The invention discloses a liquid nitrogen material growing device, including the reactor filled with the reaction solution, the reaction kettle seed at the bottom of the template is immersed in the reaction solution, the reaction kettle is provided with an air outlet, the outlet is arranged in the valve, the reaction kettle through a connecting pipe connected with a nitrogen plasma device the connecting line device, plasma nitrogen supply to the nitrogen plasma reactor by nitrogen plasma device comprises a nitrogen plasma generator and terminal, nitrogen plasma generator is arranged in the reactor and connected with the connecting pipe at one end, the other end is used for connecting pipe connected terminal, the terminal extends into the reaction kettle. The invention effectively reduces the defects such as nitrogen vacancies in the growing crystal, and improves the crystal quality.
【技术实现步骤摘要】
氮化物晶体的液相生长装置
本专利技术涉及晶体生长装置,具体地说是一种氮化物晶体的液相生长装置。
技术介绍
氮化镓由于具有宽带隙、高耐压、高热导等优良性能,在蓝色、白色LEDs、紫外激光器及其他半导体器件领域具有广泛的应用。目前,氮化镓衬底的商业化生产方法为氢化物气相外延(HVPE),虽然具有较大的生长速率,但晶体质量需要进一步提高。为了提高晶体质量,近年来提出了其他氮化镓单晶生长方法。相比于气相法,液相法生长的氮化镓晶体质量较高,例如钠助熔剂法等,具有较大的应用前景。如何进一步提高钠助熔剂法等液相法生长氮化镓单晶的晶体质量和生长速率,是目前急需解决的重要问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种有效降低氮空位,提高了晶体质量的氮化物晶体的液相生长装置。为了解决上述技术问题,本专利技术采取以下技术方案:氮化物晶体的液相生长装置,包括填充有反应溶液的反应釜,该反应釜底部设有浸没在反应物溶液中的晶种模板,反应釜上设有出气口,出气口内设有阀门,所述反应釜通过连接管路连接有氮等离子体装置,该氮等离子体装置通过连接管路向反应釜供应氮等离子体。所述氮等离子体装置包括氮等离子体发生器和终端口,氮等离了体发生器设置在反应釜外并且与连接管路一端连接,该连接管路另一端用于装接终端口,该终端口延伸进反应釜内。所述反应釜上还装接有氮气进管,该氮气进管与氮气源连接,反应釜上设有出气口,该出气口内设有阀门。所述终端口位于反应釜内的反应溶液的液面上方。所述终端口位于反应釜内的反应溶液内部。所述终端口包括但不限于圆柱状、喇叭状、圆锥、或多边形。所述终端口至少设置一个,并且一个终 ...
【技术保护点】
氮化物晶体的液相生长装置,包括填充有反应溶液的反应釜,该反应釜底部设有浸没在反应物溶液中的晶种模板,反应釜上设有出气口,出气口内设有阀门,其特征在于,所述反应釜通过连接管路连接有氮等离子体装置,该氮等离子体装置通过连接管路向反应釜供应氮等离子体。
【技术特征摘要】
1.氮化物晶体的液相生长装置,包括填充有反应溶液的反应釜,该反应釜底部设有浸没在反应物溶液中的晶种模板,反应釜上设有出气口,出气口内设有阀门,其特征在于,所述反应釜通过连接管路连接有氮等离子体装置,该氮等离子体装置通过连接管路向反应釜供应氮等离子体。2.根据权利要求1所述的氮化物晶体的液相生长装置,其特征在于,所述氮等离子体装置包括氮等离子体发生器和终端口,氮等离了体发生器设置在反应釜外并且与连接管路一端连接,该连接管路另一端用于装接终端口,该终端口延伸进反应釜内。3.根据权利要求2所述的氮化物晶体的液相生长装置,其特征在于,所述反应釜上还装接有氮气进管,该氮气进管与氮气源连接,反应釜上设有出气口,该出气口内设有阀门。4....
【专利技术属性】
技术研发人员:巫永鹏,陈蛟,
申请(专利权)人:东莞市中镓半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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