一种功率器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种功率器件及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一包括元胞区及终端区的半导体层；形成遮蔽层于半导体层上并图形化以形成多个离子注入窗口，多个离子注入窗口位于终端区并包括一第一注入窗口及多个分立设置的第二注入窗口，第一注入窗口位于元胞区与第二注入窗口之间并将遮蔽层划分为多个分立设置的遮蔽岛；以图形化的遮蔽层为掩膜对半导体层进行离子注入以在半导体层中形成多个离子注入区；进行退火以使述多个离子注入区融合得到横向变掺杂终端。本发明专利技术在终端外围直接通过精准的块状注入窗口进行环注入，注入完成后进行退火，可以形成曲率更好的圆弧状VLD形貌，改善离子注入区交界处的凹型接触，提升VLD终端的耐压效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路，涉及一种功率器件及其制作方法。

技术介绍

1、在电力电子学领域，功率半导体器件作为关键部件，其特性对系统性能的实现和改善起着至关重要的作用。功率半导体器件最主要的特点之一是其阻断高压的能力，而器件阻断高压的能力主要靠合理的终端结构。目前结终端保护技术主要有场扳(fieldplate，简称fp)、场限环(field limiting ring，简称flr)、结终端扩展(junctiontermination extention，简称jte)和横向变掺杂(variation of lateral doping，简称vld)技术等。其中fp和flr组合使用是一种改善表面击穿特性常用的有效方法，但该组合一般需要较大的尺寸，导致较大的芯片尺寸。vld终端因为可以大幅度减小终端尺寸，降低整体器件的成本，而被广泛应用到mos、igbt等功率器件中，具有良好的可靠性能。

2、常规vld终端一般通过调整终端区域注入窗口的大小与间距，注入后退火，形成vld终端，常规vld终端因为注入窗口越往外面间距越大，且注入窗口越小，导致注入后退火本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的功率器件的制作方法，其特征在于：在所述元胞区指向所述终端区的方向上，所述多个遮蔽岛排列成至少两列。

3.根据权利要求2所述的功率器件的制作方法，其特征在于：相邻两列所述遮蔽岛交错设置。

4.根据权利要求2所述的功率器件的制作方法，其特征在于：相邻两列所述遮蔽岛中，靠近所述元胞区的所述遮蔽岛的岛面积小于远离所述元胞区的所述遮蔽岛的岛面积。

5.根据权利要求1所述的功率器件的制作方法，其特征在于：在所述元胞区指向所述终端区的方向上，所述多个第二注入窗口排列成至少两列...

【技术特征摘要】

1.一种功率器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的功率器件的制作方法，其特征在于：在所述元胞区指向所述终端区的方向上，所述多个遮蔽岛排列成至少两列。

3.根据权利要求2所述的功率器件的制作方法，其特征在于：相邻两列所述遮蔽岛交错设置。

4.根据权利要求2所述的功率器件的制作方法，其特征在于：相邻两列所述遮蔽岛中，靠近所述元胞区的所述遮蔽岛的岛面积小于远离所述元胞区的所述遮蔽岛的岛面积。

5.根据权利要求1所述的功率器件的制作方法，其特征在于：在所述元胞区指向所述终端区的方向上，所述多个第二注入窗口排列成至少两列。

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李巍，贾鹏飞，韩天宇，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：