本发明专利技术涉及一种在石墨烯上基于原子层沉积氮化铝的氮化镓的生长方法和氮化镓激光器，该方法包括如下步骤：S1 将铜衬底抛光、清洗；S2 在铜衬底上制备石墨烯层；S3 利用原子层沉积法在石墨烯层上生长一层氮化铝薄层；S4 在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长GaN层，因此可以得到高质量的氮化镓激光器；本发明专利技术采用石墨烯层作为铜衬底与GaN外延层之间的缓冲层，通过原子层沉积方法制备的氮化铝层，可以实现材料的原子层的逐层生长，良好的厚度可控性和高精度的薄膜生长质量，解决了衬底和外延层之间大的晶格失配、提高外延层的质量。
【技术实现步骤摘要】
基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器
本专利技术涉及一种在石墨烯上基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器，属于光电子
技术介绍
氮化镓材料作为一种新型的半导体材料受到了越来越多的关注。作为第三代半导体的代表性材料，氮化镓具有优异的电学和光学性质，其具有较宽带隙、直接带隙的优点，耐高温高压，电子迁移率高等优势在电子器件和光电子器件等领域中具有广泛的应用，因此制备高质量的氮化镓是制备上述器件的关键。石墨烯是新型二维纳米材料它们的原子之间通过sp2电子轨道链接在一起，并且由于石墨烯具有六角密排的原子格位，与氮化物晶体中各层原子的排布情形相同，因此以石墨烯作为缓冲层能够提高氮化物外延层的晶体质量。现有技术氮化物的制备过程中，氮化铝薄膜的制备主要是通过磁控溅射、化学气相沉积、金属有机化学气相沉积等方法，如公开日为2016年7月6日，公布号：CN105734530A，申请人为西安电子科技大学的中国专利文献，公开了一种在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法。该方法的具体步骤如下：(1)在铜衬底上通过金属有机物化学气相淀积MOCVD生长石墨烯；(2)在覆盖石墨烯层的铜衬底上采用磁控溅射生长一层氮化铝薄膜；(3)将得到的氮化铝基板进行一定时间的热处理；(4)将进行热处理之后的样品放入金属有机物化学气相淀积MOCVD中依次外延低V/III比氮化镓外延层和高V/III比氮化镓外延层。该方法易在覆盖石墨烯层的铜衬底上得到质量较好的氮化镓外延层。但是，该方法仍然存在的不足之处是：采用磁控溅射，溅射速度快，但是薄膜的质量差、杂质多，并且在溅射生长成膜之后还需要进一步的热处理，因此该方法无法生长较好的AlN层从而使得获得的氮化物材料质量较差。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的不足，提出了一种在石墨烯上基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器，该生长方法可以有效降低衬底与外延材料之间的应力，明显提高外延层质量，通过该生长方法可以制备得到新结构的氮化镓激光器。本专利技术的技术方案如下：一种基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于步骤如下：S1将铜衬底抛光、清洗；S2在铜衬底上生长石墨烯层；S3利用原子层沉积法在石墨烯层上生长一层氮化铝薄层；S4在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长GaN层。其中，步骤S1如下：首先将铜衬底进行清洗去除表面的油污和氧化层，再经机械抛光和电化学抛光的双重抛光之后，依次用乙醇和去离子水清洗三次、稀盐酸清洗5-10min、去离子水清洗数次，N2吹干得到铜衬底。步骤S2如下：S2a将经过步骤S1处理的铜衬底放置于管式炉石英管中，抽真空5-7min；S2b往管式炉石英管中通入氢气，流量100sccm，并加热至800-1050℃后退火0.5-3小时；S2c再往管式炉石英管中通入氩气和氢气的混合气体、碳源气体甲烷进行石墨稀层的生长，然后关闭碳源气体甲烷和氢气，将管式炉石英管在氩气气氛下随炉冷却至室温，得到生长有石墨稀层的铜衬底。其中，步骤S2c中通入的混合气体中氩气和氢气的体积比为20:1-10:1，氢气和甲烷的体积比为20:1-4:1。步骤S3如下：S3a将步骤S2处理的生长有石墨稀层的铜衬底放置于原子层沉积设备反应腔中，抽真空，气压保持在0.2-0.4Torr；S3b向所述原子层沉积设备反应腔中通入TMA（三甲基铝）与等离子体化的氮气和氢气的混合气体，TMA（三甲基铝）作为铝源，等离子体化的氮气和氢气的混合气体作为氮源，氮气或惰性气体作为载气；S3c重复步骤S3a、S3b，即可在所述生长有石墨稀层的铜衬底表面上形成氮化铝薄膜。上述步骤S3的S3b中：氮气和氢气的体积比为4:1，N2作为载气，载气流量在40-80sccm，以使腔室内的真空度保持在0.2Torr；所述S3b中：在沉积之前首先向原子层沉积设备反应腔内通入氮气进行清洗，在每次沉积之后再通入氮气对原子层沉积设备反应腔进行清洗，清洗时间为30-60s。所述S3c中：每个ALD（原子层沉积）循环依次为0.2-0.4sTMA脉冲，50s的吹扫时间，40s氮气和氢气混合物气脉冲，40s的吹扫时间，此为一个ALD周期，等离子体发生器的功率在100w，生长温度区间在100-300℃。所述步骤S4中，利用金属有机物化学气相沉积法的生长速率为0.4μm/h～4μm/h，生长温度为800-1200℃，使用的载气为氮气和氢气的混合气体。本专利技术生长得到的产品的结构，从下到上依次为：铜衬底、石墨烯层、氮化铝层、氮化镓层，其中石墨烯层的厚度为1-30层；优选的，石墨烯层的厚度为1-10层；AlN层的厚度为20-100nm；优选的，AlN层的厚度为90nm，GaN层的厚度为0.4μm～5μm；优选的，GaN层厚度为2μm。