【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及图像传感，特别涉及一种图像传感器组件及电子设备。
技术介绍
1、在图像传感器的一些应用场景中，图像传感器背面具有较强的红外背景光，红外光有一定概率能够穿透图像传感器使图像传感器的光电转换层感光，进而在图像传感器中形成伪像，影响图像质量。另外，图像传感器组件的pcb板上的电子元件或走线以及csp芯片的焊垫层的信息会在光电转换层中形成固定的背景，在图像传感器中形成伪像影响图像质量。因此，需要采取措施限制从背面透过图像传感器组件的红外光线。
2、因此，如何提供一种图像传感器组件以解决现有技术上述问题实属必要。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种图像传感器组件及电子设备，能够有效避免图像传感芯片产生重影，提升图像质量。
2、一种图像传感器组件，包括图像传感芯片、电路板和红外光吸收层，图像传感芯片电性连接在电路板上，红外光吸收层设置在电路板上，并用于吸收射向图像传感芯片的红外光。
3、在本专利技术的实施例中，上述红外光吸收层的面积大于或等于所述图像传感芯片的面积，所述红外光吸收层覆盖所述图像传感芯片在所述电路板上的正投影。
4、在本专利技术的实施例中，上述红外光吸收层的材料为金属、黑色油墨、含碳黑环氧树脂其中至少一种。
5、在本专利技术的实施例中，上述红外光吸收层的厚度大于或等于10um。
6、在本专利技术的实施例中，上述红外光吸收层吸收光线的波长范围介于700nm-2000nm之间，吸收率大于或等
7、在本专利技术的实施例中，上述图像传感芯片包括光学结构层和光电转换层，所述光学结构层设置在所述光电转换层上，所述光电转换层基于互连层连接在所述电路板上，所述互连层与所述电路板之间通过打线实现电性连接。
8、在本专利技术的实施例中，上述图像传感芯片包括光学结构层、光电转换层、重新分配层和焊垫层，所述光学结构层设置在所述光电转换层上，所述光电转换层电性基于互连层连接在所述重新分配层上，所述重新分配层通过所述焊垫层电性连接在所述电路板上。
9、在本专利技术的实施例中，上述电路板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述图像传感芯片连接在所述第一表面上，所述红外光吸收层设置在所述第一表面上，并位于所述焊垫层的下方。
10、在本专利技术的实施例中，上述电路板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述图像传感芯片连接在所述第一表面上，所述红外光吸收层设置在所述第二表面上。
11、在本专利技术的实施例中，上述红外光吸收层设置于所述电路板中，并与所述电路板的上表面和下表面之间具有间距。
12、本专利技术还提供一种电子设备，包括如上述方案中任意一项所述的图像传感器组件。
13、本申请的图像传感器通过设置在电路板上的红外光吸收层吸收从背面照射至图像传感芯片的红外光，能够有效避免图像传感芯片产生重影，提升图像质量。由于红外光吸收层设置在电路板上，并非设置在图像传感芯片上，不仅设置方式简单，制作成本低廉，而且图像传感器的封装方式可兼顾csp封装和clcc封装，适应性更好。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种图像传感器组件，其特征在于，包括图像传感芯片、电路板和红外光吸收层，所述图像传感芯片电性连接在所述电路板上，所述红外光吸收层设置在所述电路板上，并用于吸收射向所述图像传感芯片的红外光。
2.如权利要求1所述的图像传感器组件，其特征在于，所述红外光吸收层的面积大于或等于所述图像传感芯片的面积，所述红外光吸收层覆盖所述图像传感芯片在所述电路板上的正投影。
3.如权利要求1所述的图像传感器组件，其特征在于，所述红外光吸收层的材料为金属、黑色油墨、含碳黑环氧树脂其中至少一种。
4.如权利要求1所述的图像传感器组件，其特征在于，所述红外光吸收层的厚度大于或等于10um。
5.如权利要求1所述的图像传感器组件，其特征在于，所述红外光吸收层吸收光线的波长范围介于700nm-2000nm之间，吸收率大于或等于99％。
6.如权利要求1所述的图像传感器组件，其特征在于，所述图像传感芯片包括光学结构层和光电转换层，所述光学结构层设置在所述光电转换层上，所述光电转换层基于互连层连接在所述电路板上，所述互连层与所述电路板之间通过打线实现
7.如权利要求1所述的图像传感器组件，其特征在于，所述图像传感芯片包括光学结构层、光电转换层、重新分配层和焊垫层，所述光学结构层设置在所述光电转换层上，所述光电转换层电性基于互连层连接在所述重新分配层上，所述重新分配层通过所述焊垫层电性连接在所述电路板上。
8.如权利要求7所述的图像传感器组件，其特征在于，所述电路板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述图像传感芯片连接在所述第一表面上，所述红外光吸收层设置在所述第一表面上，并位于所述焊垫层的下方。
9.如权利要求1至7任一项所述的图像传感器组件，其特征在于，所述电路板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述图像传感芯片连接在所述第一表面上，所述红外光吸收层设置在所述第二表面上。
10.如权利要求1至7任一项所述的图像传感器组件，其特征在于，所述红外光吸收层设置于所述电路板中，并与所述电路板的上表面和下表面之间具有间距。
11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至10中任一项所述的图像传感器组件。
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器组件，其特征在于，包括图像传感芯片、电路板和红外光吸收层，所述图像传感芯片电性连接在所述电路板上，所述红外光吸收层设置在所述电路板上，并用于吸收射向所述图像传感芯片的红外光。
2.如权利要求1所述的图像传感器组件，其特征在于，所述红外光吸收层的面积大于或等于所述图像传感芯片的面积，所述红外光吸收层覆盖所述图像传感芯片在所述电路板上的正投影。
3.如权利要求1所述的图像传感器组件，其特征在于，所述红外光吸收层的材料为金属、黑色油墨、含碳黑环氧树脂其中至少一种。
4.如权利要求1所述的图像传感器组件，其特征在于，所述红外光吸收层的厚度大于或等于10um。
5.如权利要求1所述的图像传感器组件，其特征在于，所述红外光吸收层吸收光线的波长范围介于700nm-2000nm之间，吸收率大于或等于99％。
6.如权利要求1所述的图像传感器组件，其特征在于，所述图像传感芯片包括光学结构层和光电转换层，所述光学结构层设置在所述光电转换层上，所述光电转换层基于互连层连接在所述电路板上，所述互连层...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡泽望，於亥雨，阮舜逸，
申请(专利权)人：思特威深圳电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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