一种电辅助的氮化物晶体生长装置及方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氮化物晶体生长装置，具体地说是一种电辅助的氮化物晶体生长装置及方法。
技术介绍
氮化镓作为第三代半导体材料的代表材料之一，在蓝光或紫外光的半导体激光器和半导体发光二极管领域有着重要的应用价值。作为传统生长氮化镓晶体的方法，已知的有氢化物气相沉积法、金属有机物气相沉积法等，均属于气相法，虽然生长速度较快，但生长的晶体质量相对较低。相比之下，液相法生长的晶体质量相对较高，生长速度也较为适中，比如钠助熔剂法，是生长氮化镓晶体具有潜力的方法之一。目前，钠助熔剂法生长氮化镓晶体时，存在问题如氮空位、生长速度低等问题，根本原因在于生长反应氮源的缺乏，即氮溶解困难，难以参与反应。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种加快了氮的溶解与反应，提高氮化物晶体的质量的电辅助的氮化物晶体生长装置及方法。为了解决上述技术问题，本专利技术采取以下方案：一种电辅助的氮化物晶体生长装置，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，还包括电装置，该电装置包括电压源、上电极和下电极...
【技术保护点】
一种电辅助的氮化物晶体生长装置，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，其特征在于，还包括电装置，该电装置包括电压源、上电极和下电极，上电极和下电极分别通过导线与电压源连接，上电极延伸至坩埚内且位于反应物溶液的液面上方，下电极设在反应物溶液内。
【技术特征摘要】
1.一种电辅助的氮化物晶体生长装置，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，其特征在于，还包括电装置，该电装置包括电压源、上电极和下电极，上电极和下电极分别通过导线与电压源连接，上电极延伸至坩埚内且位于反应物溶液的液面上方，下电极设在反应物溶液内。2.根据权利要求1所述的电辅助的氮化物晶体生长装置，其特征在于，所述上电极由金属支撑棒和金属平板组成，金属平板安装在金属支撑棒下端，金属支撑棒通过导线与电压源连接，金属平板位于反应物溶液的液面上方。3.一种电辅助的氮化物晶体生长装置，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，其特征在于，还包括电装置，该电装置包括电压源、上电极和下电极，上电极和下电极分别通过导线与电压源连接，上电极延伸至坩埚内且位...
【专利技术属性】
技术研发人员：李成明，王琦，胡耀华，巫永鹏，陈蛟，张耿，郑小平，卢洪，李顺峰，张国义，
申请(专利权)人：北京大学东莞光电研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44
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