基于上述生长方法，还可以制备得到氮化镓激光器，所述氮化镓激光器的结构为：在铜衬底上依次生长有石墨烯层、氮化铝层、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、N型覆盖层、N型波导层、有源区多量子阱层、P型波导层、P型覆盖层、P型氮化镓层，形成氮化镓激光器结构。与现有技术相比，本专利技术的优良效果在于：1)本专利技术通过采用石墨烯层作为铜衬底与GaN外延层之间的缓冲层，可以解决衬底和外延层之间大的晶格失配和热失配引起的缺陷位错，龟裂等问题，有效降低衬底与外延材料之间的应力、提高GaN外延层质量。2)本专利技术通过原子层沉积方法制备的氮化铝层，可以实现材料的原子层的逐层生长，良好的厚度可控性和高精度的薄膜生长质量，解决了衬底和外延层之间大的晶格失配、提高外延层的质量。附图说明图1是本专利技术的生长流程图。图2是本专利技术的生长得到的氮化镓外延片的剖面结构示意图。具体实施方式为了使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。参考图1，本专利技术的步骤如下：S1将铜衬底抛光、清洗；S2在铜衬底上生长石墨烯层；S3利用原子层沉积法在石墨烯层上生长一层氮化铝薄层；S4在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长GaN层。实施例1本专利技术具体实施如下：步骤S1首先将铜衬底进行清洗去除表面的油污和氧化层，再经机械抛光和电化学抛光的双重抛光之后，依次用乙醇和去离子水清洗三次，稀盐酸清洗5-10min，去离子水清洗数次，N2吹干得到铜衬底。步骤S2在铜衬底上生长石墨烯层：S2a将经过步骤S1处理的铜衬底放管式炉石英管中，抽真空5min；S2b通入氢气，流量100sccm，将管式炉加热至800℃后退火1小时；S2c通入碳源气体甲烷以及体积比为10:1的氩气和氢气混合气体生长，关闭碳源气体甲烷和氢气，将管式炉石英管在氩气气氛下随炉冷却至室温，得到生长有石墨稀层的铜衬底。步骤S3利用原子层沉积法在石墨烯层上生长一层氮化铝薄层：S3a将经过步骤S2处理的生长有石墨稀层的铜衬底放置于原子层沉积设备反应腔中，抽真空，气压保持在0.2Torr；S3b向腔室内通入氮气清洗腔室，TMA作为铝源，等离子体化的氮气和氢气的混合气体作为氮源，氮气和氢气的体积比为4:1，氮气作为载气，载气流量为40sccm，以使腔室内的真空度保持在0.2Torr；每个ALD循环依次为0.2sTMA脉冲，50s的氮气吹扫时间，40s氮气和氢气混合物气脉本文档来自技高网...
【技术保护点】
基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，步骤如下：S1 将铜衬底抛光、清洗； S2 在铜衬底上生长石墨烯层；S3 利用原子层沉积法在石墨烯层上生长一层氮化铝薄层；S4 在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长GaN层。
【技术特征摘要】
1.基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，步骤如下：S1将铜衬底抛光、清洗；S2在铜衬底上生长石墨烯层；S3利用原子层沉积法在石墨烯层上生长一层氮化铝薄层；S4在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长GaN层。2.根据权利要求1所述的基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，所述步骤S1具体是指：首先将铜衬底进行清洗去除表面的油污和氧化层，再经机械抛光和电化学抛光的双重抛光之后，依次用：乙醇和去离子水清洗三次、稀盐酸清洗5-10min、去离子水清洗数次，N2吹干得到铜衬底。3.根据权利要求1所述的基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，所述步骤S2的具体操作如下：S2a将经过步骤S1处理的铜衬底放置于管式炉石英管中，抽真空5-7min；S2b往管式炉石英管中通入氢气，流量100sccm，并加热至800-1050℃后退火0.5-3小时；S2c再往管式炉石英管中通入氩气和氢气的混合气体、碳源气体甲烷进行石墨稀层的生长，然后关闭碳源气体甲烷和氢气，将管式炉石英管在氩气气氛下随炉冷却至室温，得到生长有石墨稀层的铜衬底；其中，步骤S2c中通入的混合气体中氩气和氢气的体积比为20:1-10:1，氢气和甲烷的体积比为20:1-4:1。4.根据权利要求1所述的基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，所述步骤S3的具体操作如下：S3a将步骤S2处理的生长有石墨稀层的铜衬底放置于原子层沉积设备反应腔中，抽真空，气压保持在0.2-0.4Torr；S3b向所述原子层沉积设备反应腔中通入TMA与等离子体化的氮气和氢气的混合气体，其中TMA作为铝源，等离子体化的氮气和氢气的混合气体作为氮源，氮气或惰性气体作为载气；S3c重复步骤S3a、S3b，即可在所述生长有石墨稀层的铜衬底表面上形成氮化铝薄膜。5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文杰，李俊泽，龙衡，李沫，张健，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院电子工程研究所，
类型：发明
国别省市：四川,51
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