【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种衬底处理设备和方法，特别涉及一种用于制造薄膜太阳能电池的。
技术介绍
在诸多的太阳能电池应用技术中，薄膜太阳能电池因无污染，能耗少，成本低廉，可以大规模生产等一系列优点，被广泛应用于航空、航天以及人们的日常生活中。常见的薄膜太阳能电池包括非晶硅薄膜太阳能电池，铜铟镓硒薄膜太阳能电池和碲化镉薄膜太阳能电池。在公开号为CN101027749A和CN101226967A的中国专利技术专利文件中，可以发现更多上述的薄膜太阳能电池的形成方法。在薄膜太阳能电池的制造中，透明导电氧化物(TCO, transparent conductiveoxide)薄膜的沉积是重要的工艺环节。所述透明导电氧化物薄膜用于制作薄膜太阳能电池的电极，通常所述透明导电氧化物薄膜为氧化锌膜。所述透明导电氧化物薄膜的沉积通常在低压化学气相沉积(LPCVD, low pressure chemical vapor deposition)装置中完成。现有技术的LPCVD装置包括负载腔、处理腔和设置在所述负载腔和处理腔之间并连接所述负载腔和处理腔的阀门。透明导电氧化物薄膜的沉积步骤包括将...
【技术保护点】
一种衬底处理装置，包括第一负载腔、第一阀门和处理腔，所述第一阀门设置在所述第一负载腔和所述处理腔之间，用于连接所述第一负载腔和所述处理腔，其特征在于，所述衬底处理装置还包括第一气压调节单元，以使得所述第一阀门打开时，所述第一负载腔的气压大于所述处理腔的气压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李一成，汪宇澄，陈亮，陶成钢，
申请(专利权)人：理想能源设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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