【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池生产领域，具体的说是一种能够快速有效的在单晶硅扩散工艺中吸杂的方法。
技术介绍
我国对太阳能电池的研究开发工作高度重视，早在七五期间，非晶硅半导体的研究工作已经列入国家重大课题；八五和九五期间，我国把研究开发的重点放在大面积太阳能电池等方面。2003年10月，国家发改委、科技部制定出未来5年太阳能资源开发计划，发改委"光明工程"将筹资100亿元用于推进太阳能发电技术的应用，计划到2015年全国太阳能发电系统总装机容量达到300兆瓦。我国已成为全球光伏产品最大制造国，我国即将出台的《新能源振兴规划》，我国光伏发电的装机容量规划为2020年达到20GW，是原来《可 再生能源中长期规划》中I. 8GW的10多倍。太阳能电池的应用已从军事领域、航天领域进入工业、商业、农业、通信、家用电器以及公用设施等部门，尤其可以分散地在边远地区、高山、沙漠、海岛和农村使用，以节省造价很贵的输电线路。目前，在现有单晶硅太阳能电池生产中，对单晶硅片进行扩散的方法通常采用恒温或变温扩散〖亘温干氧吸杂的工艺，上述扩散方法不能够有效的提高单晶硅电池整体的性能与效率，直接...
【技术保护点】
一种太阳能电池生产中单晶硅的扩散方法，该方法包括扩散工序、干氧吸杂工序，其特征在于：具体步骤是：扩散工序后的干氧吸杂工序采用先高温后低温的变温通氧吸杂工序，首先在850℃左右通入1000sccm/min的干氧100秒，然后继续变温至830度左右通入2000sccm/min干氧500秒完成吸杂过程。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘万学，张兵，王德宏，崔学国，刘志坚，
申请(专利权)人：吉林庆达新能源电力股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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