一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法。该装置为两端开口的石英管，在A端水平放置圆柱形支撑结构和衬底；盛放原料的小舟放置在B端，小舟与衬底间距为15~35cm；石英管两端开口处各使用一个带有进气口和出气口的法兰密封。采用该装置可以快速有效的对气相法晶体生长用原料进行提纯。通过采用高温和低温下两次恒温工艺，在一步提纯过程中，即可以去除原料中的低熔点杂质，同时实现高熔点杂质和原料的有效分离。提纯装置采用双法兰的设计保证了腔体内气流的可控性增强，保证了气相法晶体生长的原料的纯度，解决了气相法晶体生长中影响晶体质量和光电性能的关键问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及气相法晶体生长技术，特别涉及一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法。
技术介绍
气相法晶体生长技术被广泛用于晶体生长领域。在气相法制备晶体的过程中，晶体生长所用原料的纯度对生长出晶体的质量以及光、电学性能都有着很大的影响。首先，原料中存在的杂质容易在晶体生长的过程中进入晶体内，导致晶体内部包裹物、微管道、位错等缺陷的形成，严重影响制备出晶体的质量。其次，原料中某些杂质元素的掺入，会在晶体内形成自由载流子，从而改变晶体的电阻率、导电类型、光学透过率等性能，最终导致生长的晶体材料失效。因此，为了制备出光、电学性能符合要求的高质量的晶体，必须设法提高气相法晶体生长所用原料的纯度，严格控制原料中的杂质元素含量。传统的原料提纯工艺，很难彻底的对原料中的低熔点杂质和高熔点杂质同时很好的去除，提纯不彻底，容易有杂质残留。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的问题，本专利技术的目的是研发一种气相法晶体生长用原料的提纯装置及其提纯方法。在气相法晶体生长中，由于原料中的杂质对晶体质量及其光电性能带来的不利影响，因此需要严格控制原料中的杂质含量。为了降低原理中杂质含量，在晶体生长之前需要对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气相法晶体生长用原料的提纯装置，其特征在于，该装置为两端开口的厚壁石英管（1），在石英管（1）的A端水平放置一个圆柱形支撑结构（5）和衬底（4），用于提纯后原料的沉积；盛放原料（6）的小舟（7）放置在石英管（1）的B端，小舟（7）与衬底（4）间距为15~35cm；石英管（1）两端开口处各使用一个带有进气口和出气口的法兰密封，分别为左侧法兰（2）和右侧法兰（3）。

【技术特征摘要】
1.一种气相法晶体生长用原料的提纯装置，其特征在于，该装置为两端开口的厚壁石英管（1），在石英管（1）的A端水平放置一个圆柱形支撑结构（5）和衬底（4），用于提纯后原料的沉积；盛放原料（6）的小舟（7）放置在石英管（1）的B端，小舟（7）与衬底（4）间距为15~35cm；石英管（1）两端开口处各使用一个带有进气口和出气口的法兰密封，分别为左侧法兰（2）和右侧法兰（3）。2.一种采用如权利要求1所述的气相法晶体生长用原料的提纯装置进行提纯的方法，其特征在于，该方法分以下步骤进行：一、提纯装置密封完毕后整体水平放置于双温区电阻炉中，原料提纯系统抽真空，保持石英管的A、B两端法兰进气口关闭，出气口同时打开抽真空10~30min，以去除石英管内的空气；二、关闭石英管的A端出气口，B端出气口保持打开继续抽真空；三、升温，使石英管的A、B端温度均升至原料升华点以...

【专利技术属性】
技术研发人员：司华青，霍晓青，郭文斌，张颖武，程红娟，徐永宽，张志鹏，于凯，练小正，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12