多晶硅镀膜异常硅片表面的处理方法技术

本发明专利技术涉及一种将晶硅太阳能电池异常镀膜后的硅片表面氮化硅膜去除的方法，该方法包括氢氟酸去膜和混酸处理两个步骤，本发明专利技术处理方法使得经过处理的硅片表面氮化硅膜完全去除干净，硅片表面不会有残留物，对于硅片的绒面损伤很小，方便硅片的再一次制绒，保证生产流程的顺利进行等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池生产中，具体的说是一种将晶硅太阳能电池异常镀膜后的硅片表面氮化硅膜去除的方法。
技术介绍
在等离子体增强化学气相沉积(英文简称PECVD)后，由于异常放电等不确定因素，造成硅片表面沉积的非单纯氮化硅膜异常，氮化硅膜表现为发红、发黄、彩虹片等色差片，影响硅片的外观效果和转换效率，无法正常流入下一道工序。所以需要将膜去掉进行返工处理，保证返工流程的顺利进行。
技术实现思路
本专利技术的目的是要提供一种，使硅片表面更加洁净，方便硅片的再一次制绒，提高硅片外观效果和转换效率。本专利技术的目的是这样实现的:该方法包括以下步骤: ①、氢氟酸去膜:在酸处理槽中加入130升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入24升浓度为49%的电子级(EL级)氢氟酸(HF)，在常温下将待处理的异常镀膜片浸入该槽溶液中反应15分钟，待反应结束后放入漂洗槽中漂洗，经甩干后得到处理后的多晶硅片待用。②、混酸处理:在湿刻机酸处理槽中加入90升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入30升浓度为49%的电子级(EL级)氢氟酸(HF)和175升浓度为70%的电子级(EL级)硝酸(HNO3),在传动速度为0.55m/min，温度4°C的条件下，将步骤①中处理后的多晶硅片膜面向下，逐一摆放到滚轮上，下表面与混和酸液体相互接触，进行去膜处理，反应时间为4分钟。本专利技术由于采用上述处理方法，使得经过处理的硅片表面氮化硅膜完全去除干净，硅片表面不会有残留物，对于硅片的绒面损伤很小，方便硅片的再一次制绒，保证生产流程的顺利进行等优点。【附图说明】图1是未经过本专利技术所述表面处理的硅片外观图。图2是经过本专利技术所述氢氟酸处理过的硅片外观图。图3是经过本专利技术所述混酸处理过的硅片的外观图。【具体实施方式】附图1所示的是待处理的表面沉积有非单纯氮化硅膜的异常硅片外观图，图中可以很清晰的看到A区域为正常区域，左下角的B区域为异常氮化硅膜，待处理的多晶硅片数量可以连续生产30万片。处理方法如下:1、在酸处理槽中加入130升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入24升浓度为49%的电子级(EL级)氢氟酸(HF)，使氢氟酸(HF)的浓度达到7.6%。温度控制在室温20_23°C，腐蚀15分钟，然后进行漂洗，漂洗后甩干。处理后的多晶硅表面如图2所示，图中可以看到单纯的氮化硅膜已经去掉，还有少许残余的非单纯的氮化硅膜附着在表面，呈暗灰色。2、在湿刻机酸处理槽中加入90升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入30升浓度为49%的电子级(EL级)氢氟酸(HF)和175升浓度为70%的电子级(EL级)硝酸(HNO3)，使氢氟酸(HF)的浓度达到5 %，硝酸(HNO3)浓度达到41.5%。混合均匀，待温度降至4°C时，在传动速度为0.55m/min的条件下，将步骤I处理后的多晶硅片膜面向下，逐一摆放到滚轮上，下表面与混和酸液体相互接触，进行去膜处理，反应时间为4分钟。经过吹干后统一收集起来，留待以后进行再一次制绒。处理后的多晶硅表面如图3所示，图中可以看到暗灰色的非单纯的氮化硅膜已经去除，呈现出硅本色。本方法中的硝酸及氢氟酸浓度以及处理的时间和溶液温度并不只限于实施中所披露的取值范围，根据多晶硅片表面膜的情况及所要求的减重情况，可以对所涉及的浓度、温度、时间等参数的取值进行适当调整。【主权项】1.一种多晶娃镀膜异常娃片表面的处理方法,其特征在于: 该方法包括以下步骤: ①、氢氟酸去膜:在酸处理槽中加入130升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入24升浓度为49%的电子级氢氟酸，在常温下将待处理的异常镀膜片浸入该槽溶液中反应15分钟，待反应结束后放入漂洗槽中漂洗，经甩干后后得到处理后的多晶硅片待用； ②、混酸处理:在湿刻机酸处理槽中加入90升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入30升浓度为49%的电子级氢氟酸和175升浓度为70%的电子级硝酸，在传动速度为0.55m/min,温度4°C的条件下，将步骤①处理后的多晶硅片膜面向下，逐一摆放到滚轮上，下表面与混和酸液体相互接触，进行去膜处理，反应时间为4分钟。【专利摘要】本专利技术涉及一种将晶硅太阳能电池异常镀膜后的硅片表面氮化硅膜去除的方法，该方法包括氢氟酸去膜和混酸处理两个步骤，本专利技术处理方法使得经过处理的硅片表面氮化硅膜完全去除干净，硅片表面不会有残留物，对于硅片的绒面损伤很小，方便硅片的再一次制绒，保证生产流程的顺利进行等优点。【IPC分类】H01L21/02, H01L31/18【公开号】CN104952969【申请号】CN201410110366【专利技术人】丁彦龙, 刘万学, 曲爽, 王月, 王磊, 李岩峰, 韩丽, 侯文会 【申请人】吉林庆达新能源电力股份有限公司【公开日】2015年9月30日【申请日】2014年3月24日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅镀膜异常硅片表面的处理方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：①、氢氟酸去膜：在酸处理槽中加入130升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入24升浓度为49%的电子级氢氟酸，在常温下将待处理的异常镀膜片浸入该槽溶液中反应15分钟，待反应结束后放入漂洗槽中漂洗，经甩干后后得到处理后的多晶硅片待用；②、混酸处理：在湿刻机酸处理槽中加入90升电阻率为18兆欧的纯水，然后加入30升浓度为49%的电子级氢氟酸和175升浓度为70%的电子级硝酸，在传动速度为0.55m/min，温度4℃的条件下，将步骤①处理后的多晶硅片膜面向下，逐一摆放到滚轮上，下表面与混和酸液体相互接触，进行去膜处理，反应时间为4分钟。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁彦龙，刘万学，曲爽，王月，王磊，李岩峰，韩丽，侯文会，
申请(专利权)人：吉林庆达新能源电力股份有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22