一种化学气相沉积装置及其温控方法制造方法及图纸

一种化学气相沉积装置，包括：反应腔；设置于所述反应腔底部的基座，用于支撑一个或多个待处理基片；用于加热所述基座与基片的加热单元；设置于所述反应腔顶部的气体喷淋组件，包括第一进气装置和第二进气装置，所述气体喷淋组件与所述基座之间形成反应区；设置于气体喷淋组件上用于封闭反应腔并包含冷却装置的盖体；所述盖体和所述气体喷淋组件之间形成有狭缝；第一温度测量装置，用于测量气体喷淋组件温度；温控供气装置，用于对A与B两种气体进行配比并根据测量的气体喷淋组件温度供应配比后的气体至所述狭缝。本发明专利技术通过调节气体喷淋组件与反应腔体冷却部件间的气体比例，实现气体喷淋组件温度的精确控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学气相沉积
，特别涉及一种化学气相沉积装置及其温控方法。
技术介绍
化学气相沉积(Chemicalvapordeposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术，其通过化学气相沉积装置得以实现。具体地，CVD装置通过进气装置将反应气体通入反应室中，并控制反应室的压强、温度等反应条件，使得反应气体发生反应，从而完成沉积工艺步骤。为了沉积所需薄膜，一般需要向反应室中通入多种不同的反应气体，且还需要向反应室中通入载气或吹扫气体等其他非反应气体，因此在CVD装置中需要设置多个进气装置。以下以金属有机化学气相沉积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition，MOCVD)装置为例，介绍现有技术中包括多个进气装置的CVD装置。MOCVD主要用于氮化镓、砷化镓、磷化铟、氧化锌等III-V族，II-VI族化合物及合金的薄层单晶功能结构材料的制备，随着上述功能结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：反应腔，用以对放置于所述反应腔内的基片进行处理；基座，设置于所述反应腔内部，所述基座用于支撑一个或多个待处理的基片；加热单元，用于加热所述基座与所述基片，所述加热单元具有控制回路；气体喷淋组件，设置于所述反应腔的顶部，所述气体喷淋组件包括第一进气装置和第二进气装置，所述气体喷淋组件与所述基座之间形成反应区；所述气体喷淋组件将反应气体分配至所述反应区内；盖体，用于封闭所述反应腔，所述盖体包含一冷却装置，所述气体喷淋组件位于所述盖体与所述基座之间；所述盖体和所述气体喷淋组件之间形成有狭缝；第一温度测量装置，用于测量所述气体喷淋组件的温度；温控供气装置，用以将...

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：
反应腔，用以对放置于所述反应腔内的基片进行处理；
基座，设置于所述反应腔内部，所述基座用于支撑一个或多个待处理的
基片；
加热单元，用于加热所述基座与所述基片，所述加热单元具有控制回路；
气体喷淋组件，设置于所述反应腔的顶部，所述气体喷淋组件包括第一进气
装置和第二进气装置，所述气体喷淋组件与所述基座之间形成反应区；所述
气体喷淋组件将反应气体分配至所述反应区内；
盖体，用于封闭所述反应腔，所述盖体包含一冷却装置，所述气体喷淋
组件位于所述盖体与所述基座之间；
所述盖体和所述气体喷淋组件之间形成有狭缝；
第一温度测量装置，用于测量所述气体喷淋组件的温度；
温控供气装置，用以将混合载气供应至所述狭缝中，所述混合载气包括
第一载气和第二载气，所述温控供气装置根据所述气体喷淋组件的温度，相
应调整所述第一载气与所述第二载气的配比。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一载气包
括氢气或氦气中的至少一种，所述第二载气包括氮气或氩气中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述混合载气中
第一载气的比例越高，所述第一温度测量装置所测得的温度越低。
4.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述温控供气装<...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋涛，萨尔瓦多，刘强，马悦，黄占超，奚明，
申请(专利权)人：理想能源设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31