述晶圆。进一步地，当硅片远离所述晶圆的一面减薄至露出所述晶圆时，所述晶圆被减薄的厚度不大于100微米。进一步地，所述预设厚度不大于30微米。进一步地，所述提供硅片，所述硅片表面固定有已完成表面工艺的晶圆之后，利用减薄工艺，对所述硅片远离所述晶圆的一面进行减薄之前，还包括：提供载盘；将所述硅片的固定有晶圆的一面粘贴在所述载盘上；将所述载盘安装在减薄机上。进一步地，所述取下所述晶圆之前，还包括:将所述晶圆与所述载盘分离。进一步地，所述将所述硅片的固定有晶圆的一面粘贴在所述载盘上，具体为：对所述载盘进行加热；将石蜡涂在所述载盘上；将所述硅片的固定有晶圆的一面与所述载盘涂有石蜡的一面接触并粘贴。进一步地，所述将所述硅片的固定有晶圆的一面与所述载盘涂有石蜡的一面接触并粘贴之后，还包括：对所述硅片进行压片处理。进一步地，所述将所述晶圆与所述载盘分离，具体为通过加热工艺将所述晶圆与所述载盘分离。进一步地，将所述晶圆与所述载盘分离之后还包括：去除所述晶圆表面残留的石蜡。进一步地，去除所述晶圆表面残留的石蜡具体为：利用丙酮溶液去除所述晶圆表面残留的石蜡。本专利技术实施例提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法，通过减薄工艺，或者减薄工艺和腐蚀工艺，将晶圆从硅片上卸下，不会造成对晶圆表面电极形貌和正向电压参数的影响，且不会破坏晶圆正面的芯片图形。附图说明为了更加清楚地说明本专利技术示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本专利技术所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。图1是本专利技术实施例一提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法的流程图。图2是本专利技术实施例一提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法的固定有已完成表面工艺的晶圆的硅片的结构剖面图。图3是本专利技术实施例一提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法的步骤利用减薄工艺，对硅片远离晶圆一面进行减薄，硅片远离晶圆的一面减薄至距离晶圆剩余有预设厚度对应的结构的剖面图。图4是本专利技术实施例一提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法的步骤将硅片的固定有晶圆的一面粘贴在载盘上对应的结构的剖面图。图5是本专利技术实施例一提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法的步骤将石蜡涂在载盘上对应的结构的剖面图。图6是本专利技术实施例一提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法的步骤将载盘安装在减薄机上进行减薄后对应的结构的剖面图。图7是本专利技术实施例一提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法的步骤利用腐蚀工艺，对减薄后的硅片进行腐蚀，露出晶圆对应的结构的剖面图。图8是本专利技术实施例一提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法的步骤将晶圆与载盘分离对应的结构的剖面图。图9是本专利技术实施例二提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本专利技术实施例中的附图，通过具体实施方式，完整地描述本专利技术的技术方案。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本专利技术的保护范围之内。实施例一：图1是本专利技术实施例一提供的将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法的流程图。如图1所示，该方法包括以下步骤：S11、提供硅片，硅片表面固定有已完成表面工艺的晶圆。如图2所述，本实施例中的硅片21上设置有至少一个(图中仅示出三个)晶圆定位槽24，晶圆定位槽24中固定有晶圆22。S12、利用减薄工艺，对硅片远离晶圆的一面进行减薄，硅片远离晶圆的一面减薄至距离晶圆剩余有预设厚度。如图3所示，减薄后的硅片21上远离晶圆22一面的硅23有剩余。硅片远离晶圆一面所剩余的硅将通过后期的腐蚀工艺去除。为了减小腐蚀对晶圆正面芯片图形的影响，应将腐蚀的时间尽量缩短。因此，应将剩余的硅的厚度，即预设厚度，控制在尽量小的数值范围内，以尽量避免腐蚀对晶圆的影响。优选的，在保证硅片21的减薄厚度易于控制的前提下，当预设厚度不大于30微米时，可以有效缩短晶圆22的腐蚀时间，避免了腐蚀工艺对晶圆正面芯片图形的影响。减薄可以在减薄机上进行，为了使硅片的减薄更利于被控制，步骤S11之后，步骤S12之前，还可以包括步骤S111、步骤S112和步骤S113：S111、提供载盘。载盘的材料可以为陶瓷或玻璃等任何可以将硅片固定在减薄机上的材料。载盘的尺寸优选为不小于硅片的尺寸，这样在将硅片粘贴在载盘上之后，才能保证载盘将硅片上的晶圆完全覆盖，在减薄和后期腐蚀的过程中才能通过载盘最好地对晶圆进行保护。S112、将硅片的固定有晶圆的一面粘贴在载盘上。如图4所示，将硅片21本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法，其特征在于，包括：提供硅片，所述硅片表面固定有已完成表面工艺的晶圆；利用减薄工艺，对所述硅片远离所述晶圆的一面进行减薄，当硅片远离所述晶圆的一面减薄至露出所述晶圆时，取下所述晶圆；当硅片远离所述晶圆的一面减薄至距离所述晶圆剩余有预设厚度时，利用腐蚀工艺，对减薄后的硅片进行腐蚀，露出所述晶圆，取下所述晶圆。

【技术特征摘要】
1.一种将已完成表面工艺的晶圆从硅片上进行卸片的方法，其特征在于，包括：提供硅片，所述硅片表面固定有已完成表面工艺的晶圆；利用减薄工艺，对所述硅片远离所述晶圆的一面进行减薄，当硅片远离所述晶圆的一面减薄至露出所述晶圆时，取下所述晶圆；当硅片远离所述晶圆的一面减薄至距离所述晶圆剩余有预设厚度时，利用腐蚀工艺，对减薄后的硅片进行腐蚀，露出所述晶圆，取下所述晶圆。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当硅片远离所述晶圆的一面减薄至露出所述晶圆时，所述晶圆被减薄的厚度不大于100微米。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设厚度不大于30微米。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供硅片，所述硅片表面固定有已完成表面工艺的晶圆之后，利用减薄工艺，对所述硅片远离所述晶圆的一面进行减薄之前，还包括：提供载盘；将所述硅片的固定有晶圆的一面粘贴在所述载盘上；将所述载盘安装在减薄机上...

【专利技术属性】
技术研发人员：王强，涂招莲，王磊，朱琳，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32